公开(公告)号：CN106960898A

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201710225066.4

申请日：2017-04-07

申请人： 天津工业大学

发明人： 刘宏伟 ,  于丹丹 ,  郭凯 ,  李晓云 ,  宁平凡 ,  张建新 ,  于莉媛 ,  牛萍娟

IPC分类号： H01L33/24 ,  H01L33/34 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/24 ,  H01L33/0054 ,  H01L33/34

摘要： 本发明公开了一种金属局域表面等离激元耦合增强硅基LED及制造方法，包括：p衬底、位于p衬底上的n阱、位于n阱上表面的p+和n+；在所述p+上设有p电极，在所述n+上设有n电极；其特征在于：所述p+为楔形结构，所述楔形结构的楔角为45°士0.5°；所述LED的发光区域位于楔角和n+之间；在所述发光区域的上表面设置有同取向的含Au纳米颗粒的纳米纤维；所述纤维纤维的直径为120士20nm，所述金属纳米颗粒直径大小为10士2nm；在所述纳米纤维为设有SiO2介质层。该发明结合静电纺丝技术，利用金属局域等离激元耦合提高硅基LED器件的发光效率；使等离激元与发光层光波耦合共振，发光效率达到最大值。

公开(公告)号：CN106960896A

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201710182670.3

申请日：2017-03-24

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 樊勇

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/36 ,  H01L33/34 ,  H01L21/84 ,  H01L27/15

CPC分类号： H01L33/0041 ,  H01L27/156 ,  H01L27/3262 ,  H01L33/0054 ,  H01L33/06 ,  H01L33/34 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/5253 ,  H01L2227/323 ,  H01L2933/0016 ,  H01L21/84 ,  H01L33/36

摘要： 本发明涉及显示技术领域，尤其是一种石墨烯发光显示器的制备方法，包括如下步骤：在形成有薄膜晶体管的基板表面，制备氧化石墨烯薄膜；提供一光掩膜版与所述氧化石墨烯薄膜对应，使光通过所述光掩膜版辐射到所述氧化石墨烯薄膜上，形成石墨烯发光晶体管的源极、漏极和石墨烯量子点层；其中，所述光掩膜版包括：全透明部，其对应于所述源极、漏极所在区域；遮光部，其对应于所述薄膜晶体管所在区域；半透明部，其对应于所述石墨烯量子点层的所在区域；在形成石墨烯发光晶体管的基板表面依次形成绝缘层和隔水隔氧层。本发明还提供这种石墨烯发光显示器的结构。本发明石墨烯发光晶体管的源漏极采用相同的电极材料，制备工艺一道光掩膜版即可成型。

公开(公告)号：CN106957652A

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201611195503.4

申请日：2016-12-22

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 高劳姆·朴 ,  金泰亨 ,  张银珠 ,  章效淑 ,  田信爱 ,  金龙郁 ,  金泽勋 ,  闵智玄 ,  元裕镐

IPC分类号： C09K11/72 ,  C08L35/02 ,  C08K9/10 ,  H01L33/50 ,  B82Y30/00

CPC分类号： H01L33/04 ,  C09K11/025 ,  C09K11/615 ,  C09K11/70 ,  C09K11/883 ,  H01L33/24 ,  H01L33/28 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L33/34 ,  C09K11/722 ,  B82Y30/00 ,  C08K9/10 ,  C09K2211/14 ,  H01L33/502 ,  C08L35/02

摘要： 本发明涉及量子点、制造其的方法，包括其的量子点聚合物复合物和器件。量子点包括芯‑壳结构，所述芯‑壳结构包括：包括第一半导体纳米晶体的芯、和设置在所述芯上并且包括结晶或无定形材料和至少两种不同的卤素的壳，且所述量子点不包括镉。

公开(公告)号：CN105047735B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201510242310.9

申请日：2012-08-10

申请人： 阿科恩科技公司

发明人： P·A·克利夫顿 ,  A·格贝尔 ,  R·S·盖恩斯

IPC分类号： H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L33/34 ,  H01S5/32 ,  B82Y20/00

CPC分类号： H01S5/187 ,  B82Y20/00 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14643 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/1808 ,  H01L33/34 ,  H01S5/125 ,  H01S5/2203 ,  H01S5/227 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3223 ,  H01S5/3224 ,  H01S5/3427 ,  Y02E10/547

摘要： 提供了张应变锗，其被充分张应变，以提供近乎直接带隙材料或完全直接带隙材料。与锗区域接触的承受压应力或拉伸应力的应力源材料在锗区域中引起单轴或双轴张应变。应力源材料可以包括氮化硅或硅锗。所产生的应变锗结构可被用于发射或检测光子，包括例如在谐振腔中产生光子以提供出激光器。

公开(公告)号：CN102484174B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN200980161152.7

