一类基于芴类并苯胺融合供体的单硼衍生物、其制备和应用

    公开(公告)号:CN114891032A

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN202210431760.2

    申请日:2022-04-22

    Abstract: 本发明属于有机光电材料制备及其应用领域,公开了一类基于芴类并苯胺融合供体的单硼衍生物、其制备和应用,该单硼衍生物具有如通式A‑1至通式A‑3中至少一者所示的通式结构;其中,R基团选自:碳原子数为13~38的芴或芴类衍生物基团;并且,对于通式A‑2和A‑3,R基团在通式中与硼原子成键,成键原子为其3号位碳原子,且氮原子与其4号位碳原子成键。本发明中基于芴类并苯胺融合供体的单硼衍生物,基于B‑N共振效应可以实现30nm以下的FWHM,可有效的改善OLED器件的色纯度。

    一种基于室温法ABXnY3-n钙钛矿纳米颗粒的配体调控方法及应用

    公开(公告)号:CN111117598B

    公开(公告)日:2021-02-09

    申请号:CN201911317096.3

    申请日:2019-12-19

    Abstract: 本发明属于光电子材料领域,公开了一种基于室温法ABXnY3‑n钙钛矿纳米颗粒的配体调控方法及应用,该调控方法是在室温条件下,将含A离子、含超短链配体、含钠离子的多个前驱液和脂肪酸混合,快速注入到含B离子的前驱液中,搅拌后快速向其中加入烷基卤化铵的前驱液,继续搅拌即可得到钙钛矿纳米颗粒的粗液;洗涤处理后即可得到表面的配体主要由长链配体烷基卤化铵、长链配体脂肪酸、超短链配体和金属配体钠离子共同组成的ABXnY3‑n钙钛矿纳米颗粒。本发明通过选取超短配体和金属配体Na+加入到前驱体中,致使得到的钙钛矿纳米颗粒的表面长链配体有效减少,超短链配体有效增多,兼具稳定性和高效电荷传输特性,能大幅度提升基于其的发光二极管的器件性能。

    蒽类衍生物、其制备和应用

    公开(公告)号:CN112239470A

    公开(公告)日:2021-01-19

    申请号:CN201910643760.7

    申请日:2019-07-17

    Abstract: 本发明属于光电材料应用科技领域,更具体地,涉及一种蒽类衍生物、其制备和应用。具有如式(一)所示的结构通式:其以蒽为核心,通过取代基团R1、R2、R3和R4对蒽进行修饰得到,其中,所述R1、R2、R3和R4中至少有一个吸电子基团,且至少有一个供电子基团。本发明所提供的蒽类衍生物选取兼具作为蓝光生色团和高载流子传输性能的蒽作为核心,通过在蒽的不同位点键联不同的供电子和吸电子能力基团,调整外围修饰基团的数目与类型形成全面修饰的具有多功能的蒽类衍生物。此类化合物具有高的荧光量子效率,电子载流子迁移率及优秀的热稳定性。电致发光器件效率高,效率滚降小,可广泛应用于电致发光领域。

    碱金属离子钝化表面缺陷的钙钛矿纳米晶及其制备与应用

    公开(公告)号:CN111081816A

    公开(公告)日:2020-04-28

    申请号:CN201911317216.X

    申请日:2019-12-19

    Abstract: 本发明属于光电材料领域,公开了一种碱金属离子钝化表面缺陷的钙钛矿纳米晶及其制备与应用,其制备方法是将含有碱金属离子的配体溶液与纳米晶A位阳离子的配体溶液相混合,加入以季铵盐为促溶剂的二价金属卤化物的不良溶液中得到混合液;在钙钛矿形成后向其中加入有机配体的不良溶液得到钙钛矿纳米晶粗液,纯化处理后即可得到表面缺陷钝化的纳米晶胶体。本发明通过对制备方法进行改进,在采用配体辅助再沉淀法制备纳米晶的过程中,引入钾离子、钠离子等碱金属离子,这些碱金属离子作为金属离子配体并取代部分表面活性有机配体,可以抑制纳米晶中卤素空位的产生,实现钙钛矿纳米晶表面缺陷的有效钝化,有效提高材料的发光效率和导电度。

    制备双层薄膜的方法和量子点发光二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN110797475A

    公开(公告)日:2020-02-14

    申请号:CN201810863609.X

    申请日:2018-08-01

    Inventor: 王磊 陈虹婷

    Abstract: 本发明公开了一种制备双层薄膜的方法和量子点发光二极管及其制备方法,所述制备双层薄膜的方法包括以下步骤:在基底上通过溶液法制备下层薄膜;将基底及下层薄膜加热至一定的温度,同时上层薄膜材料的前驱液加热到一定的温度;将加热后的上层薄膜材料的前驱液通过溶液法制备上层薄膜,上层薄膜位于下层薄膜上,形成双层薄膜。本发明通过加热上层薄膜材料的前驱液和控制基底和下层薄膜的温度,制得均匀平整的双层膜结构,并且该方法具有成本低,工艺简单易控制,成膜质量好等优点。本发明通过对溶剂的筛选,选择了不会破坏下层薄膜的间二甲苯作为上层材料的溶剂,充分利用了poly-TPD和PVK的优点,大大提升了量子点发光二极管的效率,降低了器件的开启电压。

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