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公开(公告)号：CN109346433B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201811124962.2
申请日：2018-09-26
申请人： 上海新傲科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/762 , H01L27/12
摘要： 本发明提供一种半导体衬底的键合方法以及键合后的半导体衬底，能够提高键合后衬底的平整度。本发明还提供了一种键合后的半导体衬底，所述半导体衬底在键合前是被进行热处理的，所述半导体衬底中的氧沉淀在上述热处理的步骤中部分或全部地转化成间隙氧原子。
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公开(公告)号：CN106601615B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201611227760.1
申请日：2016-12-27
申请人： 上海新傲科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/324
摘要： 本发明提供了一种提高键合强度的退火方法，所述方法包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底具有一键合界面；第一退火步骤，所述第一退火步骤在含氧气氛中实施，本步骤在衬底表面形成氧化保护层；第二退火步骤，在第一退火步骤后实施，第二退火步骤温度高于第一退火步骤且在无氮环境中实施。
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公开(公告)号：CN110517981A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910805846.5
申请日：2019-08-29
申请人： 上海新傲科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/762
摘要： 本发明提供一种器件层的减薄方法及衬底的制备方法，器件层的减薄方法包括如下步骤：提供一复合衬底，所述复合衬底包括一支撑层、支撑层表面的绝缘埋层及绝缘埋层表面的器件层；采用激光照射所述器件层，在所述器件层中形成一层缺陷层，所述缺陷层将所述器件层分隔为背层及功能层；以所述缺陷层为切割面，横向切割所述器件层，使所述背层自所述复合衬底剥离。本发明未采用研磨的方法减薄器件层，而是在器件层中形成缺陷层，将器件层需要去除的部分整体移除，进而减薄器件层，被移除的部分还可以作为衬底被再次利用，大大提高了半导体衬底的利用率，节约了成本。
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公开(公告)号：CN109545683A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811423514.2
申请日：2018-11-27
申请人： 上海新傲科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 一种晶圆表面的平坦化方法，包括如下步骤：提供一晶圆，所述晶圆包括绝缘埋层以及绝缘埋层表面的顶层硅层；采用氢气和HCl的混合气体对所述顶层硅层的表面进行刻蚀，所述混合气体从所述晶圆侧方通入，且边缘区域和中心区域的气体流速可通过设备参数进行调节，从而获得更好的刻蚀均匀性。
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公开(公告)号：CN107146758A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201611225996.1
申请日：2016-12-27
申请人： 上海新傲科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/324
摘要： 本发明提供了一种带有载流子俘获中心的衬底的制备方法，包括如下步骤：在半导体衬底中注入起泡离子，用于形成剥离层，并在绝缘层中注入改性离子，用于形成纳米团簇；提供一支撑衬底；以所述绝缘层为中间层，将所述支撑衬底与所述半导体衬底键合；对键合后衬底实施第一次热处理，使注入起泡离子的位置形成剥离层，并在剥离层的位置使所述半导体衬底发生剥离；对衬底实施快速热退火；对快速热退火后的半导体衬底实施第二次热处理，以加固键合表面并在改性离子的注入位置形成纳米团簇。
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公开(公告)号：CN106683979A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611226886.7
申请日：2016-12-27
申请人： 上海新傲科技股份有限公司
CPC分类号： B08B3/08 , B08B3/10 , B08B2203/007 , C11D7/06 , C11D11/0047 , H01L21/02052 , H01L21/2007 , H01L21/76251 , H01L29/16 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/20 , H01L29/2003
