公开(公告)号：CN105097919A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201410203559.4

申请日：2014-05-14

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 彭坤

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

摘要： 本申请提供了一种半浮栅晶体管结构及其制作方法。该半浮栅晶体管结构包括：衬底，具有相互隔离的第一N阱区和第二N阱区；栅氧化层，设置在衬底的表面上，具有间隔槽，间隔槽设置在第一N阱区所在衬底的表面上；浮栅，设置在衬底的表面上，且内部掺杂有P型杂质离子，浮栅包括：第一浮栅部，充满间隔槽设置；第二浮栅部，与第一浮栅部一体设置，且设置在第一浮栅部以及裸露的栅氧化层的表面上。掺杂有P型杂质离子的浮栅形成pn结二极管且位于衬底的表面以上，因此不需要对衬底进行刻蚀，避免由于刻蚀衬底导致的晶格结构破坏、半浮栅晶体管的漏电流和功耗增加的问题。

公开(公告)号：CN106298494B

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201510354799.9

申请日：2015-06-24

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 赵连国 ,  彭坤 ,  呼翔 ,  王海莲 ,  陈文甫 ,  罗登贵 ,  王峰 ,  朱建校 ,  徐培明

IPC分类号： H01L21/306

摘要： 本发明提供一种多晶硅刻蚀方法，包括以下步骤：S1：在多晶硅层表面形成SiN层，并刻蚀所述SiN层使其图形化，得到SiN硬掩膜层；S2：在所述SiN硬掩膜层周围未被刻蚀彻底的SiN残留颗粒与所述多晶硅层之间形成氧化层；S3：采用湿法腐蚀去除所述氧化层，使所述SiN残留颗粒因悬空而脱离所述多晶硅层；S4：以所述SiN硬掩膜层作为掩模对所述多晶硅层进行刻蚀。本发明避免了因氮化硅残留颗粒的遮挡阻碍后续多晶硅刻蚀，极大地降低了多晶硅残留缺陷的产生。本发明的多晶硅刻蚀方法无需增加光刻次数，对后续工艺几乎没有影响，并且成功避免了使用传统DARC作为硬掩膜的不足，也成功减少了SiN作为硬掩膜带来的多晶硅残留缺陷，可以有效提高产品良率。

公开(公告)号：CN110350031A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201810283071.5

申请日：2018-04-02

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

发明人： 杨震 ,  赵国旭 ,  彭坤 ,  赵磊 ,  周川淼

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供了一种LDMOS器件，包括漏极、漂移区、场氧化层，所述漂移区的部分区域被所述场氧化层覆盖，所述漏极设置在所述漂移区内，所述LDMOS器件还包括导体板，所述导体板一部分设置在所述场氧化层上，并至少还有一部分沿接近所述漏极的方向延伸至所述漂移区上，所述导体板与所述漏极间设置有将两者相隔离的电介质层，所述漏极与所述导体板构成第一寄生电容，所述导体板与所述漂移区间设置有将两者相隔离的电介质层，所述导体板与所述漂移区构成第二寄生电容，所述第一寄生电容与所述第二寄生电容串联设置。本发明还提供了一种LDMOS器件制造工艺。

公开(公告)号：CN105097919B

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201410203559.4

申请日：2014-05-14

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 彭坤

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

摘要： 本申请提供了种半浮栅晶体管结构及其制作方法。该半浮栅晶体管结构包括:衬底,具有相互隔离的第N阱区和第二N阱区;栅氧化层,设置在衬底的表面上,具有间隔槽,间隔槽设置在第N阱区所在衬底的表面上;浮栅,设置在衬底的表面上,且内部掺杂有P型杂质离子,浮栅包括:第浮栅部,充满间隔槽设置;第二浮栅部,与第浮栅部体设置,且设置在第浮栅部以及裸露的栅氧化层的表面上。掺杂有P型杂质离子的浮栅形成pn结二极管且位于衬底的表面以上,因此不需要对衬底进行刻蚀,避免由于刻蚀衬底导致的晶格结构破坏、半浮栅晶体管的漏电流和功耗增加的问题。

公开(公告)号：CN105895582A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201510039555.1

申请日：2015-01-26

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 呼翔 ,  彭坤 ,  陈文甫 ,  赵连国 ,  王海莲 ,  王峰 ,  李磊 ,  吴亮

