公开(公告)号：CN102575160B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201080038773.9

申请日：2010-08-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 大桥良太 ,  安居伸浩 ,  田透

IPC: C09K11/62

CPC classification number: C09K11/628

Abstract: 闪烁体材料含有通式[Cs1-zRbz][I1-x-yBrxCly]:In所示的化合物。通式中，x、y和z满足下述条件(1)、(2)和(3)的任一个。(1)0＜x+y＜1并且z＝0时，满足数学式1和数学式2的至少一个。(2)0＜x+y＜1并且0＜z＜1时，满足数学式3和0＜y＜1的至少一个。(3)x＝y＝0时，满足关系0＜z＜1。铟(In)的含量为0.00010摩尔％-1.0摩尔％，相对于[Cs1-zRbz][I1-x-yBrxCly]。[数学式1]0＜x≤0.7[数学式2]0＜y≤0.8[数学式3]0＜x≤0.8。

公开(公告)号：CN102725658B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201180007022.5

申请日：2011-01-12

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 安居伸浩 ,  大桥良太 ,  田透 ,  堀江亮子

IPC: G01T1/202 ,  C09K11/61 ,  C09K11/62

CPC classification number: C09K11/628 ,  C09K11/616 ,  C09K11/7733 ,  C30B21/02 ,  C30B29/12 ,  G01T1/2006 ,  G01T1/202 ,  G01T1/2023

Abstract: 在用于放射线检测，例如X-射线CT扫描仪的闪烁体中，提供具有单向相分离结构的闪烁结晶体，其具有在不使用隔壁的情况下防止串扰的光波导功能。该相分离结构包括第一结晶相和具有比该第一结晶相的折射率大的折射率的第二结晶相，具有第一主表面和第二主表面，这些主表面不位于同一平面上，该第一主表面和该第二主表面具有该第二结晶相暴露的部分，并且该第二结晶相暴露于该第一主表面的部分和该第二结晶相暴露于该第二主表面的部分彼此相连。

公开(公告)号：CN102197302B

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN200980142363.6

申请日：2009-10-28

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 长井健太郎 ,  田透

IPC: G01N23/04

CPC classification number: G06T7/0002 ,  A61B6/4291 ,  A61B6/484 ,  G01J9/02 ,  G01N23/04 ,  G01N23/20075 ,  G01N2223/401 ,  G21K1/06 ,  G21K2201/06 ,  G21K2201/067

Abstract: 一种在采用穿过被检物体的放射线的干涉条纹的强度信息的放射线成像装置中使用的分析方法包括以下步骤：从干涉条纹的强度信息产生卷绕到2π的范围中的被检物体的第一相位信息；从干涉条纹的强度信息产生关于被检物体的吸收强度梯度的信息；基于关于吸收强度梯度的信息中的梯度的绝对值产生加权函数；和通过使用加权函数展开第一相位信息，产生第二相位信息。

公开(公告)号：CN101112789B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200710139105.5

申请日：2007-07-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 今田彩 ,  田透

IPC: B29C59/02 ,  B29C33/42 ,  G11B5/84 ,  H01L21/027

CPC classification number: B29C59/022 ,  B29C2059/023 ,  Y10S977/887

Abstract: 一种用于制造图案化结构的工艺，包括：压印第一图案，其通过抵着压印工作层来压下表面上具有凸起-凹陷配置的压模；以及，压印第二图案，其通过将压模从第一图案的位置相对位移到该压印工作层上的另一位置，然后抵着压印工作层压下该压模。

公开(公告)号：CN101663762B

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200880012789.5

申请日：2008-04-23

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 板垣奈穗 ,  岩崎达哉 ,  渡边壮俊 ,  田透

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/247

Abstract: 本发明提供氧氮化物半导体，其包含金属氧氮化物。该金属氧氮化物含有Zn和选自In、Ga、Sn、Mg、Si、Ge、Y、Ti、Mo、W和Al中的至少一种元素。该金属氧氮化物具有7原子％-80原子％的N的原子组成比N/(N+O)。

公开(公告)号：CN101263605A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200680033996.X

申请日：2006-09-05

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 岩崎达哉 ,  田透 ,  板垣奈穗

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/26 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7869

Abstract: 这里公开了一种包括由包括In和Zn的氧化物半导体材料构成的沟道的场效应晶体管。通过In/(In+Zn)表达的原子组成比率不少于35原子％并且不多于55原子％。Ga不包括在氧化物半导体材料中，或者当Ga包括在其中时，将通过Ga/(In+Zn+Ga)表达的原子组成比率设置为30原子％或更低。所述晶体管具有改进的S值和场效应迁移率。