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公开(公告)号：CN106856142A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201510907939.0
申请日：2015-12-09
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
CPC classification number: H01F27/2847 , H01F27/2852 , H01F27/29 , H01F41/00 , H01F41/04 , H01F41/12
Abstract: 一种电感结构及其制作方法，电感结构，包括：底部环状金属层，包括相连接的第一接口、第一金属体层和第二接口；位于底部环状金属层层上方的中间金属层，包括相连接的第三接口、第二金属体层和第四接口，所述第二金属体层从第三接口呈螺旋环状延伸至第三接口，其中所述第三接口位于螺旋环内，第三接口与第二接口电连接，第四接口作为电感结构的输出端；位于中间金属层层上方的顶部环状金属层，包括相连接的第五接口、第三金属体层和第六接口，所述第六接口与中间金属层的第三接口电连接，所述第五接口与底部环状金属层的第一接口电连接一起作为电感结构的输入端。本发明的电感结构在保证品质因子，减小占据的面积，并保证电感电性的对称性能。
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公开(公告)号：CN104103630B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310113669.7
申请日：2013-04-02
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L23/58 , H01L23/64
Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的接地环；位于半导体衬底表面的接地屏蔽结构，所述接地环包围所述接地屏蔽结构，所述接地屏蔽结构包括若干同心导电环、以及沿所述导电环的半径方向贯穿若干导电环的导电线，且所述导电线和接地环电连接，所述若干导电环均具有若干开口，且相邻导电环的开口交错设置；位于所述半导体衬底、接地环和接地屏蔽结构表面的介质层，所述介质层包围所述接地环和接地屏蔽结构；位于介质层表面的半导体器件。本发明的半导体器件能够提高屏蔽能力、减少衬底损耗，提高半导体器件性能。
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公开(公告)号：CN103474414B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201210184945.4
申请日：2012-06-06
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/02
CPC classification number: H01L28/10 , H01L23/5227 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种电感及其形成方法，其中，所述电感包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的第一介质层；位于所述第一介质层表面的第一平面螺旋线圈，所述第一平面螺旋线圈包括最外圈金属线、以及与最外圈金属线一端连接的内圈金属线，其中，所述内圈金属线包括至少2根相互隔离的子金属线，所述子金属线的一端分别与最外圈金属线连接；位于所述第一介质层表面的第一接触层，所述最外圈金属线的另一端与所述第一接触层连接。所述电感的品质因数Q提高，性能良好。
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公开(公告)号：CN104810349A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201410035674.5
申请日：2014-01-24
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/522 , H01F17/00 , H01F27/28
Abstract: 本发明提供一种差分电感器，至少包括：第一端口、第二端口及底层线圈；所述底层线圈的内外圈金属线圈之间通过若干第一斜线连接件以交叉方式连接；所述底层线圈的最外圈金属线圈正上方形成有一圈顶层金属线圈；所述顶层金属线圈通过所述第一端口、第二端口、及若干触点与所述底层线圈以并联方式连接；所述顶层金属线圈与所述底层线圈之间仅最外圈金属线圈堆叠并共用所述底层线圈中除最外圈金属线圈以外的所有的金属线圈。本发明的电感器中顶层线圈与底层线圈之间并联且仅最外层金属线圈堆叠，减少了耦合电容；同时连接处厚度增加，提高了线圈通电能力并降低损耗；二者共同作用，可以整体提升电感器Q值超过15%。
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公开(公告)号：CN103794592A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201210425591.8
申请日：2012-10-30
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/522 , H01F17/00
CPC classification number: H01L23/5227 , H01L23/5225 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L28/10 , H01L2223/6655 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种具有接地屏蔽结构的半导体器件。所述接地屏蔽结构包括：衬底；位于衬底表面的接地环；位于衬底表面、被接地环包围的接地屏蔽结构，其中，所述接地屏蔽结构包括：多个同轴的导电环及沿导电环的半径方向贯穿多个导电环的金属线，且金属线与接地环电连接；位于所述接地屏蔽结构和电子器件之间的；位于绝缘层上的电子器件。所述接地屏蔽结构能够有效降低电子器件的衬底损耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103474415A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201210184958.1
