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公开(公告)号：CN103014847A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210587242.6
申请日：2012-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种制备高单晶质量的张应变锗纳米薄膜的方法，该方法包括以下步骤：提供一GeOI衬底；在该GeOI衬底的顶层锗上外延InxGa1-xAs层，其中，所述InxGa1-xAs层厚度不超过InxGa1-xAs/GeOI 结合体的临界厚度，x的取值范围为0～1；在该InxGa1-xAs层上外延Ge纳米薄膜层，形成Ge/InxGa1-xAs/GeOI 结合体；所述Ge纳米薄膜的厚度与所述GeOI衬底中顶层锗的厚度相等；且不超过Ge/InxGa1-xAs/GeOI结合体的临界厚度；利用光刻以及RIE技术将Ge/InxGa1-xAs/GeOI 结合体进行图形化并得到腐蚀窗口；湿法腐蚀，直至所述埋氧层被腐蚀完全，其余 Ge/InxGa1-xAs/Ge结合体与所述底层硅脱离。本发明所制备的张应变锗具有较低的位错密度，较高的单晶质量；通过该种方法所制备的张应变Ge薄膜具有应变大小任意可调的特点；制备的Ge薄膜应变大，迁移率高。
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公开(公告)号：CN102347267A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110324597.1
申请日：2011-10-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L29/10
Abstract: 本发明提供一种利用超晶格结构材料制备的高质量SGOI及其制备方法，首先在一衬底上按周期交替生长Ge层（Si层）与Si1-xGex层形成超晶格结构，然后再低温生长Si1-mGem材料，控制此外延层的厚度，使其小于临界厚度。紧接着对样品进行退火或离子注入加退火处理，使顶层的Si1-mGem材料弛豫。最后采用智能剥离的方法将顶层的Si1-mGem及超晶格结构转移到SiO2/Si结构的支撑材料上，形成多层材料。使用研磨或CMP的方法制备高质量的SGOI。由此，利用超晶格结构材料，我们制备出高质量、低成本、低缺陷、厚度可控的SGOI。
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公开(公告)号：CN117712202A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311711379.2
申请日：2023-12-13
Applicant: 宁波大学 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/028 , H01L31/0288 , H01L31/0352 , H01L31/102 , H01L31/18 , G01D5/26
Abstract: 本发明提供了一种光电异质结、制备方法、光电检测装置及应用，在硅衬底上制备三维石墨烯层，在所述三维石墨烯层的表面旋涂硫化铅量子点溶液，由硫化铅量子点对三维石墨烯层的表面进行修饰，以使三维石墨烯层转换成改性三维石墨烯层，以获得光电异质结。
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公开(公告)号：CN111850675A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201910362435.3
申请日：2019-04-30
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置和方法。所述半导体晶体生长装置包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内、用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；以及加热装置，所述加热装置用以在所述提拉装置从所述硅熔体内提拉出硅晶棒的过程中对所述硅晶棒的外表面进行加热。根据本发明的半导体晶体生长装置和方法，通过在硅晶棒四周设置加热装置，对拉晶过程中的硅晶棒进行加热，有效减少了硅晶棒中心和边缘的温度不均匀分布，使晶棒稳定生长，减少了晶棒生长过程中的缺陷提升了晶体生长的质量。
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公开(公告)号：CN111267247A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201811477368.1
申请日：2018-12-05
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种晶棒切片装置，所述装置包括：电源；电解池，用于存放电解质；阳极，所述阳极包括晶棒支撑装置及晶棒，所述晶棒支撑装置分别与所述电源及所述晶棒电性连接；阴极，容置于所述电解池内，与所述电源电性连接，所述阴极包括至少一线状电极，所述线状电极的长度方向与所述晶棒的轴向交叉设置，并且所述线状电极与所述晶棒不接触，当在所述阳极和所述阴极之间接通所述电源时通过所述线状电极与所述晶棒间的相对运动实现晶棒切片；其中，所述阴极还包括控制所述线状电极沿着所述线状电极的长度方向移动的线状电极支撑装置。根据本发明的晶棒切片装置能够使阴极的线状电极上析出的氢气及时脱除。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111267246A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201811477291.8
