公开(公告)号：CN113972263A

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN202111229966.9

申请日：2021-10-20

Applicant: 南京大学

Inventor： 陆海 ,  曾昶琨 ,  徐尉宗 ,  任芳芳 ,  周东

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种增强型AlGaN/GaN HEMT器件及制备方法。该器件包括自下而上依次设置的衬底、成核层、缓冲层、GaN沟道层、势垒层、组分渐变InGaN帽层和钝化层；组分渐变InGaN帽层厚度小于等于300nm，帽层内不进行掺杂，帽层中的In组分沿材料生长方向自下而上由0渐变增长至x，其中0＜x≤1。本发明采用极化掺杂技术，将传统的p型GaN帽层替换为渐变组分InGaN帽层，在无需杂质掺杂的情况下实现了p型掺杂，避免了杂质掺杂引入的栅区域可靠性问题，显著提升了器件的正向栅极耐压，可应用于高频功率开关电路中。

公开(公告)号：CN113937174A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202111196401.5

申请日：2021-10-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 陆海 ,  王致远 ,  周东 ,  徐尉宗

IPC: H01L31/0312 ,  H01L31/103 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于选区离子注入的新型碳化硅基横向PN结极紫外探测器，包括从下到上依次相接的N型欧姆接触下电极、N型衬底和低掺外延层，低掺外延层为N型低掺外延层或P型低掺外延层；当为N型低掺外延层时，N型低掺外延层表面通过选区离子注入形成P型阱区域，P型阱区域上设有P型欧姆接触上电极，P型欧姆接触上电极沿周边设有金属导电电极；当为P型低掺外延层时，P型低掺外延层表面通过选区离子注入形成N型阱区域，N型阱区域上设有N型欧姆接触上电极，N型欧姆接触上电极沿周边设有金属导电电极。本发明有效提升了探测器在极紫外波段的探测效率，同时显著提高了辐照稳定性以及温度稳定性。

公开(公告)号：CN109326659B

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN201811121284.4

申请日：2018-09-26

Applicant: 南京大学

Inventor： 周东 ,  陆海 ,  苏琳琳 ,  徐尉宗

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/105 ,  H01L31/20

Abstract: 本发明公开了一种高响应度低暗电流PIN结构的4H‑SiC紫外探测器及其制备方法，一种高响应度低暗电流PIN结构的4H‑SiC紫外探测器，在上电极和上电极4H‑SiC欧姆接触层之间设有氧等离子体处理的4H‑SiC欧姆接触层。上电极为Ti单层金属或含Ti多层金属复合结构。本发明高响应度低暗电流PIN结构的4H‑SiC紫外探测器克服了传统PIN结构4H‑SiC紫外探测器响应度低的缺点，在不增加器件的外延技术难度、器件制备复杂程度及成本的前提下，有效提升器件的灵敏度，并保持极低的暗电流水平。

公开(公告)号：CN111564487A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN202010423278.5

申请日：2020-05-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 程亮 ,  陆海 ,  徐尉宗 ,  任芳芳 ,  周东

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种基于厚栅介质层电极一步成型的AlGaN/GaN MIS-HEMT器件及其制备方法，基于厚栅介质层电极一步成型的AlGaN/GaN MIS-HEMT器件，包括自下而上依次设置的衬底、AlN成核层、AlGaN或GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和厚绝缘栅介质层；厚绝缘栅介质层上刻蚀或腐蚀有源极区域和漏极区域，源极区域和漏极区域之间设有栅极区域，源极区域设有源电极，漏极区域设有漏电极，栅极区域设有栅电极，源电极、漏电极和栅电极一步成型，并一起经历欧姆电极的合金化退火工艺。本发明基于厚栅介质层电极一步成型的AlGaN/GaN MIS-HEMT器件，源极、漏极、栅极同时蒸发同样的金属叠层，一步成型，大大简化了工艺制程，节省了成本，并且得到了高性能的AlGaN/GaN MIS-HEMT器件；可以应用于高效功率开关以及射频器件中。

公开(公告)号：CN111490112A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN202010309443.4

申请日：2020-04-20

Applicant: 南京大学

Inventor： 王致远 ,  陆海 ,  周东 ,  徐尉宗

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种新型碳化硅肖特基结极深紫外探测器及其制备方法，该新型碳化硅肖特基结极深紫外探测器，包括从下到上依次相接的n型欧姆接触电极、衬底、n型低掺外延层和n型肖特基接触电极，n型肖特基接触电极沿周边设有金属导电电极，金属导电电极沿周边设有钝化层。本发明有效规避了传统p-i-n结构常规紫外探测器在应用于极深紫外波段探测时，发生的极深紫外光子在表面高掺杂p型层中的强吸收，有效提升了极深紫外波段探测器的量子效率；进一步，通过将肖特基电极结构优化为不完全填充结构，更加有效地降低了极深紫外光子在金属电极表面的反射与吸收，进一步提升了肖特基结探测器在极深紫外波段尤其是真空紫外波段的量子效率。

公开(公告)号：CN107611193A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201710801393.X