申请日：2009-09-25

申请人： 惠普发展公司 ,  有限责任合伙企业

发明人： 亚历山大·M·布拉托科夫斯基 ,  维亚切斯拉夫·约瑟波夫

IPC分类号： H01L33/04

CPC分类号： H01L33/34 ,  H01L33/06

摘要： 一种硅锗量子阱发光二极管(120)。所述发光二极管(120)包括：p型掺杂部分(410)、量子阱部分(420)和p型掺杂部分(430)。所述量子阱部分(420)设置在所述p型掺杂部分(410)和所述n型掺杂部分(430)之间。所述量子阱部分(420)包括载流子限制区，所述载流子限制区被配置为促使使用电子(314)和被限制在所述载流子限制区内的空穴(324)的直接复合(340)所产生的光(344)发射来发光。所述p型掺杂部分(410)包括硅锗的第一合金，并且所述n型掺杂部分(430)包括硅锗的第二合金。

公开(公告)号：CN105047735A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510242310.9

申请日：2012-08-10

申请人： 阿科恩科技公司

发明人： P·A·克利夫顿 ,  A·格贝尔 ,  R·S·盖恩斯

IPC分类号： H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L33/34 ,  H01S5/32 ,  B82Y20/00

CPC分类号： H01S5/187 ,  B82Y20/00 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14643 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/1808 ,  H01L33/34 ,  H01S5/125 ,  H01S5/2203 ,  H01S5/227 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3223 ,  H01S5/3224 ,  H01S5/3427 ,  Y02E10/547

摘要： 提供了张应变锗，其被充分张应变，以提供近乎直接带隙材料或完全直接带隙材料。与锗区域接触的承受压应力或拉伸应力的应力源材料在锗区域中引起单轴或双轴张应变。应力源材料可以包括氮化硅或硅锗。所产生的应变锗结构可被用于发射或检测光子，包括例如在谐振腔中产生光子以提供出激光器。

公开(公告)号：CN104272436A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201380023625.3

申请日：2013-05-03

申请人： 硅源公司

发明人： 弗兰乔斯·J·亨利 ,  西恩·康 ,  艾伯特·拉姆

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： H01L33/0079 ,  C30B29/06 ,  C30B29/406 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/78 ,  H01L29/2003 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1856 ,  H01L33/0054 ,  H01L33/32 ,  H01L33/34 ,  H01S5/3013 ,  H01S5/3027

摘要： 描述了涉及使用粒子加速器光束来从大块基板形成材料的薄膜的实施方式。在具体实施方式中，具有顶表面的大块基板被暴露到加速粒子的光束中。在某些实施方式中，该大块基板可包括GaN；在其他实施方式中，该大块基板可包括(111)单晶硅。然后，通过沿着由从光束灌输的颗粒形成的劈裂区域进行受控劈裂过程将薄膜或薄片材料与所述大块基板分离。在某些实施方式中，该分离的材料被直接结合在光电子装置内，例如，与从GaN大块材料劈裂的GaN薄膜。在一些实施方式中，该分离的材料可被用作模板，用于对光电子装置有用的的半导体材料(例如，GaN)的进一步生长。

公开(公告)号：CN101859763B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201010176727.7

申请日：2010-04-09

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M·迈耶霍弗 ,  J·威莱门 ,  D·约翰逊

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L21/784 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L31/173 ,  H01L23/60 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/15 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/861 ,  H01L29/866 ,  H01L33/18 ,  H01L33/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H02H9/04 ,  H01L2924/00

摘要： 公开了一种包括ESD器件的集成电路。一个实施例包括半导体区域，其通过隔离区域与相邻的半导体区域电隔离。ESD器件和配置为用于发射辐射的器件都形成在该半导体区域中。

公开(公告)号：CN101933169B

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN200980103564.5

申请日：2009-01-30

申请人： INSIAVA(控股)有限公司

发明人： 卢卡斯·威廉·斯内曼 ,  莫努科·迪普莱西斯

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/34 ,  H01L33/0016 ,  H01L33/02

摘要： 一种半导体发光器件(10)包括半导体结构(12)，该半导体结构包括：第一半导体材料(在本实例中为Ge)的第一主体(14)，该第一主体包括第一掺杂种类(在本实例中为n)的第一区；以及第二半导体材料(在本实例中为Si)的第二主体(18)，该第二主体包括第二掺杂种类(在本实例中为p)的第一区。所述结构包括结区(15)，该结区分别包括形成在第一主体(14)与第二主体(18)之间的第一异质结(16)，和形成在所述结构的第一和第二掺杂种类的区之间的pn结(17)。偏置装置(20)连接到所述结构，其在使用时反向偏置该pn结，从而致使发光。

公开(公告)号：CN102498583A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201080036175.8

申请日：2010-06-15

申请人： 茨瓦内科技大学

发明人： 卢卡斯·威廉·斯尼曼

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/34

CPC分类号： H01L33/34 ,  H01L33/0041

摘要： 本发明涉及硅光发射器件(SiLED)，及其在当前的互补金属氧化物半导体(CMOS)中以及未来的绝缘体上硅(SOI)技术中的应用。依据本发明，基于硅的光发射器件被设计为通过雪崩载流子倍增来运行并且发射光，优选在850nm的硅的阈值波长探测范围以下发射光，从而使其与CMOS氮化硅，氮氧化硅或聚合物波导技术兼容。这有利于各种电-光系统应用，例如电-光耦合器、到芯片上或自芯片的快速数据转换、各种光互连配置和各种片上传感器、流体和微光机电传感器应用。在特殊的操作条件下，特定波长的发射(例如更长的波长)可被实现，同时在其他情况下，可以获得对所发射的发射的调制。