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公开(公告)号：CN102446687A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010514078.7
申请日：2010-10-13
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
IPC: H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 本发明公开了一种控制离子均匀注入的二维扫描装置，属于半导体制造领域。该装置包括剂量控制器、运动控制器、移动法拉第、扫描板、直线电机和计算机。扫描板和剂量控制器连接；直线电机和运动控制器连接；移动法拉第和剂量控制器连接；剂量控制器和运动控制器连接；剂量控制器和运动控制器均与计算机连接，由计算机协调动作并进行控制。本发明能够实现离子注入剂量的精确检测和剂量的均匀性控制。
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公开(公告)号：CN102446685A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010513581.0
申请日：2010-10-13
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
IPC: H01J37/302
Abstract: 本发明阐述了一种离子源坩埚控制方法，控制离子注入机离子源中的坩埚除气和蒸发过程，以稳定产生所需气体。本方法涉及离子注入机，属于半导体制造领域。本方法包含了两个大的步骤，即图中的除气部分(1)和闭环稳气部分(2)。除气部分(1)是通过预热和不断加热坩埚，将坩埚中的杂质气体和所要加热的固体中含有的水分除掉。闭环稳气部分(2)是将坩埚温度的控制与离子源真空值进行闭环控制，并以PID控制算法实现对于二者间的关联控制。离子源真空值可通过人机交互界面设定，由本方法自动调节坩埚温度，使得离子源真空值保持稳定，即获得目标气体浓度。
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公开(公告)号：CN102445671A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010514189.8
申请日：2010-10-13
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
IPC: G01R33/07
Abstract: 本发明涉及一种霍尔器件误差补偿电路，该电路包括恒交流源1、电感2、绕线电感3、校正电阻4、负载电阻5、霍尔器件6、电感7、绕线电感8、变压器9、电阻10、放大器11及接地端12。该电路不仅通过并联负载电阻5来补偿温度误差，而且采用了由电感2和绕线电感3构成的补偿器件耦合电感，使温度误差补偿达到最佳效果；另在霍尔器件6的激励端与输出端并联上由电感7和绕线电感8构成耦合电感来补偿霍尔器件6的零位误差，使不等位电势降到最小。本发明电路简单，时间特性好，对于进行磁场检测的霍尔器件温度漂移及零位误差进行自动补偿，使之更加准确可靠。
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公开(公告)号：CN102347191A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201010243073.5
申请日：2010-08-02
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
Abstract: 一种分体式离子源引出电极系统，包括：减速电极3、屏蔽筒2、绝缘子4、加速电极7、减速电极连接杆1、加速电极连接杆8、电极基座10，所述屏蔽筒2安装在减速电极3上面向加速电极7的一侧；所述绝缘子4安装加速电极上7面向减速电极3的一侧，靠近屏蔽筒2并与屏蔽筒2相对应，其特征在于，其中所述减速电极3通过所述减速电极连接杆1连接固定到基座10上；其中所述加速电极7通过所述加速电极连接杆8连接固定到基座10上，连接方式使得所述加速电极7在需要时能够通过所述加速电极连接杆8的前后移动而沿离子束流的方向精确地前后移动。本发明的离子源引出电极结构稳定可靠，在过热的情况下加速电极和减速电极之间不会产生应力应变，从而不会损失电极的精度，还具有许多其它优点。
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公开(公告)号：CN102003882A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200910090667.4
申请日：2009-09-03
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种新型的快速闪光退火炉的温度控制程控方法，快速闪光退火炉是半导体行业的工艺设备，该发明属于半导体器件制造领域。硅晶片的加热升温方法采用卤素钨灯辐射加热升温法，共应用了28根1.5KW和2KW两种规格的卤素灯管，分别设置在炉腔的顶部和底部，各有14根灯管，顶部和底部的灯管成垂直交叉状安放，将28根灯管分成10个加热功率控制区，顶部和底部各分布5个加热功率控制区，为了保证硅晶片在加热退火处理过程中温度均匀，每个加热功率区安放不一样的灯管功率和灯管根数，顶部和底部的加热功率控制区的灯管数按对称分布，按照自适应算法模型对每个区的灯管加热实行精确调整和控制，以达到使炉腔中的硅晶片快速升温和温度均匀的目的。
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公开(公告)号：CN101728231A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810224641.X
申请日：2008-10-22
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/324 , F27D1/18 , E05F15/08
Abstract: 本发明公开了一种有机玻璃门的快速升降机构，涉及快速热处理炉，属于半导体制造领域。该结构包括：一对直线运动导轨副，两导轨支架，两导轨滑块支架。一气缸，一有机玻璃门。有机玻璃门与导轨滑块通过螺钉固定连接，导轨支架与机器体垂直固定连接，气缸再与滑块支架固定连接，气缸的顶升驱动力使玻璃门上升，气缸收回，有机玻璃门下降。直线运动导轨副运动精度高，气缸作为驱动力源，驱动力大，动作简单。
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公开(公告)号：CN100587894C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200510127733.2
申请日：2005-12-05
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
IPC: H01J37/14 , H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 本发明公开了一种非均匀磁场平行束透镜系统，该系统包括侧磁轭、真空盒、上磁轭、上磁极、上线包、下线包、冷却板、下磁轭、下磁极、磁钳。其中上磁轭和下磁轭之间螺钉连接有上磁极和下磁极；上磁极和下磁极之间的距离为非线性；上磁极和下磁极之间放置真空盒；上磁极外侧螺钉连接上线包；下磁极外侧螺钉连接下线包；上线包、下线包串联使用；上线包、下线包中间都有用于冷却线包的冷却板；上线包、下线包外侧，上磁轭和下磁轭之间螺钉连接有侧磁轭，侧磁轭与上磁轭、下磁轭构成磁场回路；磁钳螺钉连接在上磁轭和下磁轭外侧，位于离子束入射面和出射面，由四块构成，能有效地减小的磁铁的边缘磁场效应。
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公开(公告)号：CN1979749A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200510127732.8
申请日：2005-12-05
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
IPC: H01J37/14 , H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 本发明公开了一种均匀磁场平行束透镜系统，该系统包括上磁极、下磁极、侧磁轭、上磁轭、下磁轭、上线包、下线包、真空盒、冷却板。其中上磁轭和下磁轭之间螺钉连接有上磁极和下磁极；上磁极和下磁极之间放置真空盒；上磁极外侧螺钉连接上线包；下磁极外侧螺钉连接下线包；上线包、下线包中间都有用于冷却线包的冷却板；上线包、下线包外侧，上磁轭和下磁轭之间螺钉连接有侧磁轭。本发明能使离子束出射线平行，并可以通过调节加到上下线包的电流大小来控制半径以及平行度。
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公开(公告)号：CN1851889A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200610072968.0
申请日：2006-04-07
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种晶片定向缺口信息获取电路，其与光电元件连接，包括微分电路和放大器电路，微分电路包括电容器和第一放大器及其外围元件，放大器电路包括第二放大器及其外围元件。微分电路的输入信号端连接光电元件的输出信号端，其输出信号端连接放大器电路的输入信号端，放大器电路的输出信号端连接控制器。由于本发明晶片定向缺口信息获取电路中设计了微分电路，使原来的缺口信号转化成为窄脉冲信号，又经过放大器电路的放大，将信号幅度增加到控制器容易识别的程度，缺口定向检测率极高。该电路简单可靠，检测速度快，精度高。
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