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公开(公告)号：CN101887864B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201010211699.8
申请日：2007-12-26
申请人： 上海新傲科技股份有限公司 , 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/78 , H01L21/306
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种三维封装的方法，包括下列步骤：提供一个表面已经制作器件的初始半导体衬底；提供N个具有剥离层和器件层且器件层已经制作器件的叠层半导体衬底；将初始半导体衬底与一个叠层半导体衬底进行键合；在剥离层的位置剥离叠层半导体衬底；对剥离后的表面进行抛光处理；制作叠层半导体衬底中的器件的引线；抛光形成引线后的表面，形成具有两个器件层的三维封装结构；重复上述步骤，依次将N个半导体衬底键合并剥离，形成具有N+1个器件层的三维封装结构；所述N为大于1的整数。
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公开(公告)号：CN101197260B
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200710173709.1
申请日：2007-12-28
申请人： 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/265 , H01L21/762 , H01L21/84
摘要： 本发明涉及一种半导体衬底，包含了位于顶层的覆盖层和位于覆盖层下方的孔洞层，以及位于孔洞层下方的支撑层。采用离子注入和阳极氧化两种方法来制备这种特殊结构的半导体衬底。同时还公开了采用这种半导体衬底来制作广义键合减薄绝缘体上的硅材料的方法；以及将该半导体衬底用于材料外延作为外延衬底的方法。与现有技术相比，本发明的优在于该半导体衬底中的孔洞层能够帮助释放层间应力，获得完美的单晶材料。
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公开(公告)号：CN101692440A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200910197074.8
申请日：2009-10-13
申请人： 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种混合晶向应变硅衬底，包括：支撑衬底；直接设置于支撑衬底表面的锗硅层；以及直接设置于锗硅层表面的应变硅层。本发明进一步提供了所述混合晶向应变硅衬底的制备方法。本发明的优点在于，所提供的混合晶向应变硅衬底中，能够降低第一锗硅层的位错密度，并且保证第一应变硅区域的应变状态。并且由于具有锗硅层作为支撑衬底和应变硅层之间的缓冲层，能够提高应变硅层的晶格质量和应变程度。进一步提供的混合晶向应变硅衬底制备方法中，应变硅层生长完毕后无需再进行抛光、外延以及键合等工艺，能够保持应变硅的应变程度。
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公开(公告)号：CN101604657A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200910053503.4
申请日：2009-06-19
申请人： 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/265 , H01L21/20 , H01L21/78
摘要： 一种制备双埋层绝缘体上硅衬底的方法，包括如下步骤：提供单晶硅支撑衬底；将第一离子注入单晶硅支撑衬底中；退火，从而在单晶硅支撑衬底中形成第一绝缘层以及第一单晶硅层；提供第一键合衬底；在第一键合衬底表的表面形成第二单晶硅层；在第二单晶硅层表面形成第二绝缘层；以第二绝缘层远离第一键合衬底的表面以及第一单晶硅层远离单晶硅支撑衬底的表面为键合面，进行键合操作；移除第一键合衬底。本发明的优点在于，采用注入工艺形成第一单晶硅层，从而能够避免边缘碎裂的问题，并且注入工艺可以减少机械抛光和键合的次数，从而提高了材料厚度的均匀性和晶向的对准精度。
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公开(公告)号：CN107146758B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201611225996.1
申请日：2016-12-27
申请人： 上海新傲科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/324
摘要： 本发明提供了一种带有载流子俘获中心的衬底的制备方法，包括如下步骤：在半导体衬底中注入起泡离子，用于形成剥离层，并在绝缘层中注入改性离子，用于形成纳米团簇；提供一支撑衬底；以所述绝缘层为中间层，将所述支撑衬底与所述半导体衬底键合；对键合后衬底实施第一次热处理，使注入起泡离子的位置形成剥离层，并在剥离层的位置使所述半导体衬底发生剥离；对衬底实施快速热退火；对快速热退火后的半导体衬底实施第二次热处理，以加固键合表面并在改性离子的注入位置形成纳米团簇。
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公开(公告)号：CN106683980B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201611227767.3
申请日：2016-12-27
申请人： 上海新傲科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/265 , H01L29/06
摘要： 本发明提供了一种带有载流子俘获中心的衬底的制备方法，包括如下步骤：在半导体衬底中注入起泡离子，用于形成剥离层，并在绝缘层中注入改性离子，用于形成纳米团簇；提供一支撑衬底；以所述绝缘层为中间层，将所述支撑衬底与所述半导体衬底键合；对键合后衬底实施第一次热处理，使注入起泡离子的位置形成剥离层，并在剥离层的位置使所述半导体衬底发生剥离；减薄剥离后的半导体衬底的剥离表面；对减薄后的半导体衬底实施第二次热处理，以加固键合表面并在改性离子的注入位置形成纳米团簇。
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公开(公告)号：CN110444467A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910753004.X
申请日：2019-08-15
申请人： 上海新傲科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明提供一种多晶硅薄膜半导体衬底的制备方法，其包括如下步骤：提供一衬底；在第一温度下，在所述衬底上生长一第一多晶硅薄膜层；在第二温度下，在所述第一多晶硅薄膜层上生长一第二多晶硅薄膜层，所述第一温度与所述第二温度不同，以释放多晶硅薄膜的应力。本发明采用高低温交替生长多晶硅薄膜层的方法在衬底上生成多晶硅薄膜，其能够释放多晶硅薄膜自身及其与半导体衬底之间的应力，改善多晶硅薄膜半导体衬底的翘曲度及弯曲度。
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公开(公告)号：CN110400743A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910753249.2
申请日：2019-08-15
申请人： 上海新傲科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/67
摘要： 本发明提供一种多晶硅薄膜半导体衬底的制备方法，其包括如下步骤：提供一衬底；在第一温度下，在所述衬底上生长多晶硅薄膜层；在第二温度下，对所述多晶硅薄膜层进行退火处理，所述第二温度大于所述第一温度，以释放所述多晶硅薄膜层与衬底之间的应力。本发明能够释放多晶硅薄膜与所述衬底之间的应力，改善多晶硅薄膜半导体衬底的翘曲度及弯曲度。
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公开(公告)号：CN106601615A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611227760.1
申请日：2016-12-27
申请人： 上海新傲科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/324
摘要： 本发明提供了一种提高键合强度的退火方法，所述方法包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底具有一键合界面；第一退火步骤，所述第一退火步骤在含氧气氛中实施，本步骤在衬底表面形成氧化保护层；第二退火步骤，在第一退火步骤后实施，第二退火步骤温度高于第一退火步骤且在无氮环境中实施。
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公开(公告)号：CN103745923B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310742858.0
申请日：2013-12-30
申请人： 上海新傲科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/66
摘要： 本发明提供一种氮化镓衬底上生长栅介质的方法及电学性能测试方法，所述氮化镓衬底上生长栅介质的方法包括如下步骤：提供一氮化镓衬底；对氮化镓衬底进行原位氨气等离子体预处理，以补充氮化镓表面的氮元素的空缺；在所述氮化镓衬底表面生长氧化铝过渡层；在所述氧化铝过渡层表面生长栅介质薄膜。本发明氮化镓衬底上生长栅介质的方法及电学性能测试方法其能够在氮化镓衬底上品质良好的栅介质，并且能够简单方便地对栅介质的电学性能进行测量。
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