封装体结构
    34.
    实用新型

    公开(公告)号:CN220753425U

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202321890177.4

    申请日:2023-07-18

    Abstract: 一种封装体结构,包括:一第一芯片结构以及位于第一芯片结构旁侧的一第二芯片结构。封装体结构也包括位于第一芯片结构及第二芯片结构上,并接触第一芯片结构及第二芯片结构的一内连线结构。内连线结构具有多个介电层及多个导电特征部件。导电特征部件的其中一者延伸跨越第一芯片结构的一第一边缘及第二芯片结构的一第二边缘,且电性连接第一芯片结构及第二芯片结构。封装体结构也包括一第三芯片结构,第三芯片结构通过介电质对介电质接合及金属对金属接合直接接合至内连线结构。

    半导体封装体
    36.
    实用新型

    公开(公告)号:CN222394176U

    公开(公告)日:2025-01-24

    申请号:CN202420991144.7

    申请日:2024-05-09

    Abstract: 一种半导体封装体,包括基板、重分布结构、第一光子布线结构、光学中介层裸晶、第二光子布线结构、光学引擎裸晶以及模制结构,重分布结构形成于基板上,第一光子布线结构设置在重分布结构上,光学中介层裸晶设置在第一光子布线结构上,第二光子布线结构设置在重分布结构上,光学引擎裸晶设置在第二光子布线结构上,模制结构设置在第一光子布线结构以及第二光子布线结构之间。

    晶片堆叠结构
    37.
    实用新型

    公开(公告)号:CN221486501U

    公开(公告)日:2024-08-06

    申请号:CN202323165611.5

    申请日:2023-11-22

    Abstract: 本实用新型提供晶片堆叠结构。晶片堆叠结构包括第一晶片,其包含第一基板与第一内连线结构位于第一基板上。晶片堆叠结构包括第二晶片位于第一晶片上并接合至第一晶片。第二晶片具有第二内连线结构与第二基板位于第二内连线结构上。晶片堆叠结构包括绝缘层位于第二内连线结构上并围绕第二基板。晶片堆叠结构包括导电插塞穿过绝缘层至第二内连线结构。

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