公开(公告)号：CN110808284A

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201911076369.X

申请日：2019-11-06

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 朱涛 ,  焦倩倩 ,  李嘉琳 ,  刘瑞 ,  田亮 ,  李玲 ,  吴昊

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/335 ,  H01L27/02 ,  H01L29/06

摘要： 本发明公开了一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制备方法，该制备方法包括：在衬底的正面形成MOS结构，在衬底的背面形成场终止层；在场终止层上注入第一导电类型离子，对第一导电类型离子进行激光退火，形成第一导电类型集电极层；在第一导电类型集电极层中注入第二导电类型离子，注入的第二导电类型离子的浓度大于第一导电类型离子的浓度，对第二导电类型离子进行图形化激光退火，形成包含第一导电类型集电区和第二导电类型集电区的集电极层。本发明实施例提供的逆导型绝缘栅双极晶体管及其制备方法，相比现有技术中采用光刻工艺形成集电极层，简化了RC-IGBT的制备工艺，减少了新结构开发周期，降低了产品开发成本，工艺易实现，可行性强。

公开(公告)号：CN111524796A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010238731.5

申请日：2020-03-30

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网北京市电力公司

发明人： 张红丹 ,  焦倩倩 ,  刘瑞 ,  吴昊 ,  李玲 ,  赛朝阳 ,  吴军民 ,  金锐 ,  汤广福

IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L21/265 ,  H01L21/311

摘要： 本发明提供一种碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片及其的处理方法，在所述碳化硅外延片正面和背面分别淀积介质层；对碳化硅外延片正面的介质层进行刻蚀，之后去除碳化硅外延片背面的介质层；对刻蚀完的碳化硅外延片正面进行离子注入。本发明大大减小了碳化硅外延片的翘曲度，且降低了拒片率，提高了光刻工艺精度和离子注入加工精度，降低了离子注入的拒片率和碎片率，大大提高了碳化硅外延片的精度和合格率；在碳化硅外延片正面和背面分步形成各自的介质层，抵消了碳化硅外延片正面直接淀积介质层带来的材料应力，为碳化硅外延片的翘曲度的改善提供基础；成本低，效率高，适用于多种规格的碳化硅外延片。

公开(公告)号：CN110231501A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201910048374.3

申请日：2019-01-18

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 李嘉琳 ,  李玲 ,  吴昊 ,  郑柳 ,  焦倩倩 ,  杨霏 ,  潘艳

IPC分类号： G01R1/073

摘要： 本发明提供一种探针卡、包括探针卡的测试设备、测试方法，探针卡包括PCB板、空心针和探针；空心针和所述探针分别与所述PCB板连接，且所述空心针和所述探针相邻设置；空心针用于释放阻燃气体。用于测试时空心针的针尖处会喷射阻燃气体，形成阻燃气体保护氛围，可有效减少测试时半导体芯片打火现象的发生。测试设备包括探针卡、管路和高压测试装置，探针卡的压力腔与管路连接，且探针卡通过接口插入高压测试装置，该测试设备避免半导体芯片测试过程中出现打火现象，保证半导体芯片的安全性，且大大提高了测试精度。

公开(公告)号：CN110828365A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201911145344.0

申请日：2019-11-19

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 焦倩倩 ,  吴昊 ,  李玲 ,  赛朝阳 ,  杨霏 ,  潘艳

IPC分类号： H01L21/687 ,  H01L21/67 ,  H01L21/04 ,  H01L21/324

摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种退火组件及退火方法。其中，所述组件包括：承载面，用于放置所述待退火件；其中，所述承载面在所述待退火件上的投影面积与待退火件的面积相同；至少一个支架，用于固定所述承载面。该组件可以增强退火的均匀性，并且只需一次退火便可，避免了复杂的退火流程，从而提升了工艺效率，同时也避免了传统托盘由于温差导致的碎裂现象。

公开(公告)号：CN110231501B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN201910048374.3

申请日：2019-01-18

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 李嘉琳 ,  李玲 ,  吴昊 ,  郑柳 ,  焦倩倩 ,  杨霏 ,  潘艳

IPC分类号： G01R1/073

摘要： 本发明提供一种探针卡、包括探针卡的测试设备、测试方法，探针卡包括PCB板、空心针和探针；空心针和所述探针分别与所述PCB板连接，且所述空心针和所述探针相邻设置；空心针用于释放阻燃气体。用于测试时空心针的针尖处会喷射阻燃气体，形成阻燃气体保护氛围，可有效减少测试时半导体芯片打火现象的发生。测试设备包括探针卡、管路和高压测试装置，探针卡的压力腔与管路连接，且探针卡通过接口插入高压测试装置，该测试设备避免半导体芯片测试过程中出现打火现象，保证半导体芯片的安全性，且大大提高了测试精度。

