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公开(公告)号：CN106349505A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610742946.4
申请日：2016-08-26
Applicant: 华南理工大学
IPC: C08K9/12 , C08K9/06 , C08K5/13 , C08K13/06 , C08K3/36 , C08K3/22 , C08K5/09 , C08K5/47 , C08K3/06 , C08L9/06
CPC classification number: C08K9/12 , C08K3/06 , C08K3/22 , C08K3/36 , C08K5/09 , C08K5/13 , C08K5/47 , C08K9/06 , C08K13/06 , C08L2201/08 , C08L9/06
Abstract: 本发明公开了一种兼具补强与防老的环保型橡胶防老剂及其制备方法与应用。该方法将无机载体和硅烷偶联剂混合，在80~120℃下搅拌反应10~24h，得到中间产物。再将中间产物和防老剂按质量比（0.5～2）：15混合，在40～60℃下搅拌反应4～6h；然后干燥，得到环保型橡胶防老剂。本发明的防老剂能改善橡胶基体和填料之间的分散，提高橡胶和填料之间的相互作用，达到提高基体力学性能的效果。另外，本发明的防老剂具有与直接固相反应所得防老剂同样的优点。该防老剂兼具防老和补强双重优点，同时在制备过程上操作简单和节能环保，是一种真正的环境友好的橡胶助剂，在橡胶工业生产中具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN114373865B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202111526590.8
申请日：2021-12-14
Applicant: 华南理工大学
IPC: H10K30/40 , H10K30/50 , H10K71/00 , H01L31/072 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于太阳能电池的技术领域，公开了一种钙钛矿/GaAs单结杂化太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池，包括自下而上依次层叠的背面电极、n型掺杂的砷化镓层、钙钛矿层、石墨烯层、正面电极；所述钙钛矿层包括MaSn0.5Pb0.5I3、MASnI3、CsSnI2Br中一种以上。本发明还公开了太阳能电池的制备方法。本发明的太阳能电池具有抗辐照性、高转换效率、带隙可调、开启电压高的优点，并且具有宽的吸收光谱。而且本发明中钙钛矿在GaAs与石墨烯之间形成的电子势垒，有利于减少载流子复合，从而提高短路电流及转换效率，同时有利于降低制作成本。
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公开(公告)号：CN111081805B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201911338817.9
申请日：2019-12-23
Applicant: 华南理工大学 , 中国电子科技集团公司第十八研究所
IPC: H01L31/07 , H01L31/0304 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于太阳电池领域，公开了一种基于范德瓦耳斯力结合的GaAs/InGaN二结太阳电池结构及其制备方法。所述太阳电池包括由下至上依次层叠的Au背电极、GaAs外延层、第一石墨烯层、Au纳米颗粒层、第二石墨烯层，InGaN纳米柱阵列层、第三石墨烯层、Al2O3减反射层及在外围设置Au顶电极与第三石墨烯层接触。本发明利用能够发生等离激元效应的Au纳米颗粒层/Graphene复合表面作为子结结合结构，既提高整体光利用率，也实现了极高导电的子结间界面，从而提高GaAs太阳电池的转化效率。
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公开(公告)号：CN111074344B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201911258032.0
申请日：2019-12-10
Applicant: 华南理工大学
IPC: C30B25/18 , C30B29/40 , C25B11/067 , C25B11/053 , C25B11/091 , C25B1/55 , C25B1/04 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及(In)GaN纳米柱、能源与催化领域，具体公开了一种GaAs衬底上的(In)GaN纳米柱及其制备方法与应用。该GaAs衬底上的(In)GaN纳米柱包括衬底、衬底上的InGaAsN缓冲层层、生长在InGaAsN层上的(In)GaN纳米柱。本发明采用GaAs作为(In)GaN纳米柱衬底，显著提高了纳米柱电极的导电性，有效降低了衬底与纳米柱之间的界面阻抗，有利于增强载流子输运性能，大幅度提高纳米柱的光电性能；与此同时，新型的(In)GaN纳米柱晶体质量好，禁带宽度可调，比表面积大，可实现可见光光谱响应，适用于光电解水产氢。
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公开(公告)号：CN112760668A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011562286.4
申请日：2020-12-25
Applicant: 华南理工大学
