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公开(公告)号：CN101143932A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710045150.4
申请日：2007-08-22
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种铁电聚合物分子空间排列可控的薄膜生长方法，该方法是利用朗格缪尔(LB)技术，溶剂采用二甲基亚砜(简称DMSO)，溶质采用聚合物P(VDF－TrFE)，其特征是：在利用朗格缪尔设备提拉过程中采用交替来回旋转一角度提拉的方式，使铁电聚合物P(VDF－TrFE)单分子空间排列可控，通过改变分子层之间的空间排列实现对铁电聚合物结构与性能的调控。
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公开(公告)号：CN1766158A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510029084.2
申请日：2005-08-25
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种低电阻率金属氧化物镍酸镧薄膜的制备方法，该方法是通过采用磁控溅射的方法沉积镍酸镧薄膜，然后对镍酸镧薄膜进行高压氧热处理得到低电阻率的导电金属氧化物镍酸镧薄膜。该方法的优点是得到的薄膜电阻率极低，有利于器件的铁电性能充分发挥，并可降低器件的工作电压。制备方法简单，生长的薄膜材料性能稳定、重复性好、成本低。薄膜材料的整个生长和后处理温度都低于硅读出电路的最高容忍温度450℃，因此用本发明方法制备的LNO薄膜材料作为铁电微器件的底电极可以和硅读出电路集成。
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公开(公告)号：CN1212268C
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200310108722.0
申请日：2003-11-20
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： C01B33/14 , C01B33/158
摘要： 本发明公开了一种二氧化硅气凝胶薄膜材料的制备方法，该方法是通过采用酸/碱两步催化的溶胶-凝胶工艺结合胶粒的有机硅烷化过程，并通过化学添加剂而实现的。本发明方法的最大优点是：配制的前驱体溶液性能稳定，可以存放9个月以上；制备的气凝胶薄膜成本低，有利于商业应用；制备的气凝胶薄膜孔洞率高，可用于集成器件的低介电常数绝缘层以及高效隔热层。
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公开(公告)号：CN1544324A
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN200310108722.0
申请日：2003-11-20
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： C01B33/14 , C01B33/158
摘要： 本发明公开了一种二氧化硅气凝胶薄膜材料的制备方法，该方法是通过采用酸/碱两步催化的溶胶－凝胶工艺结合胶粒的有机硅烷化过程，并通过化学添加剂而实现的。本发明方法的最大优点是：配制的前驱体溶液性能稳定，可以存放9个月以上；制备的气凝胶薄膜成本低，有利于商业应用；制备的气凝胶薄膜孔洞率高，可用于集成器件的低介电常数绝缘层以及高效隔热层。
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公开(公告)号：CN104362094A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410546700.0
申请日：2014-10-16
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66477 , H01L29/6684
摘要： 本发明公开一种调控铁磁性能的铁电场效应管的制备方法。该方法用激光脉冲沉积的方法以一定的参数生长表面平整结晶性较好的Lax(CaSr)(1-x)MnO3薄膜。然后采用光刻的方法刻蚀出所需的霍尔结构的形状，然后将有机铁电聚合物溶入二甲基亚砜溶液中，通过朗缪尔-布罗基特方法，逐层将有机铁电聚合物转移至刻有霍尔结构形状的Lax(CaSr)(1-x)MnO3衬底上，经过退火处理，去除界面残留溶剂及保证薄膜具有良好结晶特性。最后再通过光刻的方法生长栅电极从而制备完成铁电场效应晶体管器件，本发明方法工艺简单，为研究有机铁电聚合物调控铁磁薄膜的磁学性能提供了保证。
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公开(公告)号：CN102610758A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210073711.2
申请日：2012-03-19
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