申请日：2017-09-07

Applicant: 南京大学

Inventor： 陆海 ,  蔡小龙 ,  李良辉 ,  周东

IPC: H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种新型n-i-p-n半台面垂直结构的碳化硅雪崩二极管及其制备方法。本申请碳化硅雪崩二极管，为n-i-p-n结构，从下到上依次包括：下金属接触电极、n型导电SiC衬底、p型SiC接触层、i型SiC雪崩层、n型SiC过渡层、n+型SiC接触层和上金属接触电极，其中，n型SiC过渡层和n+型SiC接触层形成下大上小的台面状，n型SiC过渡层的下表面面积小于i型SiC雪崩层上表面面积，n型SiC过渡层的外围、n+型SiC接触层的外围、及没有被n型SiC过渡层覆盖的i型SiC雪崩层的上表面均设有钝化层。本发明减小了刻蚀损伤，提高了器件性价比；器件可以采用质量更好的n型欧姆接触；提高了器件工作效率，降低了雪崩噪声，减少了引出导线数量，降低了器件成本。

公开(公告)号：CN119698121A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411783010.7

申请日：2024-12-05

Applicant: 南京大学 ,  合肥国家实验室

Inventor： 陆海 ,  王一夫 ,  周东 ,  徐尉宗 ,  张荣

IPC: H10F77/14 ,  H10F77/20 ,  H10F30/22 ,  H10F71/00 ,  G01B11/00 ,  G01B7/00

Abstract: 本申请公开了一种位置敏感探测器及其制备方法及光斑定位方法，涉及半导体器件技术领域，包括：半导体衬底，半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；外延层，外延层位于半导体衬底的第一表面上；四边形的光敏区域，光敏区域位于外延层背离半导体衬底的一侧表面内；光敏区域与外延层中的一者为N型掺杂，另一种为P型掺杂；与光敏区域掺杂类型相同的边框掺杂区域，边框掺杂区域位于外延层背离半导体衬底的一侧表面内，且位于光敏区域的周缘；边框掺杂区域具有与四边形的顶点一一对应的边框顶角；多个输出电极，输出电极位于边框掺杂区域背离半导体衬底的一侧表面上，边框顶角的表面上分别设置有一个输出电极；底电极，底电极覆盖第二表面。

公开(公告)号：CN119451161A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411671633.5

申请日：2024-11-21

Applicant: 南京大学

Inventor： 周峰 ,  张迈 ,  陆海 ,  徐尉宗 ,  周东 ,  任芳芳

IPC: H10D30/47 ,  H10D30/01 ,  H10D62/10 ,  H01L23/552

Abstract: 本发明提供了一种辐照场景下具有强非钳位感性开关能力的GaN HEMT及其制备方法，属于半导体技术领域。包括衬底层、氮化镓层、钝化层、沟道层、势垒层和电极结构层，电极结构层包括栅极结构以及设置于栅极结构两侧的源极结构和漏极结构，栅极结构呈条状且沿第一方向设置于势垒层上方，源极结构和漏极结构与沟道层连接，栅极结构和漏极结构之间设置有成组布置的多个矩形P型氮化镓层，成组布置的多个矩形P型氮化镓层沿第一方向均匀间隔布置且通过金属线连接，金属线顶部连接有负电位极，势垒层到负电位极之间的区域填充有介质层。能够解决传统HEMT因辐照后发生空穴积聚而影响器件正常开关能力和过电压鲁棒性退化的技术问题。

公开(公告)号：CN119451160A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411671631.6

申请日：2024-11-21

Applicant: 南京大学

Inventor： 周峰 ,  邹灿 ,  陆海 ,  徐尉宗 ,  周东 ,  任芳芳

IPC: H10D30/47 ,  H10D30/01 ,  H10D62/10 ,  H01L23/552

Abstract: 本发明提供了一种高阈值电压稳定性的抗辐照耗尽型GaN HEMT及其制造方法，属于半导体技术领域，包括自下而上设置的衬底层和氮化镓层，氮化镓层上表面的有源区自下而上依次设置有有源区氮化镓层、势垒层、第一介质层和第二介质层，第二介质层上方表面设有条状的栅极金属层；在栅极金属层中设有多个不同深度的刻蚀孔，不同深度的刻蚀孔中设有不同的肖特基金属层，其中刻蚀孔较深的肖特基金属层与栅极金属层互联，刻蚀孔较浅的肖特基金属层均在栅极金属层上方相连接，不仅使因辐照感生界面态电荷能通过较浅刻蚀孔中肖特基金属层抽取出晶体管，还能使在栅极积累的载流子通过较深刻蚀孔中的肖特基金属层流出，提升了器件的抗辐照能力与可靠性。

公开(公告)号：CN118280961B

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410708841.1

申请日：2024-06-03

Applicant: 南京大学

Inventor： 周峰 ,  荣玉 ,  陆海 ,  徐尉宗 ,  周东 ,  任芳芳

IPC: H01L23/544 ,  H01L29/778 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L23/367 ,  H01L21/683 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供了一种用于辐照特性测试的宽禁带半导体结构及其制备方法，属于半导体技术领域。该半导体结构包括基板和宽禁带半导体部，基板上设置有金属盘；宽禁带半导体部包括层叠布置的氮化镓层、势垒层和P型氮化镓层，P型氮化镓层上设置有栅极金属层、源极欧姆金属层和漏极欧姆金属层，源极欧姆金属层上方设有互联金属层和源极顶部金属层，漏极欧姆金属层上方设有互联金属层和漏极顶部金属层，源极顶部金属层、漏极顶部金属层和氮化镓层之间填充有隔离介质层，宽禁带半导体部设置于基板上方并通过栅极、源极和漏极顶部金属层与金属盘连接。能够解决现有技术中宽禁带半导体结构在进行辐照特性试验时辐照特性测试的效果差的问题。