公开(公告)号：CN103762232B

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201310748915.6

申请日：2013-12-31

申请人： 上海新傲科技股份有限公司

发明人： 魏星 ,  徐大伟 ,  狄增峰 ,  方子韦

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L29/06

摘要： 本发明提供了一种带有绝缘埋层的高压晶体管，所述绝缘埋层将衬底分割成器件层和支撑层，所述器件层具有第一导电类型所述高压晶体管包括：第一栅极，所述器件层中具有一第一沟槽，所述第一沟槽内填充第一栅介质层，所述第一栅介质层的表面进一步具有一第二沟槽，所述第一栅极设置于所述第二沟槽中；源极和漏极，所述源极和漏极具有第一导电类型，且位于器件层中第一栅介质层的两侧，所述源极进一步设置在所述器件层表面的一掺杂阱中，所述掺杂阱具有第二导电类型；进一步包括第二栅极，所述掺杂阱的表面覆盖第二栅介质层，所述第二栅极设置在所述第二栅介质层的表面。本发明的优点在于提高了器件的电流驱动能力，减小导通电阻。

公开(公告)号：CN103745928B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201310720622.7

申请日：2013-12-24

申请人： 上海新傲科技股份有限公司

发明人： 魏星 ,  母志强 ,  薛忠营 ,  狄增峰 ,  方子韦

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10

摘要： 本发明提供了一种具有应变沟道的晶体管制备方法以及具有应变沟道的晶体管。所述方法包括如下步骤：提供衬底，所述衬底包括器件层；形成晶体管，包括在器件层中形成源极和漏极，并在器件层表面形成栅极；在器件层表面形成绝缘保护层；在所述绝缘保护层表面形成应力层；使晶体管栅极导电沟道所在位置的器件层悬空，器件层在应力层的作用下发生卷曲，从而使晶体管栅极导电沟道发生张应变。本发明的优点在于，栅极所在区域的器件层自由卷曲，器件层在张应力的作用下发生应变，该应变是由物理形变引入的，因此应变稳定，不易消失。

公开(公告)号：CN103745989B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201310745064.X

申请日：2013-12-31

申请人： 上海新傲科技股份有限公司

发明人： 魏星 ,  王中健 ,  狄增峰 ,  方子韦

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06

摘要： 本发明提供了一种高电子迁移率晶体管，形成于一半导体衬底表面，所述半导体表面设置有异质结层，所述异质结层内部极化而产生二维电子气，所述异质结层的表面具有源电极、漏电极和栅电极以构成高电子迁移率晶体管，所述半导体衬底中包括一辅助耗尽层，所述辅助耗尽层由P型半导体层和N型半导体层沿着平行于衬底表面的方向交替堆叠构成。本发明的优点在于，通过在半导体衬底中设置由P型半导体层和N型半导体层交替堆叠构成的辅助耗尽层，使得器件工作时耗尽区扩展到更大的区域，避免半导体衬底提前击穿，整体提高器件耐压能力。

公开(公告)号：CN103745996B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201310744626.9

申请日：2013-12-31

申请人： 上海新傲科技股份有限公司

发明人： 魏星 ,  夏超 ,  狄增峰 ,  方子韦

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供一种带有部分绝缘埋层的横向功率器件，包括支撑衬底、位于所述支撑衬底表面的绝缘埋层和位于所述绝缘埋层表面的有源层；所述绝缘埋层包括一掺杂窗口；所述支撑衬底包括第一掺杂埋层和第二掺杂埋层，所述第一掺杂埋层位于漏区的下方，所述第二掺杂埋层位于源区下方，所述第二掺杂埋层到所述绝缘埋层的距离大于所述第一掺杂埋层到所述绝缘埋层的距离。为实现上述带有部分绝缘埋层的横向功率器件，本发明同时提供一种制作方法，采用两次离子注入在支撑衬底内形成双埋层，在所述支撑衬底表面刻蚀以形成掺杂窗口。本发明的优点在于，提高了器件的击穿电压，并且能够通过掺杂窗口将产生的热量从衬底散出，加快热量耗散，提高器件的可靠性。

公开(公告)号：CN103745952B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201310724870.9

申请日：2013-12-25

申请人： 上海新傲科技股份有限公司

发明人： 魏星 ,  陈达 ,  薛忠营 ,  狄增峰 ,  方子韦

IPC分类号： H01L21/762

摘要： 本发明提供了一种带有绝缘埋层的混晶衬底的制备方法，包括如下步骤：提供第一衬底和第二衬底，所述第一衬底包括第一支撑层、第一支撑层表面的第一埋层以及第一埋层表面的第一器件层，所述第一器件层具有第一晶向，所述第二衬底包括第二支撑层、第二支撑层表面的第二埋层以及第二埋层表面的第二器件层，所述第二器件层具有第二晶向；在第一器件层和/或第二器件层的表面形成隔离层；以隔离层为中间层，将第一衬底和第二衬底键合在一起；去除第二支撑层和第二埋层；在第二器件层和隔离层中形成窗口，以暴露出第一器件层；在窗口中外延生长第三器件层，所述第三器件层具有第一晶向。本发明的优点在于能够提高了混晶衬底中的两种晶体质量。

