公开(公告)号：CN101872794A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN201010215793.0

申请日：2010-06-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 沈悦 ,  吴贵芝 ,  顾峰 ,  李琳瑜 ,  刘秀勇

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0224

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及一种介孔ZnO组装半导体量子点/非晶硅多带隙叠层太阳能电池，包括：一位于顶部吸收偏向短波的高能太阳光的多带隙非晶硅太阳能电池；以及一位于底部吸收偏向长波的低能太阳光的组装半导体量子点的介孔ZnO太阳能电池；其中多带隙非晶硅太阳能电池和组装半导体量子点的介孔ZnO太阳能电池通过一透明导电薄膜连接形成叠层结构。本发明的特征在于顶部的太阳能电池与底部的太阳能电池具有不同的光谱相应范围，可以最大程度的提高太阳能的利用，从而提高电池的光电转换效率。另外该叠层太阳能电池具有制作工艺简单、价格低、有利于大规模生产等特点。

公开(公告)号：CN101752104A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910196573.5

申请日：2009-09-27

Applicant: 上海大学

Inventor： 沈悦 ,  卢惠娜 ,  顾峰 ,  程万希 ,  郑飞 ,  应琪 ,  张建成

IPC: H01G9/20 ,  H01G9/042 ,  H01M14/00 ,  H01L51/48 ,  C09B47/22

CPC classification number: Y02E10/542 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种用四氨基酞菁锰敏化的TiO2纳米晶薄膜的太阳能电池的制备方法，属染料敏化太阳能电池技术领域。本发明合成了一种新型染料四氨基酞菁锰，其合成步骤是由苯酐法制备四硝基酞菁锰，然后通过Na2S·9H2O还原得到四氨基酞菁锰。本发明中太阳能电池的制备过程如下：将制备好的TiO2薄膜电极浸渍于上述的四氨基酞菁锰的二甲基甲酰胺溶液中一定时间后取出，并用乙醇洗涤、干燥后，即得吸附有染料的TiO2薄膜光电极；然后用镀有金属Pt的渗氟SnO2导电玻璃作为对电极，用热封高分子膜进行封装并注入电解质I2/KI/乙腈溶液，形成夹心结构，最终即制得染料敏化TiO2薄膜电极的太阳能电池。

公开(公告)号：CN100465115C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200310122761.6

申请日：2003-12-23

Applicant: 上海大学

Inventor： 张建成 ,  姜盛瑜 ,  王华 ,  顾峰 ,  沈悦

IPC: C03C10/14 ,  C03C3/076

CPC classification number: C03C10/0045 ,  C03C8/02 ,  C03C10/0036 ,  C03C17/02

Abstract: 本发明涉及一种磁记录存储器介质用的玻璃基片材料及其制造方法，特别是一种双层结构的磁记录存储器介质用纳米相微晶玻璃基片材料及制备方法。本发明的一种磁记录存储器介质用纳米相微晶玻璃基片材料，由基体及其表面涂层构成，其特征在于基体为微晶玻璃；涂层为玻璃釉料，其厚度为60μm-100μm。本发明的微晶玻璃基片材料的制备方法包括三个步骤：玻璃釉料的制备、微晶玻璃基体材料的制备，将玻璃釉料涂覆于基体上形成双层结构的微晶玻璃基片材料。玻璃釉料的涂覆于微晶玻璃表面，舍去了网纹加工成膜工艺，有利于网纹加工；又因压应力提高了整体基板的机械强度；因表面的涂层少含或基本不含若干轻元素，大大提高防污染记忆膜的能力；由于涂层硬度较低，故易研磨。在进行表面处理抛光后，其表面粗糙度一般可达3左右。

公开(公告)号：CN101240103A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200810034136.9

申请日：2008-02-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 沈悦 ,  张俊智 ,  郑飞 ,  顾峰 ,  张建成

IPC: C08L49/00 ,  C08K5/3415

Abstract: 本发明涉及一种具有高光电导性的聚对苯乙炔/酞菁复合材料的制备方法。该方法包括如下步骤：酰胺酞菁锌的合成，通过羧基取代酰胺基制备羧基酞菁锌，在此基础上进行酰氯化制备酰氯酞菁锌，聚苯乙酰的合成，以及酰氯酞菁锌和聚苯乙酰的复合反应。本发明制备的聚对苯乙炔/酞菁复合材料具有成膜性好、光电导性能高的特点，在软基太阳能电池上有良好应用。

公开(公告)号：CN1541963A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200310108398.2

申请日：2003-11-04

Applicant: 上海大学

Inventor： 张建成 ,  王华 ,  顾峰 ,  沈悦 ,  姜盛瑜

IPC: C03C3/095 ,  C03B25/00 ,  G11B5/62 ,  G11B5/73

CPC classification number: C03C3/095

Abstract: 本发明涉及一种磁记录存储器介质用玻璃基片材料及其制备方法，属玻璃材料及制备技术领域。本发明的一种磁记录存储器介质用玻璃基片材料，其组成成分及含量(重量百分比)如下：SiO260－70％、B2O34－9％、Na2O 4.5－6.5％、K2O 0－7％、Li2O 0.1－9％、TiO20－5％、Al2O33－8％、As2O3+Sb2O30.4％、ZnO 0－6.5％、ZrO20－5％；另外还需加入适量的碱土金属、稀土元素氧化物。该基片材料制备方法为：按上述的原料的组成及配比进行称量，研磨混合均匀后放入熔炼炉中，加热到1300～1350℃温度，使其熔化，并保温5～6小时，并搅拌；出炉后，将融化的原料放至专用的成形模具中，其模具温度在400～500℃。当成形后，即进入退火炉中热处理，热处理温度为500－550℃，退火时间不超过8小时。并以4～15℃/min冷却至室温，取出即可。