高压碳化硅器件的结终端扩展结构及其制造方法

    公开(公告)号:CN113053997A

    公开(公告)日:2021-06-29

    申请号:CN202011588647.2

    申请日:2020-12-28

    IPC分类号: H01L29/06 H01L21/265

    摘要: 本发明公开了一种高压碳化硅功率器件的结终端扩展结构及其制造方法,该扩展结构包括N+型衬底、N‑型漂移区、第一P型结终端扩展区、第二P型结终端扩展区、P型主结、N+场截止环、第一金属电极层和第二金属电极层,第一P型结终端扩展区和第二P型结终端扩展区分别注入高低不同的浓度,同时将第一P型结终端扩展区和第二P型结终端扩展区在版图上通过直角三角形或直角梯形斜边对接平铺形成。本发明通过两种掺杂P型结终端扩展区在第三维度交叉结合,从而实现碳化硅终端结构等效横向变掺杂,使电场均匀分布,在保证终端效率的前提下缩小终端面积,从而能制造出芯片面积更小的高压碳化硅功率器件。

    退火组件及退火方法
    32.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110828365A

    公开(公告)日:2020-02-21

    申请号:CN201911145344.0

    申请日:2019-11-19

    摘要: 本发明涉及半导体制造技术领域,具体涉及一种退火组件及退火方法。其中,所述组件包括:承载面,用于放置所述待退火件;其中,所述承载面在所述待退火件上的投影面积与待退火件的面积相同;至少一个支架,用于固定所述承载面。该组件可以增强退火的均匀性,并且只需一次退火便可,避免了复杂的退火流程,从而提升了工艺效率,同时也避免了传统托盘由于温差导致的碎裂现象。