半导体器件及其形成方法

    公开(公告)号:CN111799227A

    公开(公告)日:2020-10-20

    申请号:CN202010242219.8

    申请日:2020-03-31

    摘要: 公开了封装的半导体器件及其形成方法,该封装的半导体器件包括附接至再分布结构的第一管芯、附接至第一管芯的第二管芯以及围绕第一管芯和第二管芯的模塑料。在实施例中,方法包括在第一再分布结构上方形成电耦接至第一再分布结构的第一导电柱;将第一管芯附接至第一再分布结构,第一管芯包括第二导电柱;在邻近第二导电柱的位置将第二管芯附接至第一管芯;用密封剂密封第一导电柱、第一管芯和第二管芯;在密封剂、第一导电柱、第一管芯和第二管芯上方形成第二再分布结构;并且将第三管芯接合至第一再分布结构。

    半导体器件及其形成方法
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111799227B

    公开(公告)日:2022-08-05

    申请号:CN202010242219.8

    申请日:2020-03-31

    摘要: 公开了封装的半导体器件及其形成方法,该封装的半导体器件包括附接至再分布结构的第一管芯、附接至第一管芯的第二管芯以及围绕第一管芯和第二管芯的模塑料。在实施例中,方法包括在第一再分布结构上方形成电耦接至第一再分布结构的第一导电柱;将第一管芯附接至第一再分布结构,第一管芯包括第二导电柱;在邻近第二导电柱的位置将第二管芯附接至第一管芯;用密封剂密封第一导电柱、第一管芯和第二管芯;在密封剂、第一导电柱、第一管芯和第二管芯上方形成第二再分布结构;并且将第三管芯接合至第一再分布结构。