公开(公告)号：CN101872794A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN201010215793.0

申请日：2010-06-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 沈悦 ,  吴贵芝 ,  顾峰 ,  李琳瑜 ,  刘秀勇

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0224

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及一种介孔ZnO组装半导体量子点/非晶硅多带隙叠层太阳能电池，包括：一位于顶部吸收偏向短波的高能太阳光的多带隙非晶硅太阳能电池；以及一位于底部吸收偏向长波的低能太阳光的组装半导体量子点的介孔ZnO太阳能电池；其中多带隙非晶硅太阳能电池和组装半导体量子点的介孔ZnO太阳能电池通过一透明导电薄膜连接形成叠层结构。本发明的特征在于顶部的太阳能电池与底部的太阳能电池具有不同的光谱相应范围，可以最大程度的提高太阳能的利用，从而提高电池的光电转换效率。另外该叠层太阳能电池具有制作工艺简单、价格低、有利于大规模生产等特点。

公开(公告)号：CN102249344A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110152794.X

申请日：2011-06-09

Applicant: 上海大学

Inventor： 曹萌 ,  李亮 ,  刘秀勇 ,  沈悦 ,  王林军

IPC: C01G49/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种低成本、高质量的Cu2FeSnS4纳米晶的制备方法，该方法是：将反应物前躯体油胺、氯化亚铁、醋酸铜、氯化亚锡和硫粉加入一个与西莱克装置连接的四口烧瓶中，在氩气的气氛中将反应温度缓慢的升高到200-350℃反应1-60分钟，撤掉加热装置使反应物冷却，向冷却后的反应物中加入丙酮和氯仿使纳米粒子沉降；然后以3000-14000转/min的速度离心1-10分钟收集纳米晶，最终得到高质量的Cu2FeSnS4纳米晶。本发明的优点在于：纳米晶的制备方法简单，合成温度低，所用前躯体材料成本低廉，制备的纳米晶颗粒分散性、结晶性好等。该发明制备的Cu2FeSnS4纳米晶是一种纳米级反铁磁材料，能够广泛用于电工设备和电子设备中，有较好的经济价值。

公开(公告)号：CN102249292A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110154912.0

申请日：2011-06-10

Applicant: 上海大学

Inventor： 曹萌 ,  李亮 ,  刘秀勇 ,  沈悦 ,  王林军

IPC: C01G19/00 ,  C01G49/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种低成本、高质量的Cu2CdSnS4或Cu2FeSnS4纳米晶的水热制备方法，该方法是：通过将溶剂无水乙二胺和反应物前躯体氯化铜、氯化镉或者硫酸亚铁、氯化亚锡和硫粉加入高压釜中，然后升高温度进行反应一定时间，反应完毕后，将纳米晶融于异丙醇和甲苯的混合溶液；然后以5000-12000转/min的速度离心3-10分钟收集纳米晶，最终得到高质量的Cu2CdSnS4或Cu2FeSnS4纳米晶。本发明的优点在于：纳米晶的制备方法简单，合成温度低，所用前躯体材料成本低廉，制备的纳米晶颗粒分散性、结晶性较好等。该发明制备的Cu2CdSnS4或Cu2FeSnS4纳米晶可作为光伏器件的吸收层或者良好的热电及磁性材料。