公开(公告)号：CN103762156A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201310745388.3

申请日：2013-12-31

申请人： 上海新傲科技股份有限公司

发明人： 魏星 ,  王中健 ,  狄增峰 ,  方子韦

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/762 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L21/7624 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0634

摘要： 本发明提供了一种半导体衬底的制作方法、半导体衬底以及高压晶体管，所述高压晶体管制作在带有绝缘层的半导体衬底的表面，所述半导体衬底包括支撑衬底、支撑衬底表面的绝缘埋层以及绝缘埋层表面的器件层，所述高压晶体管形成在器件层的表面，所述支撑衬底中包括一辅助耗尽层，所述辅助耗尽层由P型半导体层和N型半导体层交替堆叠构成。本发明的优点在于，通过在支撑衬底中设置由P型半导体层和N型半导体层交替堆叠构成的辅助耗尽层，可以有效地抑制衬底辅助耗尽效应，提高器件耐压能力。

公开(公告)号：CN103745952A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201310724870.9

申请日：2013-12-25

申请人： 上海新傲科技股份有限公司

发明人： 魏星 ,  陈达 ,  薛忠营 ,  狄增峰 ,  方子韦

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76251 ,  H01L21/76283

摘要： 本发明提供了一种带有绝缘埋层的混晶衬底的制备方法，包括如下步骤：提供第一衬底和第二衬底，所述第一衬底包括第一支撑层、第一支撑层表面的第一埋层以及第一埋层表面的第一器件层，所述第一器件层具有第一晶向，所述第二衬底包括第二支撑层、第二支撑层表面的第二埋层以及第二埋层表面的第二器件层，所述第二器件层具有第二晶向；在第一器件层和/或第二器件层的表面形成隔离层；以隔离层为中间层，将第一衬底和第二衬底键合在一起；去除第二支撑层和第二埋层；在第二器件层和隔离层中形成窗口，以暴露出第一器件层；在窗口中外延生长第三器件层，所述第三器件层具有第一晶向。本发明的优点在于能够提高了混晶衬底中的两种晶体质量。

公开(公告)号：CN103745941A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201310745281.9

申请日：2013-12-30

申请人： 上海新傲科技股份有限公司

发明人： 魏星 ,  曹铎 ,  狄增峰 ,  方子韦

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L23/544 ,  G01R31/12

CPC分类号： H01L2924/0002 ,  H01L22/14 ,  G01R27/2605 ,  G01R31/02 ,  H01L22/32 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种栅介质的电学性能的测试方法，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底包括一绝缘埋层以及位于所述绝缘埋层表面的一用于制造器件的顶层半导体层；在所述顶层半导体层表面制作一第一金属电极及生长一栅介质薄膜；在所述栅介质薄膜表面制作一第二金属电极及第三金属电极，所述第一金属电极的面积及第二金属电极的面积大于所述第三金属电极的面积；在所述第一金属电极与所述第三金属电极上施加电压，进行电流-电压测试，以得到所述栅介质的漏电流；在所述第二金属电极与第三金属电极上施加电压，进行电容-电压测试，以得到所述栅介质的电容。本发明栅介质的电学性能的测试方法，其能够简单方便准确的测量栅介质材料的漏电流及电容。

公开(公告)号：CN103745915B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201310721032.6

申请日：2013-12-24

申请人： 上海新傲科技股份有限公司

发明人： 魏星 ,  母志强 ,  薛忠营 ,  狄增峰 ,  方子韦

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 本发明提供了一种应变层的生长方法以及带有应变层的衬底。所述方法包括如下步骤：提供衬底，所述衬底包括支撑层，支撑层表面的埋层以及埋层表面的顶层半导体层；在顶层半导体层中形成贯通的腐蚀窗口；在顶层半导体层的腐蚀窗口处形成桥接条，所述桥接条包括上电极层、下电极层以及压电材料层；通过腐蚀窗口腐蚀埋层，以使桥接条和部分的顶层半导体层悬空；在所述上电极层和下电极层之间施加电压，使所述压电材料层发生形变，从而使悬空的顶层半导体层发生应变。本发明的优点在于，利用了压电材料的逆压电现象，即外加电场会在压电材料中引入明显的尺寸改变的特性，通过桥接条引入足够的应变力，是一种低成本而高效的方法。

公开(公告)号：CN103762228A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201310749058.1

申请日：2013-12-31

申请人： 上海新傲科技股份有限公司

发明人： 魏星 ,  徐大伟 ,  狄增峰 ,  方子韦

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L29/42356 ,  H01L29/42376

摘要： 一种具有复合金属栅极结构的横向功率器件，包括半导体衬底、位于所述半导体衬底表面的栅介质层、位于所述栅介质层表面的栅极、位于所述栅极两侧的源电极和漏电极以及位于所述栅极和所述栅介质层之间的栅金属层；所述栅金属层包括位于所述源电极一侧的第一栅金属以及位于所述漏电极一侧的第二栅金属，所述第一栅金属的功函数大于所述第二栅金属的功函数。本发明的优点在于利用不同金属功函数的差异性，形成复合金属栅极结构，以提高器件的跨导值和驱动电流。