公开(公告)号：CN1905233B

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200610108116.2

申请日：2006-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李容旭 ,  吴俊鹤 ,  金保成 ,  洪雯杓

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H01L27/28 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L51/0541 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管基板，包括：绝缘基板；源极和漏极，它们形成在绝缘基板上并且彼此分离，并且在它们之间具有沟道区；壁，所述壁分别暴露至少部分源极和漏极，环绕沟道区和由含氟聚合物形成；和在壁内部形成的有机半导体层。因此本发明提供其中有机半导体层被平面化的TFT基板。此外，本发明还提供制备有机半导体层被平面化的TFT基板。

公开(公告)号：CN1790144B

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：CN200510093755.1

申请日：2005-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁英喆 ,  宋根圭 ,  金保成 ,  洪雯杓

IPC: G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F1/133502 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1248

Abstract: 提供了一种薄膜晶体管阵列面板，该面板包括：绝缘基板、在缘基板上形成的栅极线、覆盖栅极线的栅极绝缘层、在栅极绝缘层上形成的数据线；覆盖数据线的下钝化层、在下钝化层上形成的由有机绝缘材料制成的上钝化层、在上钝化层上形成的像素电极。栅极绝缘层、下钝化层和像素电极的厚度分别表示为dG，dP，dI；栅极绝缘层、下钝化层和像素电极的折射率分别表示为nG，nP，nI，并且根据：4(dGnG+dPnP)＝，这是波长的偶数倍；4dInI＝，这是波长的奇数倍，满足条件方程。

公开(公告)号：CN100573903C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200610160387.2

申请日：2006-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋根圭 ,  金保成

IPC: H01L27/32 ,  H01L23/522 ,  H01L51/05 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L27/3274 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明涉及一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括：绝缘衬底；形成于所述绝缘衬底上的包括栅电极的多条栅布线；覆盖所述多条栅布线的栅绝缘膜；在栅绝缘膜上的形成的透明电极层，透明电极层包括在栅电极周围设置的源电极和漏电极，源电极和漏电极彼此分开以界定在其之间设置的沟道区；覆盖透明电极层的预定区域并绝缘地与多条栅布线交叉以界定多个像素的多条数据布线；和形成于每个像素的沟道区上的有机半导体层，有机半导体层的预定部分有效地与源电极、漏电极和栅电极连接，从而形成具有改善的特性和新的结构的晶体管。

公开(公告)号：CN100495717C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200510087567.8

申请日：2005-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李容旭 ,  金保成 ,  柳旻成 ,  洪雯杓

IPC: H01L27/28 ,  H01L21/82 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L27/283 ,  H01L27/3272 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0545

Abstract: 提供了一种有机薄膜晶体管阵列板，其包括：一衬底；一形成在衬底上且包括一源极的数据线；一形成在衬底上且与所述数据线分隔开的漏极；一安置在所述源极和漏极上的有机半导体；一形成在所述有机半导体上的栅绝缘体；一安置在所述栅绝缘体上包括一栅极的栅线；一形成在所述栅线上且在所述漏极上具有一第一接触孔的钝化层；一通过所述第一接触孔连接到所述漏极的像素电极；和一安置在所述有机半导体下面的不透明的光阻隔元件。

公开(公告)号：CN100459143C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200610098771.4

申请日：2006-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔泰荣 ,  金保成 ,  宋根圭 ,  洪雯杓

IPC: H01L27/28 ,  H01L21/84

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/13458 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2202/02 ,  H01L27/3244

Abstract: 本发明提供一种平板显示器，包括：绝缘基板；数据线，形成在绝缘基板上；层间绝缘膜，其形成在数据线上，具有露出数据线的第一接触孔；连接件，形成在第一接触孔的一部分中；层间绝缘膜，环绕第一接触孔；栅极绝缘膜，其形成在连接件上，具有露出连接件的第二接触孔；以及有机半导体层，形成在栅极绝缘膜上。

公开(公告)号：CN1832191A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610006490.1

申请日：2006-02-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金保成 ,  李容旭 ,  洪雯杓

IPC: H01L27/28 ,  H01L51/05 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L27/283 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

Abstract: 根据本发明实施例的一种有机薄膜晶体管阵列板，包括：衬底；数据线，位于衬底之上；绝缘层，位于数据线之上，并且具有露出数据线的接触孔；第一电极，位于绝缘层之上，并且通过接触孔与数据线相连；第二电极，位于绝缘层之上；有机半导体，位于第一和第二电极之上；栅极绝缘体，位于有机半导体之上；以及栅极电极，位于栅极绝缘体之上。

公开(公告)号：CN1790727A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510091115.7

申请日：2005-08-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金保成 ,  柳旻成 ,  洪雯杓

IPC: H01L27/28 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/283 ,  H01L27/3244

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列板，包括：基板；数据线，设置在基板上；层间绝缘层，设置在数据线上；栅极线，设置在层间绝缘层上，且包括栅电极；栅极绝缘层，设置在栅极线和层间绝缘层上，所述栅极绝缘层和所述层间绝缘膜具有暴露数据线的接触孔；第一电极，设置在栅极绝缘层上，并通过接触孔连接至数据线；第二电极，关于栅电极与第一电极相对设置；有机半导体，设置在第一和第二电极上，并接触第一和第二电极；以及钝化件，设置在有机半导体上。

公开(公告)号：CN1790144A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510093755.1

申请日：2005-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁英喆 ,  宋根圭 ,  金保成 ,  洪雯杓

IPC: G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F1/133502 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1248

Abstract: 提供了一种薄膜晶体管阵列面板，该面板包括：绝缘基板、在缘基板上形成的栅极线、覆盖栅极线的栅极绝缘层、在栅极绝缘层上形成的数据线；覆盖数据线的下钝化层、在下钝化层上形成的由有机绝缘材料制成的上钝化层、在上钝化层上形成的像素电极。栅极绝缘层、下钝化层和像素电极的厚度分别表示为dG，dP，dI；栅极绝缘层、下钝化层和像素电极的折射率分别表示为nG，nP，nI，并且根据：4(dGnG+dPnP)＝，这是波长的偶数倍；4dInI＝，这是波长的奇数倍，满足条件方程。

公开(公告)号：CN1716060A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510076639.9

申请日：2005-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金保成 ,  李宇宰 ,  柳旻成

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L27/283 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/10 ,  H01L51/5237

Abstract: 提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，该方法包括：在衬底上形成栅极线；在栅极线上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成数据线和漏电极；在数据线、漏电极与在数据线和漏电极之间的栅极绝缘层的暴露部分上形成有机半导体层；形成完全覆盖有机半导体层的保护构件；在保护构件、数据线和漏电极上形成钝化层；在钝化层内形成接触孔以露出部分漏电极；以及在钝化层上形成象素电极，该象素电极经接触孔与漏电极连接。

公开(公告)号：CN1716059A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510076638.4

申请日：2005-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳旻成 ,  崔泰荣 ,  李容旭 ,  李宇宰 ,  金保成

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/283 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/0541

Abstract: 一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法包括：在衬底上形成栅极线；在栅极线上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成数据线和漏电极；在数据线、漏电极和栅极绝缘层的暴露部分上沉积有机半导体层；在有机半导体层上沉积保护层；在保护层上形成光阻剂，该光阻剂具有正性光敏性；用光阻剂作为蚀刻掩膜蚀刻保护层和有机半导体层；在保护层、数据线和漏电极上形成钝化层，该钝化层具有露出部分漏电极的接触孔；以及在钝化层上形成象素电极，该象素电极与漏电极经接触孔电连接。