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公开(公告)号：CN106574393A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580039728.8
申请日：2015-07-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/04 , B23B27/14 , B23B27/20 , B24B53/047 , C23C16/27
Abstract: 在单晶金刚石(20)的晶体生长主表面(20m)的X射线形貌照片中，晶体缺陷点(20dp)的组聚集而存在，各个晶体缺陷点(20dp)是到达所述晶体生长主表面(20m)的晶体缺陷线(20dq)的前端点，所述晶体缺陷线(20dq)表示其中存在晶体缺陷(20d)的线。此外，在所述单晶金刚石(20)中，平行存在多个晶体缺陷线状聚集区域(20r)。在所述多个晶体缺陷线状聚集区域(20r)中，晶体缺陷点(20dp)的组聚集并在相对于一个任意规定方向成30°以内的角的方向上以线状延伸。由此，提供一种单晶金刚石，所述单晶金刚石适合用于切削工具、抛光工具、光学部件、电子部件、半导体材料等。
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公开(公告)号：CN104395508B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201380034864.9
申请日：2013-06-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B25/186 , B23B27/148 , B23B2226/31 , C30B25/20 , C30B29/04 , C30B30/00 , C30B31/22 , Y10T407/24 , Y10T428/30
Abstract: 根据本发明的金刚石单晶是利用化学气相合成法合成且对波长为350nm的光具有25cm-1以上且80cm-1以下的吸收系数的金刚石单晶。根据本发明的制造金刚石单晶的方法包括：将碳以外的离子注入至金刚石单晶籽晶基板的主面中，从而降低波长为800nm的光的透射率，所述主面相对于{100}面具有7°以下的偏角，并在气相中含碳分子的数目NC对氢分子的数目NH的比NC/NH为10％以上且40％以下，气相中氮分子的数目NN对含碳分子的数目NC的比NN/NC为0.1％以上且10％以下，且籽晶基板温度T为850℃以上且小于1000℃的合成条件下，利用化学气相合成法在所述籽晶基板的离子注入后的主面上均相外延生长金刚石单晶。
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公开(公告)号：CN105088339A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510229309.2
申请日：2015-05-07
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: B24D18/0009 , B24D3/008 , C01B32/25 , C04B35/52 , C04B35/645 , C04B2235/425 , C04B2235/427 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/76 , C04B2235/785 , C04B2235/96
Abstract: 本发明提供了一种包含金刚石颗粒的多晶金刚石体。所述金刚石颗粒的平均粒径为50nm或更小。在23℃±5℃、4.9N的测试负荷下的努氏硬度测定中，所述多晶金刚石体的努氏压痕的对角线中较短对角线的长度B与较长对角线的长度A的比值为0.080或更小，其中该比值表示为比值B/A。该多晶金刚石体具有韧性且具有小粒径。本发明还提供了一种切削工具、耐磨工具、磨削工具，以及用于制造多晶金刚石体的方法。
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公开(公告)号：CN104837765A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201380063645.3
申请日：2013-12-05
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C04B35/52 , B01J3/062 , B01J2203/061 , B01J2203/0655 , B21C3/025 , C01B32/25 , C04B35/62805 , C04B35/62818 , C04B35/62842 , C04B35/6286 , C04B35/62878 , C04B35/645 , C04B2235/3241 , C04B2235/3256 , C04B2235/3262 , C04B2235/34 , C04B2235/3409 , C04B2235/3817 , C04B2235/3821 , C04B2235/3839 , C04B2235/40 , C04B2235/404 , C04B2235/42 , C04B2235/421 , C04B2235/425 , C04B2235/72 , C04B2235/785 , C04B2235/85 , C04B2235/96 , C22C26/00 , C23C14/0635 , C23C14/08 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供了一种金刚石多晶体，在涉及滑动的应用中，与常规金刚石多晶体相比其寿命更长。本发明还提供制造所述金刚石多晶体的方法和工具。在该金刚石多晶体(2)中，添加有至少一种这样的元素，该元素的氧化物的熔点小于或等于1000℃，并且平均晶粒直径小于或等于500nm。由此减少了金刚石的磨损，结果在涉及滑动的应用中具有更长的使用寿命。
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公开(公告)号：CN103717530A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201280037943.0