IPC分类号： H01L21/78

摘要： 本申请公开了一种芯片切割方法，其包括以下步骤：在待切割晶圆上选定欲切割区；去除欲切割区表面上的钝化层以形成划片槽；以及沿划片槽切割待切割晶圆。该芯片切割方法中，在对待切割晶圆进行切割的步骤之前，先去除了欲切割区上的钝化层。钝化层往往具有较高的应力，且厚度较厚。在切割之前去除这层高应力层，能够降低后期的切割难度，使形成的划片槽更容易被切开。同时，去除这层高应力层，能够改善欲切割区中各层的应力不均匀性问题，使得后期切割的过程中，欲切割区的受力更加均衡，从而能够促使划片槽中产生的微裂纹更加均匀，有利于提高切割痕迹的平整性。以上各方面的因素均能够改善芯片的切割效果，提高芯片的良品率。

公开(公告)号：CN105514107A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201410487435.3

申请日：2014-09-22

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 彭坤

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L29/792 ,  H01L21/8247

摘要： 本发明公开了一种非易失性存储器及其制作方法。该非易失性存储器包括：衬底；栅极结构，包括依次设置于衬底上的隧穿介质层、捕获电荷层、顶部介质层和栅极材料层；源极和漏极，设置于栅极结构的两侧的衬底中，且源极和漏极的导电类型与衬底的导电类型相反；掺杂半导体层，设置于漏极中并与捕获电荷层相连，且掺杂半导体层的导电类型与漏极的导电类型相反。本发明利用掺杂半导体层的能带宽度明显小于隧穿介质层的能带宽度的性质，从而在捕获电荷层和衬底之间形成隧穿通道以使电子能够通过隧穿通道发生隧穿，进而减少了非易失性存储器的工作电压，并进一步提高了非易失性存储器的读写速度。

公开(公告)号：CN104576343A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201310520215.1

申请日：2013-10-29

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 张洪强 ,  彭坤 ,  赵连国 ,  王峰 ,  王海莲 ,  李磊 ,  呼翔

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28158

摘要： 本发明提供了一种栅极氧化层的制造方法，包括：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一栅极氧化层；在所述第一栅极氧化层上涂布光刻胶并进行光刻和湿法刻蚀，形成开口；利用药液SPM去除所述第一栅极氧化层上的光刻胶；利用药液SC1去除所述开口上的寄生氧化层；在所述开口上形成第二栅极氧化层。在本发明提供的栅极氧化层的制造方法中，在药液SPM去除光刻胶之后，再通过药液SC1去除由于药液SPM去除光刻胶时所生成的寄生氧化层，从而保证了薄型栅极氧化层的厚度均匀性。

公开(公告)号：CN101651142A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200810041708.6

申请日：2008-08-14

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 彭坤 ,  韩启成 ,  陈晓军

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/8242

摘要： 本发明提供一种电容支撑结构、电容器结构及其制作方法，用于解决传统DRAM存储单元电容器电容极板易倒塌问题。该电容支撑结构包括依次位于层间绝缘层上的第一阻挡层，中间介质层和第二阻挡层；贯通所述第二阻挡层，中间介质层和第一阻挡层的电容沟槽，该电容沟槽内用于形成电容器。电容器极板位于电容沟槽侧壁和底部，且高于电容沟槽表面。该电容支撑结构握住电容沟槽中的电容器极板，对电容器极板可起到支撑作用，从而可有效解决传统电容器极板在去除模具层后，电容器极板易倒塌的问题。

公开(公告)号：CN101635278A

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200810040858.5

申请日：2008-07-22

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 彭坤

IPC分类号： H01L21/8242 ,  H01L21/266

摘要： 本发明涉及一种DRAM中存储单元的离子掺杂方法，该存储单元具有制作于硅基底内的有源区，位于硅基底有源区表面的若干掺杂结构字线。该方法包括以下步骤：1：氧化掺杂结构字线表面，侧壁及相邻掺杂结构字线之间的硅基底表面；2：在已氧化的掺杂结构字线表面及已氧化的硅基底表面涂覆光阻；3：预进行掺杂的位于掺杂结构字线之间的已氧化的硅基底表面的光阻；4：将预掺杂离子注入步骤3中已去除光阻的掺杂结构字线之间的硅基底内有源区。本发明通过在涂敷光阻之前对存储单元表面进行直接氧化，提高其与光阻的粘附性和光阻的均匀性，解决传统掺杂方法中光阻与存储单元表面粘附性差问题，及因粘附性差导致DRAM刷新时间降低的问题。