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公开(公告)号:CN113078125B
公开(公告)日:2024-09-06
申请号:CN202110246259.4
申请日:2021-03-05
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/31 , H01L25/065 , H10B80/00 , H01L21/48 , H01L23/498
摘要: 一种形成管芯堆叠件的方法,包括:将第一器件管芯接合至第二器件管芯;将第一器件管芯密封在第一密封剂中;在第二器件管芯上实施背面研磨工艺,以露出第二器件管芯中的贯穿通孔;以及形成位于第二器件管芯上的第一电连接器,以形成封装件。封装件包括第一器件管芯和第二器件管芯。该方法还包括将第一封装件密封在第二密封剂中;以及形成与第一封装件和第二密封剂重叠的互连结构。互连结构包括第二电连接器。根据本申请的其他实施例,还提供了管芯堆叠结构。
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公开(公告)号:CN107342268B
公开(公告)日:2021-06-18
申请号:CN201710165705.2
申请日:2017-03-20
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/58
摘要: 本公开部分实施例提供一种半导体装置封装。半导体装置封装包括一半导体装置。半导体装置封装也包括配置用于在磁流通过时产生电流的一线圈。半导体装置封装还包括环绕半导体装置以及线圈的一成型材料。并且,半导体装置封装包括位于成型材料之上的一导电金属件。一开口形成于导电金属件之上。
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公开(公告)号:CN106653744B
公开(公告)日:2020-12-01
申请号:CN201610624175.9
申请日:2016-08-02
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L27/02 , H01L21/768 , H01Q1/22 , H01Q1/24
摘要: 一种半导体结构包括:配置为与器件通信的收发器;围绕该收发器的模塑件;延伸穿过模塑件的导电通道;在模塑件、导电通道和收发器上方设置的绝缘层;以及在绝缘层上方设置的且包括天线和围绕天线的介电层的再分布层(RDL),其中,天线的部分延伸穿过绝缘层和模塑件以与收发器电连接。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。
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公开(公告)号:CN111799227A
公开(公告)日:2020-10-20
申请号:CN202010242219.8
申请日:2020-03-31
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L21/98 , H01L25/065 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/31
摘要: 公开了封装的半导体器件及其形成方法,该封装的半导体器件包括附接至再分布结构的第一管芯、附接至第一管芯的第二管芯以及围绕第一管芯和第二管芯的模塑料。在实施例中,方法包括在第一再分布结构上方形成电耦接至第一再分布结构的第一导电柱;将第一管芯附接至第一再分布结构,第一管芯包括第二导电柱;在邻近第二导电柱的位置将第二管芯附接至第一管芯;用密封剂密封第一导电柱、第一管芯和第二管芯;在密封剂、第一导电柱、第一管芯和第二管芯上方形成第二再分布结构;并且将第三管芯接合至第一再分布结构。
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公开(公告)号:CN110660753A
公开(公告)日:2020-01-07
申请号:CN201910454554.1
申请日:2019-05-29
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要: 在实施例中,一种器件包括:第一再分布结构,包括第一介电层;管芯,粘附至第一再分布结构的第一侧;密封剂,横向密封管芯,密封剂通过第一共价键与第一介电层接合;穿过密封剂的通孔;第一导电连接器,电连接至第一再分布结构的第二侧,第一导电连接器的子集与密封剂和管芯的界面重叠。本发明实施例涉及半导体封装件和方法。
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公开(公告)号:CN107068625A
公开(公告)日:2017-08-18
申请号:CN201610969011.X
申请日:2016-11-04
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/64
摘要: 本揭露涉及一种具有空腔的聚合物系半导体结构。一种结构,其包括装置裸片;以及囊封材料,在其中囊封所述装置裸片。所述囊封材料具有顶部表面,与所述装置裸片的顶部表面共平面;以及空腔,在所述囊封材料中。所述空腔穿透所述囊封材料。
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公开(公告)号:CN107026132A
公开(公告)日:2017-08-08
申请号:CN201611202573.8
申请日:2016-12-23
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号: H01L23/66 , H01L21/6835 , H01L23/5227 , H01L23/528 , H01L23/585 , H01L24/00 , H01L25/18 , H01L2223/6677 , H01Q1/243 , H01Q1/38 , H01Q5/385 , H01Q7/00 , H01L23/31 , H01L21/561 , H01Q23/00
摘要: 本发明的实施例公开了一种多输出封装件结构。多输出封装件结构包括天线主体;再分布层(RDL);以及RDL中的天线辅助体。还公开了一种天线系统。天线系统包括:天线主体,布置为提供第一共振;以及天线辅助体,布置为通过寄生耦合至天线主体提供第二共振。还公开了一种相关联的半导体封装方法。
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公开(公告)号:CN102468290A
公开(公告)日:2012-05-23
申请号:CN201110358379.X
申请日:2011-11-11
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/64
CPC分类号: H01L33/64 , H01L25/075 , H01L33/54 , H01L33/58 , H01L33/641 , H01L33/642 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014
摘要: 一种装置,包括其中具有多个开口的晶片。对于每个开口,LED器件以使得每个连接的LED器件和导电载体的一部分至少部分地填充开口的方式连接至导电载体和晶片。制造LED器件的方法包括:在晶片中形成多个开口。该方法还包括将发光二极管(LED)连接至导电载体。LED器件和导电载体至少部分地填充每一个开口。
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公开(公告)号:CN112864119B
公开(公告)日:2024-09-03
申请号:CN202011361227.0
申请日:2020-11-27
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/485 , H01L23/31 , H10B80/00 , H01L21/50 , H01L21/56
摘要: 提供了集成电路封装件及其形成方法。集成电路封装件包括光子集成电路管芯。光子集成电路管芯包括光耦合器。集成电路封装件还包括密封光子集成电路管芯的密封剂、位于光子集成电路管芯和密封剂上方的第一再分布结构以及延伸穿过第一再分布结构并且暴露光耦合器的开口。
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公开(公告)号:CN111799227B
公开(公告)日:2022-08-05
申请号:CN202010242219.8
申请日:2020-03-31
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L21/98 , H01L25/065 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/31
摘要: 公开了封装的半导体器件及其形成方法,该封装的半导体器件包括附接至再分布结构的第一管芯、附接至第一管芯的第二管芯以及围绕第一管芯和第二管芯的模塑料。在实施例中,方法包括在第一再分布结构上方形成电耦接至第一再分布结构的第一导电柱;将第一管芯附接至第一再分布结构,第一管芯包括第二导电柱;在邻近第二导电柱的位置将第二管芯附接至第一管芯;用密封剂密封第一导电柱、第一管芯和第二管芯;在密封剂、第一导电柱、第一管芯和第二管芯上方形成第二再分布结构;并且将第三管芯接合至第一再分布结构。
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