IPC: C25B1/04 , C25B1/55 , C25B11/053 , C25B11/091 , C23C16/34 , C23C16/50 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯上InGaN纳米柱光电极无偏压光电化学制氢系统与其应用。该体系包括光阳极、光阴极、电解液、光源、电解池，所述的光阳极结构从下至上依次为衬底、衬底上的石墨烯、生长在石墨烯上的InGaN纳米柱，所述的光阴极结构从上至下依次为衬底、生长在衬底上的InGaN纳米柱；本发明使用石墨烯不仅拓宽了衬底的选择范围，同时可以充当导电电极使用，降低了成本；石墨烯还能与纳米柱之间的形成肖特基势垒，有利于分离光生载流子，增强载流子输运性能，大幅度提高纳米柱的光电性能；同时石墨烯的透光性能够制备InGaN纳米柱集成光电极，能拓宽光谱吸收、提高水分解所需光电压，实现无偏压光电水分解产氢。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112670365A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011523776.3
申请日：2020-12-21
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/072 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种GaAs/MXene异质结太阳电池及其制备方法。该电池的结构由下至上依次为的Au背电极、GaAs衬底、MXene层、顶电极。本发明还公开了以上GaAs/MXene异质结太阳电池制备方法。采用电子束蒸发法在GaAs衬底背面蒸镀一层Au作为背电极；在砷化镓表面制备MXene膜；在MXene膜表面蒸镀Ag、Cr、Ti、Ni、Au中的一种或几种复合电极。本发明的GaAs/MXene异质结太阳电池不仅制备工艺简单，器件制作成本低廉，还可以利用MXene功函数灵活可变的优势，调节电池的输出特性，满足不同场景需求，有利于扩大砷化镓太阳电池的应用领域。
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公开(公告)号：CN111916521A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010516087.3
申请日：2020-06-09
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种具有界面等离激元效应的双结GaAs/Si肖特基结太阳电池及其制备方法。该双结GaAs/Si肖特基结太阳电池由下至上依次为Au/Pt背电极、n掺杂Si基区、石墨烯层、银纳米颗粒阵列、n掺杂InGaP背反射层，n掺杂GaAs基区、石墨烯层以及Ag电极。本发明还公开了以上双结（Si/石墨烯）/（GaAs/石墨烯）肖特基结太阳电池的制备方法。本发明的双结（Si/石墨烯）/（GaAs/石墨烯）肖特基结太阳电池，不仅制备工艺简单，器件生产成本较低，而且对环境污染较少，具有广阔应用前景。
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公开(公告)号：CN111081805A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911338817.9
申请日：2019-12-23
Applicant: 华南理工大学 , 中国电子科技集团公司第十八研究所
IPC: H01L31/07 , H01L31/0304 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于太阳电池领域，公开了一种基于范德瓦耳斯力结合的GaAs/InGaN二结太阳电池结构及其制备方法。所述太阳电池包括由下至上依次层叠的Au背电极、GaAs外延层、第一石墨烯层、Au纳米颗粒层、第二石墨烯层，InGaN纳米柱阵列层、第三石墨烯层、Al2O3减反射层及在外围设置Au顶电极与第三石墨烯层接触。本发明利用能够发生等离激元效应的Au纳米颗粒层/Graphene复合表面作为子结结合结构，既提高整体光利用率，也实现了极高导电的子结间界面，从而提高GaAs太阳电池的转化效率。
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公开(公告)号：CN111081800A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911338917.1
申请日：2019-12-23
Applicant: 华南理工大学 , 中国电子科技集团公司第十八研究所
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/072 , H01L31/0735 , H01L31/074 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种含有CuSCN空穴传输层的GaAs太阳电池，其结构由下至上依次为的Au背电极、GaAs衬底、CuSCN空穴传输层、石墨烯层和银浆顶电极。本发明还公开了以上含有CuSCN空穴传输层的GaAs太阳电池的制备方法。本发明的GaAs太阳电池，不仅制备工艺简单，电池制备成本较低，而且光电转换效率高，能长时间稳定工作。
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公开(公告)号：CN110655035A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201911007669.2
申请日：2019-10-22
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种二维MXene功能化的InxGa1-xN纳米柱及其制备方法与应用。该二维MXene功能化的InxGa1-xN纳米柱包括衬底、衬底上的MXene层、生长在MXene层上的InxGa1-xN纳米柱；其中0≤x≤1。本发明采用二维MXene作为衬底与InxGa1-xN纳米柱之间的功能层，不仅拓宽了衬底的选择范围，降低了成本；还有效降低了衬底与纳米柱之间的界面阻抗，有利于增强载流子输运性能，大幅度提高纳米柱的光电性能；同时避免了纳米柱在衬底上容易被刻蚀的缺点，提高其光电稳定性。总之，二维MXene功能化的InxGa1-xN纳米柱在光电解水制氢、光电探测器、太阳能电池中具有重要应用前景。
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