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公开(公告)号：CN1210223C
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN03150823.5
申请日：2003-09-05
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： C04B35/491 , C04B35/622 , B32B7/02 , B32B18/00 , H01L27/00 , H05K1/02
摘要： 本发明提供了一种锆钛酸铅厚膜材料的制备方法，该方法包括前驱体溶液的配制，即将溶剂乙二醇甲醚、稳定剂乙酰丙酮和溶质醋酸铅、钛酸四丁酯和四正丁氧基锆以1.0M的浓度，在无水系统下配制成均匀稳定的前驱体溶液。然后在SrTiO3基片上进行匀胶得到干膜，并在快速热退火炉中分段升温进行热处理，得到所需厚度的锆钛酸铅(简称PZT)厚膜材料。本发明通过将每层凝胶膜热处理后的厚度控制在120纳米，实现单一(001)取向的异质外延薄膜，从而形成厚度达3微米的厚膜材料。本发明的厚膜材料可适于光波导器件，微电子机械系统(MEMS)器件等方面的应用。
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公开(公告)号：CN1171080C
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN02136155.X
申请日：2002-07-23
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 发明公开了一种用于热释电薄膜材料热释电系数的测量装置及方法。其特征在于：本发明利用了电压法中以正弦函数周期调制样品温度的方法和电流法中利用通用仪器直接测量热释电电流的优点及数字化低频锁相放大器的应用技术，设计一套简便易行的高灵敏度热释电薄膜材料的热释电系数测量装置及方法。测量装置包括：样品台，控制样品台温度的控温电源，温度传感器，恒流源，测量样品的热释电电流的静电计及锁相放大器。本发明的测量装置最大优点是结构简单，数据处理简便，所得信号由锁相放大器处理，测量灵敏度可提高1-2个量级。
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公开(公告)号：CN1152439C
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN01139083.2
申请日：2001-12-07
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L41/24 , H01L41/187 , C04B41/87
摘要： 本发明提供了一种镍酸镧导电金属氧化物薄膜材料的制备方法，该方法包括：前驱体溶液的配制，即将溶剂醋酸、去离子水和添加剂甲酰胺与溶质醋酸镍、硝酸镧以0.3M的浓度在一定的温度下混合得到前驱体溶液和薄膜材料的制备，即将配制好的前驱体溶液采用旋转镀膜方式在基片上得到凝胶膜，然后在快速退火炉中分段进行热处理，形成薄膜材料。用该方法得到的薄膜具有高度的择优取向和良好的金属特性，在室温下的电阻率约为7.6×10-4Ωcm。用该薄膜可在其上制备出高质量的铁电薄膜材料或可作为铁电薄膜器件的底电极。
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公开(公告)号：CN1210438C
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN01112710.4
申请日：2001-04-25
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明提供了一种镧锶钴氧导电薄膜材料的制备方法，该方法包括先驱体溶液的配制，即将溶剂醋酸、去离子水、乙酰丙酮和溶质醋酸镧、醋酸锶和醋酸钴以0.2-0.4M的浓度在一定的温度下混合和将配制好的先驱体溶液用匀胶机甩开得到干膜，然后在快速热退火炉中分段升温进行热处理，得到所需厚度的LSCO薄膜材料。该薄膜性能优良，电阻率值为0.95mΩ·cm，晶粒尺寸为50～100nm，表面粗糙度为2.7nm，用该薄膜做铁电存储器的电极经标准铁电测量系统测试，3×109次翻转后不显示疲劳。表明此薄膜材料适合做铁电存储器的电极。
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公开(公告)号：CN1391100A
公开(公告)日：2003-01-15
申请号：CN02136155.X
申请日：2002-07-23
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 发明公开了一种用于热释电薄膜材料热释电系数的测量装置及方法。其特征在于：本发明利用了电压法中以正弦函数周期调制样品温度的方法和电流法中利用通用仪器直接测量热释电电流的优点及数字化低频锁相放大器的应用技术，设计一套简便易行的高灵敏度热释电薄膜材料的热释电系数测量装置及方法。测量装置包括：样品台，控制样品台温度的控温电源，温度传感器，恒流源，测量样品的热释电电流的静电计及锁相放大器。本发明的测量装置最大优点是结构简单，数据处理简便，所得信号由锁相放大器处理，测量灵敏度可提高1－2个量级。