申请日：2012-07-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C01B31/06
CPC classification number: C04B35/52 , B01J3/062 , B01J2203/061 , B01J2203/0655 , C01B32/25 , C04B2235/42 , C04B2235/427 , Y10T428/2982
Abstract: 纳米多晶金刚石(1)包含碳、以原子水平遍及分散在碳中的方式添加的非碳外来元素(3)、以及不可避免的杂质。所述多晶金刚石的晶粒尺寸为500nm以下，并且可以通过在高压压制装置中对石墨进行热处理来制造，其中所述石墨中添加了非碳外来元素从而以原子水平遍及分散在碳中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101228095B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200680026569.9
申请日：2006-07-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 角谷均
Abstract: 本发明提供一种可用于切削工具、整形器、模具和其它加工工具以及挖掘钻头等的具有足够的强度、硬度和耐热性并且致密而匀质的多晶金刚石，以及具有由该多晶金刚石形成的切削刃的切削工具。该多晶金刚石基本上只由金刚石构成，并且是在超高压和超高温以及在不使用烧结助剂或催化剂的条件下、由含有非金刚石型碳物质的原料组合物直接转化成金刚石并进行烧结而形成的，其中所述多晶金刚石具有这样的混合显微组织，该混合显微组织包含最大粒径为100nm以下且平均粒径为50nm以下的金刚石细晶粒以及粒径为50nm-10,000nm的片状或者颗粒状的金刚石粗晶粒。
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公开(公告)号：CN101228095A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200680026569.9
申请日：2006-07-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 角谷均
Abstract: 本发明提供一种可用于切削工具、整形器、模具和其它加工工具以及挖掘钻头等的具有足够的强度、硬度和耐热性并且致密而匀质的多晶金刚石，以及具有由该多晶金刚石形成的切削刃的切削工具。该多晶金刚石基本上只由金刚石构成，并且是在超高压和超高温以及在不使用烧结助剂或催化剂的条件下、由含有非金刚石型碳物质的原料组合物直接转化成金刚石并进行烧结而形成的，其中所述多晶金刚石具有这样的混合显微组织，该混合显微组织包含最大粒径为100nm以下且平均粒径为50nm以下的金刚石细晶粒以及粒径为50nm－10,000nm的片状或者颗粒状的金刚石粗晶粒。
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公开(公告)号：CN118235035A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202280073685.5
申请日：2022-10-13
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: G01N3/56
Abstract: 一种接触件，是由包括多个金刚石颗粒的多晶金刚石构成的圆环状的接触件，构成为旋转轴贯通其中心，具备：第一部分，在径向上具有恒定的厚度，包括内端部；以及第二部分，在径向上具有减少的厚度，包括外端部，所述第二部分具有：第一面，与所述第一部分的上表面连续；第二面，与所述第一部分的下表面连续；以及连接面，连接所述第一面与所述第二面，包括所述外端部，在沿所述旋转轴的截面中，表示所述第一面的第一线段和表示所述第二面的第二线段所成的角度θ为100°以上且150°以下，作为所述第一面和所述连接面的边界的第一边界部与作为所述第二面和所述连接面的边界的第二边界部之间的长度为1μm以上且10μm以下，从所述旋转轴到所述外端部的长度为1mm以上且10mm以下，所述多个金刚石颗粒的平均粒径为0.1μm以上且100μm以下。
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公开(公告)号：CN116997689A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202280020013.8
申请日：2022-03-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/04
Abstract: 一种单晶金刚石，其中，X射线衍射摇摆曲线的半值宽度为20秒以下，拉曼分光光谱的拉曼位移为1332cm‑1以上且1333cm‑1以下的峰的半值宽度为2.0cm‑1以下，蚀坑密度为10000个/cm2以下，氮的原子数基准的含有率为0.0001ppm以上且0.1ppm以下，13C的原子数基准的含有率小于0.01％。
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公开(公告)号：CN116964258A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202280020017.6
申请日：2022-03-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/04
Abstract: 一种单晶金刚石，其中，X射线衍射摇摆曲线的半值宽度为20秒以下，拉曼分光光谱的拉曼位移为1332cm‑1以上且1333cm‑1以下的峰的半值宽度为2.0cm‑1以下，蚀坑密度为10000个/cm2以下，氮的原子数基准的含有率为0.0001ppm以上且0.1ppm以下，13C的原子数基准的含有率为0.01％以上且1.0％以下。
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