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公开(公告)号：CN109216323B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201711338029.0
申请日：2017-12-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/552
Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括嵌入在模塑材料中的第一管芯，其中，第一管芯的接触焊盘邻近模塑材料的第一侧。半导体器件还包括在模塑材料的第一侧上方的再分布结构、沿第一管芯的侧壁并且在第一管芯和模塑材料之间的第一金属涂层、以及沿模塑材料的侧壁并且在模塑材料的与第一侧相对的第二侧上的第二金属涂层。本发明的实施例还提供了另一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN109216323A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201711338029.0
申请日：2017-12-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/552
Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括嵌入在模塑材料中的第一管芯，其中，第一管芯的接触焊盘邻近模塑材料的第一侧。半导体器件还包括在模塑材料的第一侧上方的再分布结构、沿第一管芯的侧壁并且在第一管芯和模塑材料之间的第一金属涂层、以及沿模塑材料的侧壁并且在模塑材料的与第一侧相对的第二侧上的第二金属涂层。本发明的实施例还提供了另一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN107017236A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201611135645.1
申请日：2016-12-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/64
Abstract: 本发明的实施例涉及具有槽的金属板上的集成扇出线圈。本发明实施例揭示一种结构，其包含囊封材料和包含贯穿导体的线圈。所述贯穿导体在所述囊封材料中，其中所述贯穿导体的顶面与所述囊封材料的顶面共面，且所述贯穿导体的底面与所述囊封材料的底面共面。金属板下伏于所述囊封材料。槽在所述金属板中且塡充有介电材料。所述槽具有与所述线圈重叠的部分。
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公开(公告)号：CN106653744B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201610624175.9
申请日：2016-08-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L21/768 , H01Q1/22 , H01Q1/24
Abstract: 一种半导体结构包括：配置为与器件通信的收发器；围绕该收发器的模塑件；延伸穿过模塑件的导电通道；在模塑件、导电通道和收发器上方设置的绝缘层；以及在绝缘层上方设置的且包括天线和围绕天线的介电层的再分布层(RDL)，其中，天线的部分延伸穿过绝缘层和模塑件以与收发器电连接。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110931451A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201811547550.X
申请日：2018-12-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/31
Abstract: 本发明实施例提供了一种包括至少一个集成电路组件的半导体结构。所述至少一个集成电路组件包括第一半导体衬底及电耦合到所述第一半导体衬底的第二半导体衬底，其中所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底通过第一混合结合界面结合。所述第一半导体衬底及所述第二半导体衬底中的至少一者包括至少一个第一埋入式电容器。
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公开(公告)号：CN107275314A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710177828.8
申请日：2017-03-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/5227 , H01L23/145 , H01L23/147 , H01L23/15 , H01L23/49822 , H01L23/528 , H01L23/5329 , H01L28/10 , H01L23/645 , H01F17/0013 , H01F2017/0073
Abstract: 本发明的实施例提供了一种电感器结构。电感器结构包括第一表面、与第一表面相交的第二表面、第一导电图案和第二导电图案。第一导电图案形成在第一表面上。第二导电图案形成在第二表面上。第一导电图案与第二导电图案连接。
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公开(公告)号：CN107026132A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201611202573.8
申请日：2016-12-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/66 , H01L21/6835 , H01L23/5227 , H01L23/528 , H01L23/585 , H01L24/00 , H01L25/18 , H01L2223/6677 , H01Q1/243 , H01Q1/38 , H01Q5/385 , H01Q7/00 , H01L23/31 , H01L21/561 , H01Q23/00
Abstract: 本发明的实施例公开了一种多输出封装件结构。多输出封装件结构包括天线主体；再分布层(RDL)；以及RDL中的天线辅助体。还公开了一种天线系统。天线系统包括：天线主体，布置为提供第一共振；以及天线辅助体，布置为通过寄生耦合至天线主体提供第二共振。还公开了一种相关联的半导体封装方法。
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公开(公告)号：CN107017236B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201611135645.1
申请日：2016-12-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/64
Abstract: 本发明的实施例涉及具有槽的金属板上的集成扇出线圈。本发明实施例揭示一种结构，其包含囊封材料和包含贯穿导体的线圈。所述贯穿导体在所述囊封材料中，其中所述贯穿导体的顶面与所述囊封材料的顶面共面，且所述贯穿导体的底面与所述囊封材料的底面共面。金属板下伏于所述囊封材料。槽在所述金属板中且塡充有介电材料。所述槽具有与所述线圈重叠的部分。
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公开(公告)号：CN106992160A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201611187390.3
申请日：2016-12-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L25/065 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L23/3107 , H01L23/3121 , H01L23/552 , H01L23/58 , H01L23/66 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2223/6677 , H01L2224/18 , H01L2225/06527 , H01L2225/06548 , H01L2225/06555 , H01L23/3135 , H01Q1/2283 , H01Q1/38 , H01Q1/50
Abstract: 本发明的实施例公开了封装的半导体器件以及封装半导体器件的方法。在一些实施例中，封装的半导体器件包括集成电路管芯、设置在集成电路管芯周围的第一模制材料以及设置在第一模制材料内的通孔。再分布层(RDL)的第一侧连接至集成电路管芯、通孔以及第一模制材料。第二模制材料设置在RDL的第二侧上方，RDL的第二侧与RDL的第一侧相对。该封装的半导体器件包括在第二模制材料上方的天线。
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