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公开(公告)号：CN106298494B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201510354799.9
申请日：2015-06-24
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/306
摘要： 本发明提供一种多晶硅刻蚀方法，包括以下步骤：S1：在多晶硅层表面形成SiN层，并刻蚀所述SiN层使其图形化，得到SiN硬掩膜层；S2：在所述SiN硬掩膜层周围未被刻蚀彻底的SiN残留颗粒与所述多晶硅层之间形成氧化层；S3：采用湿法腐蚀去除所述氧化层，使所述SiN残留颗粒因悬空而脱离所述多晶硅层；S4：以所述SiN硬掩膜层作为掩模对所述多晶硅层进行刻蚀。本发明避免了因氮化硅残留颗粒的遮挡阻碍后续多晶硅刻蚀，极大地降低了多晶硅残留缺陷的产生。本发明的多晶硅刻蚀方法无需增加光刻次数，对后续工艺几乎没有影响，并且成功避免了使用传统DARC作为硬掩膜的不足，也成功减少了SiN作为硬掩膜带来的多晶硅残留缺陷，可以有效提高产品良率。
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公开(公告)号：CN107706104A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201610642239.8
申请日：2016-08-08
IPC分类号： H01L21/311 , H01L27/11568
CPC分类号： H01L21/31144 , H01L21/31111 , H01L27/115
摘要： 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法。所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成待刻蚀材料层，所述待刻蚀材料层包括第一材料层和位于所述第一材料层下方的第二材料层；在所述待刻蚀材料层上形成具有第一窗口的掩膜层，所述第一窗口具有第一宽度，所述第一宽度小于所述待刻蚀材料层的预定刻蚀宽度；刻蚀所述第一材料层，以在所述第一材料层中形成第二窗口，所述第二窗口的宽度等于所述第一宽度；采用湿法刻蚀刻蚀所述第二材料层；去除所述掩膜层；以及对所述第一材料层进行湿法刻蚀，以使得所述第二窗口的宽度等于所述预定刻蚀宽度。该方法可以避免由于待刻蚀材料层中的端切现象而导致半导体器件失效。
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公开(公告)号：CN106298494A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510354799.9
申请日：2015-06-24
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/30604
摘要： 本发明提供一种多晶硅刻蚀方法，包括以下步骤：S1：在多晶硅层表面形成SiN层，并刻蚀所述SiN层使其图形化，得到SiN硬掩膜层；S2：在所述SiN硬掩膜层周围未被刻蚀彻底的SiN残留颗粒与所述多晶硅层之间形成氧化层；S3：采用湿法腐蚀去除所述氧化层，使所述SiN残留颗粒因悬空而脱离所述多晶硅层；S4：以所述SiN硬掩膜层作为掩模对所述多晶硅层进行刻蚀。本发明避免了因氮化硅残留颗粒的遮挡阻碍后续多晶硅刻蚀，极大地降低了多晶硅残留缺陷的产生。本发明的多晶硅刻蚀方法无需增加光刻次数，对后续工艺几乎没有影响，并且成功避免了使用传统DARC作为硬掩膜的不足，也成功减少了SiN作为硬掩膜带来的多晶硅残留缺陷，可以有效提高产品良率。
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