CPC分类号： Y02E10/549
摘要： 本发明公开一种铁电隧道结室温红外探测器及制备方法。其特征在于，器件结构自下而上依次为是衬底、金属底电极、铁电功能层和半透金属上电极。器件制备步骤是在柔性薄膜衬底表面蒸发或溅射金属作为底电极，然后在底电极表面运用LB法生长厚度1-6纳米PVDF基聚合物薄膜作为铁电功能层，随后在铁电功能层上运用蒸发或溅射方法制备金属上电极形成铁电隧道结，最后减薄衬底。器件是通过通入微小恒定电流，光照下测量电极两端电压实现红外探测。该探测器具有根据应用环境和探测目标的需求温度系数大小与极性可调，无需对入射辐射调制等特性。
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公开(公告)号：CN101976697A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010284488.7
申请日：2010-09-17
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/0304
摘要： 本发明公开一种具有AlGaN吸收层的热释电紫外探测器，其特征在于，器件结构包括：一衬底；一AlGaN吸收层，该吸收层生长在衬底上；一介电绝缘层，该介电绝缘层为孔型，对电极部分进行电隔离；一底电极，该底电极生长在介电绝缘层及其开孔处；一热释电薄膜层，该热释电薄膜层生长在底电极上；一金属上电极，该金属上电极与下电极交叉成十字或丁字形状等，上下电极重合面积位于介电绝缘层开孔处，为热释电薄膜层功能区。本发明的器件结构利用AlGaN薄膜作为紫外吸收层，利用紫外光吸收-热传递-热释电响应的过程避免了高铝组分AlGaN欧姆接触制备的困难，实现了热释电器件的紫外响应，突破了热释电器件响应波段的限制。
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公开(公告)号：CN101777424A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010101878.6
申请日：2010-01-27
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明一种PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的光刻制备方法，其特征在于步骤如下：在衬底上利用热蒸发设备低温沉积金属底电极后在底电极上溅射生长二氧化硅或氮化硅介电绝缘层；光刻腐蚀二氧化硅或氮化硅介电绝缘层，形成PVDF有机聚合物薄膜功能区开孔；制备PVDF有机聚合物薄膜；在PVDF有机聚合物薄膜上低温沉积金属上电极；光刻腐蚀金属上电极；氧等离子体刻蚀去除非功能区PVDF有机聚合物薄膜及残余光刻胶；在金属上电极上热蒸发低温沉积包裹电极；光刻腐蚀去除多余包裹电极，完成PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的制备。本发明光刻制备方法提高了器件的稳定性和可靠性，使小面元、线列、面阵器件的制备及集成工艺成为可能。
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公开(公告)号：CN101752087A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN201010101879.0
申请日：2010-01-27
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开一种PVDF有机聚合物薄膜电容器，其特征在于，器件结构包括：一衬底；一金属底电极，该金属底电极生长在衬底上；一介电绝缘层，该介电绝缘层为孔型，将部分金属底电极包裹起来；一有机聚合物薄膜，该有机聚合物薄膜生长在介电绝缘层开孔处，面积略大于开孔面积；一金属上电极，该金属上电极生长在有机聚合物薄膜上；一包裹电极，该包裹电极生长在金属上电极上，将有机聚合物薄膜与金属上电极包裹起来。本发明的器件结构利用介电层隔离上下电极，并利用上电极作为PVDF薄膜光刻掩膜，最终利用包裹电极将PVDF有机聚合物薄膜侧面保护起来，方便后续传统工艺的实施，使其可与其他器件集成制备，不受传统工艺的限制。
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公开(公告)号：CN100524842C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200710041610.6
申请日：2007-06-04
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/09
摘要： 本发明公开了一种AlGaN/PZT紫外/红外双波段探测器，它利用复合探测材料AlGaN/PZT的双波段吸收特性，同时实现紫外光和红外光的探测。入射光束先经过AlGaN PIN结构，能量较高的紫外光被吸收，转化为紫外光电流；能量较低的红外光透过蓝宝石衬底，被PZT铁电薄膜吸收，形成的光电流通过铟柱倒焊接出。本发明的双波段探测器充分利用了不同材料的探测优势，实现了两个波段的同时探测；同时，此探测器工作于室温，简便易用。
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