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公开(公告)号：CN1212268C
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200310108722.0
申请日：2003-11-20
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： C01B33/14 , C01B33/158
摘要： 本发明公开了一种二氧化硅气凝胶薄膜材料的制备方法，该方法是通过采用酸/碱两步催化的溶胶-凝胶工艺结合胶粒的有机硅烷化过程，并通过化学添加剂而实现的。本发明方法的最大优点是：配制的前驱体溶液性能稳定，可以存放9个月以上；制备的气凝胶薄膜成本低，有利于商业应用；制备的气凝胶薄膜孔洞率高，可用于集成器件的低介电常数绝缘层以及高效隔热层。
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公开(公告)号：CN1544324A
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN200310108722.0
申请日：2003-11-20
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： C01B33/14 , C01B33/158
摘要： 本发明公开了一种二氧化硅气凝胶薄膜材料的制备方法，该方法是通过采用酸/碱两步催化的溶胶－凝胶工艺结合胶粒的有机硅烷化过程，并通过化学添加剂而实现的。本发明方法的最大优点是：配制的前驱体溶液性能稳定，可以存放9个月以上；制备的气凝胶薄膜成本低，有利于商业应用；制备的气凝胶薄膜孔洞率高，可用于集成器件的低介电常数绝缘层以及高效隔热层。
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公开(公告)号：CN1362749A
公开(公告)日：2002-08-07
申请号：CN01139083.2
申请日：2001-12-07
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L41/24 , H01L41/187 , C04B41/87
摘要： 本发明提供了一种镍酸镧导电金属氧化物薄膜材料的制备方法,该方法包括:前驱体溶液的配制,即将溶剂醋酸、去离子水和添加剂甲酰胺与溶质醋酸镍、硝酸镧以0.3M的浓度在一定的温度下混合得到前驱体溶液和薄膜材料的制备,即将配制好的前驱体溶液采用旋转镀膜方式在基片上得到凝胶膜,然后在快速退火炉中分段进行热处理,形成薄膜材料。用该方法得到的薄膜具有高度的择优取向和良好的金属特性,在室温下的电阻率约为7.6×10－4Ωcm。用该薄膜可在其上制备出高质量的铁电薄膜材料或可作为铁电薄膜器件的底电极。
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公开(公告)号：CN1522985A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN03150823.5
申请日：2003-09-05
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： C04B35/491 , C04B35/622 , B32B7/02 , B32B18/00 , H01L27/00 , H05K1/02
摘要： 本发明提供了一种锆钛酸铅厚膜材料的制备方法，该方法包括前驱体溶液的配制，即将溶剂乙二醇甲醚、稳定剂乙酰丙酮和溶质醋酸铅、钛酸四丁酯和四正丁氧基锆以1.0M的浓度，在无水系统下配制成均匀稳定的前驱体溶液。然后在SrTiO3基片上进行匀胶得到干膜，并在快速热退火炉中分段升温进行热处理，得到所需厚度的锆钛酸铅(简称PZT)厚膜材料。本发明通过将每层凝胶膜热处理后的厚度控制在120纳米，实现单一(001)取向的异质外延薄膜，从而形成厚度达3微米的厚膜材料。本发明的厚膜材料可适于光波导器件，微电子机械系统(MEMS)器件等方面的应用。
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公开(公告)号：CN1327085A
公开(公告)日：2001-12-19
申请号：CN01112710.4
申请日：2001-04-25
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明提供了一种镧锶钴氧导电薄膜材料的制备方法,该方法包括先驱体溶液的配制,即将溶剂醋酸、去离子水、乙酰丙酮和溶质醋酸镧、醋酸锶和醋酸钴以0.2－0.4M的浓度在一定的温度下混合和将配制好的先驱体溶液用匀胶机甩开得到干膜,然后在快速热退火炉中分段升温进行热处理,得到所需厚度的LSCO薄膜材料。该薄膜性能优良,电阻率值为0.95mΩ·cm,晶粒尺寸为50～100nm,表面粗糙度为2.7nm,用该薄膜做铁电存储器的电极经标准铁电测量系统测试,3×109次翻转后不显示疲劳。表明此薄膜材料适合做铁电存储器的电极。
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