公开(公告)号：CN114496721A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202011261845.8

申请日：2020-11-12

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 朱涛 ,  严静融 ,  焦倩倩

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/321

摘要： 本发明提供一种碳化硅器件正面结构保护方法和装置，完成碳化硅衬底背面金属溅射后，在碳化硅衬底上表面生长牺牲层；采用退火工艺对背面金属进行高温退火；采用湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺去除牺牲层，本发明通过在对背面金属进行退火前生长牺牲层，并在退火后去除牺牲层实现对正面结构的保护，牺牲层去除彻底，不会对正面结构表面造成污染，提高了半导体功率器件的可靠性；采用等离子体增强化学气相沉积工艺沉积氮化硅膜和二氧化硅膜的速率快，成膜质量好，针孔较少，且不易龟裂；本发明提供的技术方案在对正面结构进行保护时不会引入新的杂质或造成额外损伤，采用的工艺与其他制备碳化硅器件的工艺兼容，实用性强。

公开(公告)号：CN112509921A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN202011266157.0

申请日：2020-11-13

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 焦倩倩 ,  朱涛 ,  张红丹

IPC分类号： H01L21/324

摘要： 本发明涉及一种碳化硅退火方法，包括：首先在碳化硅晶圆单侧表面制备欧姆接触金属，其次将与所述接触金属对应的一侧碳化硅晶圆放于托盘内，然后将快速退火炉的反应腔室抽真空，最后将碳化硅晶圆进行20s‑600s的快速退火且退火温度为700℃‑1200℃，退火完成后，待腔室降温后开腔取出碳化硅晶圆。本发明提供的退火方法，使退火过程中的升温速率降低为2℃/s，退火方法更为简单；同时在不影响碳化硅芯片欧姆接触质量的条件下，解决了红外辐射加热的快速退火炉退火过程中托盘碎裂问题。

公开(公告)号：CN111681943A

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN202010344980.2

申请日：2020-04-27

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网北京市电力公司

发明人： 吴昊 ,  李玲 ,  朱涛 ,  姜春艳 ,  刘瑞 ,  张红丹 ,  焦倩倩 ,  蔡依沙

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/16

摘要： 本发明提供一种碳化硅表面的处理方法，在碳化硅衬底表面生长氧化层；通过原子层沉积设备在所述氧化层表面沉积掺杂层；采用退火炉对含有所述掺杂层和氧化层的碳化硅衬底按照设定真空度进行真空退火，大大降低了碳化硅与氧化层之间的界面态密度，进而提高了碳化硅功率器件的反型沟道电子迁移率，避免对碳化硅功率器件的性能造成影响，本发明采用退火炉对含有掺杂层和氧化层的碳化硅衬底进行高温退火，避免退火过程中引入新的杂质，减少氧化层中缺陷，提高氧化层质量，同时可以通过温度和时间精确控制磷原子扩散的结深。

公开(公告)号：CN111261723A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201811453052.9

申请日：2018-11-30

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 张文婷 ,  杨霏 ,  郑柳 ,  桑玲 ,  焦倩倩 ,  夏经华 ,  田丽欣 ,  吴沛飞

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L27/02 ,  H01L21/329

摘要： 本发明提供了一种SiC JBS器件，包括：有源区和终端保护区，所述终端保护区布置在所述有源区周边，所述有源区包括多个P型区和肖特基接触区；所述有源区为矩形结构；所述多个P型区呈多行多列交错排列，所述肖特基接触区填充在各P型区之间。本发明提供的多个P型区呈多行多列交错排列，保证了SiC JBS器件的反向击穿特性的同时增加了肖特基势垒区域面积，提高了导通能力。

公开(公告)号：CN110277315A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201910395177.9

申请日：2019-05-13

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网福建省电力有限公司

发明人： 刘瑞 ,  吴昊 ,  田亮 ,  李嘉琳 ,  孙俊敏 ,  张红丹 ,  焦倩倩

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/027

摘要： 本发明公开了一种碳化硅浅沟槽刻蚀方法，包括：在碳化硅外延层上涂覆光刻胶；图形化所述光刻胶；以所述图形化后的光刻胶做掩膜对所述碳化硅外延层进行干法刻蚀，所述干法刻蚀的参数包括：循环交替通入SF6和O2；去除所述光刻胶。本发明实施例提供了一种碳化硅浅沟槽刻蚀方法，通过在碳化硅外延层上涂覆光刻胶，直接以光刻胶做掩膜进行刻蚀，减少了掩膜数量，提高了刻蚀效率，降低了刻蚀难度，有效的降低了碳化硅器件批量生产成本。SF6气体和O2气体循环交替作用于材料，一方面可以降低对光刻胶的刻蚀速率，另一方面有助于提高碳化硅沟槽的侧壁角度。