申请日：2012-06-06
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/02
CPC classification number: H01L28/10 , H01L21/76897 , H01L23/5227 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种电感及其形成方法，其中，电感包括：半导体衬底；位于半导体衬底上方重叠设置的第一平面螺旋线圈、第二平面螺旋线圈和第三平面螺旋线圈，包括最外圈金属线、以及与最外圈金属线连接的内圈金属线，其中，内圈金属线包括至少2根相互隔离的子金属线，子金属线的一端分别与最外圈金属线连接，最外圈金属线的另一端与第一接触层连接；第一导电栓塞两端分别连接第一平面螺旋线圈和第二平面螺旋线圈内圈的子金属线的一端连接；第二导电栓塞两端分别连接第二平面螺旋线圈和第三平面螺旋线圈内圈的子金属线的一端连接；第一导电栓塞与第二导电栓塞连接；第一平面螺旋线圈和和第三平面螺旋线圈的最外圈金属线的一端连接。所述电感的品质因数Q提高。
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公开(公告)号：CN101834134B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200910047438.4
申请日：2009-03-12
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/329 , H01L29/94 , H01L29/06
Abstract: 本发明中公开了一种提高金属-氧化物半导体变容二极管的品质因子的方法，该方法包括：减小金属-氧化物半导体变容二极管中栅极到阱边缘的距离和/或增大金属-氧化物半导体变容二极管中栅极到有源区域边缘的距离，以提高金属-氧化物半导体变容二极管的品质因子。通过使用上述的提高金属-氧化物半导体变容二极管的品质因子的方法，可有效地提高金属-氧化物半导体变容二极管的品质因子。
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公开(公告)号：CN101819863A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200910046711.1
申请日：2009-02-26
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 本发明中公开了一种电感器，该电感器包括：半导体衬底、至少一层金属层、电感线圈和用于隔绝基底噪声的保护环；所述电感线圈，设置于所述电感器的顶层的金属层中；所述保护环的侧壁的底部设置于所述半导体衬底之上，所述保护环的侧壁的顶部通过通孔与所述电感器的第一金属层连接，且所述保护环的侧壁环绕于所述电感线圈在所述半导体衬底上的垂直投影的四周。本发明中还公开一种提高电感器的品质因子的方法。通过使用上述的电感器和提高电感器的品质因子的方法，可有效地提高电感器的品质因子，改善半导体元器件的电学性能。
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公开(公告)号：CN109428141B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201710769641.7
申请日：2017-08-31
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: H01P5/10
Abstract: 本申请公开了一种平衡非平衡转换器，涉及半导体技术领域。平衡非平衡转换器包括第一螺旋线圈和第二螺旋线圈。第一螺旋线圈包括：多圈第一金属线；位于多圈第一金属线上方的第二金属线，通过导电栓塞与最内圈的第一金属线连接。第二螺旋线圈包括：多圈第三金属线，相邻的第三金属线被一圈第一金属线隔开；多圈第四金属线，位于多圈第三金属线上方，每圈第四金属线通过导电栓塞与一圈第三金属线连接，相对靠外圈的第四金属线与相对靠外圈的第三金属线连接，相对靠内圈的第四金属线与相对靠内圈的第三金属线连接。第二金属线与最内圈的第一金属线在上下方向上不交叠，多圈第四金属线中的至少一圈第四金属线和与该第四金属线连接的第三金属线在上下方向上不交叠。
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公开(公告)号：CN112086429A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201910510660.7
申请日：2019-06-13
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/552 , H01L23/64
Abstract: 一种电感结构及其形成方法，包括：基底，所述基底表面具有接地端；位于基底上的屏蔽结构，所述屏蔽结构包括：若干层重叠的屏蔽层，位于最底层的屏蔽层与所述接地端电连接，相邻两层所述屏蔽层相互电连接，每一层所述屏蔽层包括并联线圈组以及包围所述并联线圈组的串联线圈组，所述并联线圈组包括平行排列且呈同心分布的若干第一导线，所述串联线圈组包括平行排列且呈同心分布的若干第二导线，且每一层所述屏蔽层包括若干线圈区，相邻线圈区内的第一导线相互分立，相邻线圈区内的第二导线相互分立，且每一个线圈区内的若干第一导线并联，每一个线圈区内的若干第二导线串联；位于所述屏蔽结构上的电感层。所述电感结构的性能得到提高。
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