摘要： 本发明提供了一种在键合前清洗键合表面的方法，包括如下步骤：提供两个用于键合的第一表面和第二表面，所述第一表面为非晶表面，第二表面为晶体表面；在键合前采用氨水分别清洗所述第一表面和第二表面，清洗所述第一表面所采用的氨水浓度和清洗温度两个参数中的至少一个参数高于清洗所述第二表面所采用的参数。
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公开(公告)号：CN103745927B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201310724101.9
申请日：2013-12-25
申请人： 上海新傲科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/772
摘要： 本发明提供了一种静电感应晶体管的制造方法以及静电感应晶体管。所述方法包括如下步骤：提供导电类型为N型的硅衬底；在所述硅衬底的一背面形成磷掺杂层；在所述硅衬底的一正面形成导电类型为P型的栅墙和栅条；采用一键合衬底与所述硅衬底的正面键合，所述键合衬底的导电类型为N型；在所述键合衬底中形成通孔，以暴露出所述栅墙。本发明的优点在于，采用键合的方式形成覆盖栅墙和栅条的N型覆盖层，这可以使覆盖层的掺杂浓度得到精确控制，对于提高静电感应晶体管的电学性能有重要意义；并且硅衬底在与所述覆盖层相对的另一表面形成磷掺杂层，该层用以吸收制造过程中在硅衬底中引入的杂质，亦可以提高静电感应晶体管的电学性能。
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公开(公告)号：CN103745998B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201310745065.4
申请日：2013-12-31
申请人： 上海新傲科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423
摘要： 本发明提供了一种沟槽栅功率场效应晶体管，包括：源极层和漏极层，所述源极层设置在衬底的第一表面，所述漏极层设置在衬底与第一表面相对的第二表面；掺杂阱层，所述掺杂阱层设置在所述源极层和漏极层之间，且与所述源极层和漏极层贴合，所述源极层和漏极层具有第一导电类型，所述掺杂阱层具有第二导电类型；栅极，所述衬底的第一表面进一步具有一沟槽，所述沟槽内壁覆盖有栅介质层，所述栅极在所述栅介质层围拢的空间内；所述掺杂阱层在垂直于衬底表面的方向包括由Si1‑xGex/Si构成的异质结。本发明的优点在于，可以通过调整Ge的摩尔百分比来调整异质结的能带结构，实现器件的优化。
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公开(公告)号：CN103745913B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201310720809.7
申请日：2013-12-24
申请人： 上海新傲科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明提供了一种应变层的生长方法以及带有应变层的衬底。所述方法包括如下步骤：提供衬底，所述衬底包括支撑层，支撑层表面的埋层以及埋层表面的顶层半导体层；在顶层半导体层中形成贯通的腐蚀窗口；在顶层半导体层的腐蚀窗口处形成桥接条，所述桥接条的两端均与顶层半导体层表面连接，所述桥接条采用磁致伸缩材料制成；通过腐蚀窗口腐蚀埋层，以使桥接条和部分的顶层半导体层悬空；改变所述桥接条的环境磁场，使所述桥接条发生伸缩，从而使悬空的顶层半导体层发生应变。本发明的优点在于，利用磁致伸缩现象会在磁场变化下引入明显的尺寸改变的特性，通过桥接条引入足够的应变力，是一种低成本而高效的方法。
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公开(公告)号：CN102637607B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201110449519.4
申请日：2011-12-29
申请人： 上海新傲科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/50 , H01L21/768
摘要： 本发明提供了一种三维封装方法，包括如下步骤：提供半导体衬底和支撑衬底，所述半导体衬底依次包括重掺杂层和重掺杂层表面的轻掺杂层，所述轻掺杂层中包含至少一半导体器件；在半导体衬底和/或支撑衬底的表面形成绝缘层；以所述绝缘层为中间层，将所述半导体衬底和支撑衬底贴合在一起；采用自停止腐蚀工艺去除所述半导体衬底中的重掺杂层至露出轻掺杂层；在轻掺杂层中形成多个贯孔，所述贯孔的位置与半导体器件的焊盘的位置对应，并暴露出半导体器件的焊盘；采用导电填充物填平所述贯孔。本发明的优点在于，通过采用具有轻掺杂层和重掺杂层的半导体衬底，可以在降低被减薄的衬底的厚度的同时保证衬底表面的平整度。
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