申请日：2018-12-05
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种晶棒切片装置和方法，所述装置包括：电源，所述电源输出直流电和交流电；电解池，用于存放电解质；阳极，所述阳极包括晶棒，所述晶棒与所述电源输出的所述直流电的正极电性连接；阴极，包括至少一线状电极，所述线状电极容置于所述电解池内并与所述电源输出的所述直流电的负极电性连接，所述线状电极的长度方向与所述晶棒的轴向交叉设置，并且所述线状电极与所述晶棒不接触；支撑装置，用以控制所述线状电极与所述晶棒之间的相对位置；根据本发明的晶棒切片装置和方法，通过支撑装置控制线状电极和晶棒之间的相对位置配合电源直流电和交流电的加载，能够使线状电极上的氢气及时脱除，保证了晶棒切片的质量。
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公开(公告)号：CN111267244A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201811477274.4
申请日：2018-12-05
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种晶棒切片装置，所述装置包括：电源；电解池，用于存放电解质；阳极，所述阳极包括晶棒支撑装置及晶棒，所述晶棒支撑装置分别与所述电源及所述晶棒电性连接；阴极，容置于所述电解池内，与所述电源电性连接，所述阴极包括至少一线状电极，所述线状电极相对所述晶棒的轴向垂直设置且与所述晶棒不接触；其中，所述晶棒位于所述晶棒支撑装置与所述阴极之间，通过所述线状电极与所述晶棒间的相对运动实现晶棒切片。根据本发明的晶棒切片装置和方法，有效减少了晶棒切割过程中的截口损失，同时，实现了非接触切割，有效避免了机械损伤、晶圆翘曲以及接触切割产生的污染。
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公开(公告)号：CN105428300B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201410472955.7
申请日：2014-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种吸附剥离制备绝缘体上材料的方法，包括以下步骤：提供一衬底，在其上依次外延掺杂单晶层、超晶格结构层及待转移层；然后进行离子注入，使离子注入到所述掺杂单晶层下表面以下预设深度；再提供一表面形成有绝缘层的基板，与待转移层键合形成键合片并进行退火处理，使掺杂层吸附离子形成微裂纹从下表面处剥离，得到绝缘体上材料。本发明利用掺杂层吸附剥离及键合来制备绝缘体上材料，其中，掺杂层由掺杂单晶层及非掺杂或低掺杂的超晶格结构层叠加而成；超晶格结构层可以增强掺杂单晶层的离子吸附能力，使得掺杂单晶层在低掺杂浓度下也可以发生吸附剥离，而低掺杂浓度可以降低掺杂离子扩散到待转移层中的几率，保证待转移层的质量。
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公开(公告)号：CN105060286B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201510532088.6
申请日：2015-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明提供一种褶皱状石墨烯的制备方法，包括：提供一催化基底，将所述催化基底放入生长腔室，往所述生长腔室通入碳源，并将所述催化基底加热至预设温度，在所述催化基底表面生长得到石墨烯；在非氧化性保护气氛下，调节降温速率，使所述石墨烯表面出现预设高度、宽度及密度的褶皱。本发明以催化基底例如半导体材料锗（体锗、绝缘体上锗、体硅上外延锗、三五族上外延锗等）为催化剂，通过气态或固态碳源在催化基底表面制备石墨烯，在非氧化性气氛保护下，调节降温速率(200℃/min‑1℃/min)，可以方便高效的控制制备的石墨烯表面褶皱的形貌（高度、宽度）及密度，制得的褶皱状石墨烯在传感器、柔性电子器件、生物等领域具有重要应用。
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公开(公告)号：CN104752308B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201310732416.8
申请日：2013-12-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种基于混合加热制备绝缘体上材料的方法，包括以下步骤：S1：提供一Si衬底，在所述Si衬底表面外延生长掺杂单晶薄膜；S2：接着再外延生长一待转移层；S3：从所述待转移层正面进行离子注入，使离子注入到所述掺杂单晶薄膜与所述Si衬底的界面以下预设深度；S4：提供表面具有绝缘层的基板与所述待转移层键合形成键合片，并在第一预设温度下退火并保持第一预设时间，以使所述掺杂单晶薄膜吸附离子并形成微裂纹；S5：再将所述键合片在第二预设温度下退火并保持第二预设时间，剥离得到绝缘体上材料；所述第一预设温度高于所述第二预设温度，所述第一预设时间小于所述第二预设时间。本发明可以减小制备周期，降低成本，且无需经过后续CMP处理。
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