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公开(公告)号：CN111009270B
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN201910701403.1
申请日：2019-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/22 , G11C11/4076 , G11C29/42
Abstract: 提供存储器设备。存储器设备包括：时钟缓冲器，用于接收主时钟信号并提供内部主时钟信号；数据时钟缓冲器，用于接收数据时钟信号；和延迟控制电路，被配置为基于数据时钟信号产生延迟信息并将延迟信息提供给数据输入/输出电路。延迟控制电路包括：分频器，被配置为基于数据时钟信号产生二分频时钟信号；分频器，被配置为基于第一组二分频时钟信号产生四分频时钟信号；第一同步检测器，被配置为输出指示第二组二分频时钟信号是否与数据时钟信号同步的二分频对准信号；和延迟选择器，被配置为基于二分频对准信号检测四分频时钟信号的相位并且基于相位调整主时钟信号的延迟。
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公开(公告)号：CN109962081B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN201811207297.3
申请日：2018-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/15
Abstract: 一种发光器件封装包括：第一波长转换部和第二波长转换部，转换入射光的波长以提供具有转换波长的光；透光分隔结构，沿着厚度方向沿着第一波长转换部和第二波长转换部的侧表面延伸，以将第一波长转换部和第二波长转换部沿着与厚度方向相交的方向分离；以及包括第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件的单元阵列，沿着厚度方向分别与第一波长转换部、第二波长转换部和透光分隔结构重叠。
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公开(公告)号：CN116798996A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310247347.5
申请日：2023-03-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了电容器和包括其的DRAM器件。所述电容器包括下电极结构，所述下电极结构包括第一下电极图案和第二下电极图案，所述第一下电极图案包括第一材料，所述第一材料包括金属，所述第二下电极图案包括不同于所述第一材料的第二材料，其中，所述第一材料和所述第二材料暴露于具有柱形状的所述下电极结构的外侧壁上。所述电容器还包括位于所述下电极结构上的电介质层和位于所述电介质层上的上电极。
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公开(公告)号：CN109121318B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201810635217.8
申请日：2018-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供一种芯片安装方法，包括：提供第一衬底，所述第一衬底包括具有第一表面和第二表面的透光衬底、提供在第一表面上的牺牲层、以及接合到牺牲层的多个芯片；通过测试所述芯片来获得第一映射数据，所述第一映射数据定义所述芯片中的正常芯片和有缺陷的芯片的坐标；将第二衬底布置在第一表面下方；基于第一映射数据，通过向牺牲层的与正常芯片的坐标对应的位置处辐射第一激光束以移除牺牲层的一部分，从而将正常芯片与透光衬底分离，来将正常芯片布置在所述第二基底上；并且通过向第二衬底的焊料层辐射第二激光束而将正常芯片安装在第二衬底上。
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公开(公告)号：CN111352881A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201911130434.2
申请日：2019-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F13/40
Abstract: 提供了一种信号发送和接收设备、存储器件及操作它们的方法。所述信号发送和接收设备包括：第一片上端接电路，所述第一片上端接电路连接到通过其发送或接收第一信号的第一引脚，当所述第一片上端接电路被启用时，所述第一片上端接电路被配置为将第一端接电阻提供给与所述第一引脚连接的信号线；第二片上端接电路，所述第二片上端接电路连接到通过其发送或接收第二信号的第二引脚，当所述第二片上端接电路被启用时，所述第二片上端接电路被配置为将第二端接电阻提供给与所述第二引脚连接的信号线；以及片上端接控制电路，所述片上端接控制电路被配置为：独立地控制所述第一片上端接电路和所述第二片上端接电路中的每一个的启用时间和停用时间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111009601A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201910628665.X
申请日：2019-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体发光装置包括第一半导体层，其在衬底上并具有第一导电类型；有源层，其在第一半导体层上；第二半导体层，其在有源层上并具有第二导电类型，第二半导体层掺杂有镁，并且具有基本平行于衬底的上表面的上表面以及相对于衬底的上表面倾斜的侧表面；以及第三半导体层，其在第二半导体层上并具有第二导电类型，第三半导体层掺杂有不同于第二半导体层的镁浓度的镁浓度，并且第三半导体层具有基本平行于衬底的上表面的上表面，以及相对于衬底的上表面倾斜的侧表面。
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公开(公告)号：CN109121318A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810635217.8
申请日：2018-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供一种芯片安装方法，包括：提供第一衬底，所述第一衬底包括具有第一表面和第二表面的透光衬底、提供在第一表面上的牺牲层、以及接合到牺牲层的多个芯片；通过测试所述芯片来获得第一映射数据，所述第一映射数据定义所述芯片中的正常芯片和有缺陷的芯片的坐标；将第二衬底布置在第一表面下方；基于第一映射数据，通过向牺牲层的与正常芯片的坐标对应的位置处辐射第一激光束以移除牺牲层的一部分，从而将正常芯片与透光衬底分离，来将正常芯片布置在所述第二基底上；并且通过向第二衬底的焊料层辐射第二激光束而将正常芯片安装在第二衬底上。
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公开(公告)号：CN111352881B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN201911130434.2
申请日：2019-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F13/40
Abstract: 提供了一种信号发送和接收设备、存储器件及操作它们的方法。所述信号发送和接收设备包括：第一片上端接电路，所述第一片上端接电路连接到通过其发送或接收第一信号的第一引脚，当所述第一片上端接电路被启用时，所述第一片上端接电路被配置为将第一端接电阻提供给与所述第一引脚连接的信号线；第二片上端接电路，所述第二片上端接电路连接到通过其发送或接收第二信号的第二引脚，当所述第二片上端接电路被启用时，所述第二片上端接电路被配置为将第二端接电阻提供给与所述第二引脚连接的信号线；以及片上端接控制电路，所述片上端接控制电路被配置为：独立地控制所述第一片上端接电路和所述第二片上端接电路中的每一个的启用时间和停用时间。
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公开(公告)号：CN109935666B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN201811486617.3
申请日：2018-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体发光装置包括：第一发光部分，其包括第一半导体堆叠件以及布置在第一半导体堆叠件下方和上方的第一下分散式布拉格反射器(DBR)层和第一上分散式布拉格反射器(DBR)层；第二发光部分，其包括第二半导体堆叠件以及布置在第二半导体堆叠件下方和上方的第二下分散式布拉格反射器(DBR)层和第二上分散式布拉格反射器(DBR)层；第三发光部分，其包括第三半导体堆叠件以及布置在第三半导体堆叠件下方和上方的第三下分散式布拉格反射器(DBR)层和第三上分散式布拉格反射器(DBR)层；第一粘合层，其布置在第一发光部分与第二发光部分之间；以及第粘合层，其布置在第二发光部分与第三发光部分之间。
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公开(公告)号：CN109920813B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201811206670.3
申请日：2018-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种制造发光器件封装的方法，包括：形成单元阵列，该单元阵列包括半导体发光器以及分离区域，该半导体发光器包括衬底上的第一导电型半导体层和第二导电型半导体层以及有源层，该单元阵列具有与衬底接触的第一表面；通过去除衬底来暴露出分离区域的第一表面；在分离区域中的第一表面上形成晶种层；在发光器上形成光致抗蚀剂图案，使得光致抗蚀剂图案暴露出晶种层；通过镀覆光致抗蚀剂图案暴露出的区域来形成分隔结构，该分隔结构分离发光器；通过去除光致抗蚀剂图案来形成分隔结构的发光窗口，使得发光器在发光窗口的下端处暴露出来；以及通过用波长转换材料填充发光窗口来形成波长转换器。
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