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公开(公告)号：CN111504958B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202010158348.9
申请日：2020-03-09
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： G01N21/64
摘要： 一种软脆光学晶体加工表层荧光性缺陷检测方法，涉及一种晶体缺陷检测方法。目的是解决现有方法无法获得晶体表层缺陷的受激荧光的稳态光谱和内部结构的问题。检测方法利用软脆光学晶体加工表层微区荧光性缺陷检测光学系统中进行，一、缺陷定位；二、测量背底；三、测量可见光波段稳态荧光光谱；四、测量可见光波段瞬态荧光光谱；五、测量近红外波段稳态荧光光谱；六、改变波长获得不同激发光波长下的可见光波段瞬态荧光光谱和近红外波段稳态荧光光谱。本发明可以实现晶体元件表层缺陷、表层缺陷激发稳态荧光光谱以及表层缺陷激发瞬态荧光光谱的检测。本发明适用于晶体表层缺陷检测。
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公开(公告)号：CN114324393A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111621354.4
申请日：2021-12-28
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种熔融石英光学元件加工表面缺陷区引发激光损伤初期能量沉积计算方法，它属于工程光学领域，本发明为解决现有技术缺乏有效的方法用于计算或表征熔融石英光学元件加工表面缺陷区引发激光损伤初期能量沉积的问题；本发明按如下步骤进行：步骤一确定熔融石英光学元件加工表面缺陷区缺陷能级结构；步骤二、获取熔融石英光学元件加工表面缺陷区和无缺陷区受激发产生的荧光发射光谱荧光强度；步骤三、建立光学元件加工表面缺陷区材料非线性离化模型；步骤四、获取熔融石英光学元件无缺陷表面各能级电子密度随时间演变曲线及能量沉积过程中产生的温度；步骤五、获取表征熔融石英光学元件加工表面引发激光损伤初期能量沉积过程的温度和自由电子密度。
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公开(公告)号：CN114264640A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111621697.0
申请日：2021-12-28
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种紫外光学元件加工表面微观光伤点缺陷检测方法，它属于工程光学领域。本发明为解决现有技术中缺乏有效的微观光伤点缺陷精确辨识与检测方法的问题，本发明包括如下步骤：步骤一、确定元件加工表面尺寸最大的表面结构缺陷并完成定位；步骤二、获取步骤一定位的缺陷受不同波长激发光作用下产生的荧光发射光谱峰值强度，确定峰值强度最高的激发光波长为最佳激发光波长；步骤三、确定最佳缺陷位置；步骤四、对最佳缺陷位置受激发产生的荧光发射光谱进行高斯谱线拟合分析，确定微观光伤点缺陷的种类和权重大小；步骤五、建立元件加工表面缺陷区微观光伤点缺陷之间的演变规律及对步骤四的结果进行验证。
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公开(公告)号：CN111504958A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010158348.9
申请日：2020-03-09
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： G01N21/64
摘要： 一种软脆光学晶体加工表层荧光性缺陷检测方法，涉及一种晶体缺陷检测方法。目的是解决现有方法无法获得晶体表层缺陷的受激荧光的稳态光谱和内部结构的问题。检测方法利用软脆光学晶体加工表层微区荧光性缺陷检测光学系统中进行，一、缺陷定位；二、测量背底；三、测量可见光波段稳态荧光光谱；四、测量可见光波段瞬态荧光光谱；五、测量近红外波段稳态荧光光谱；六、改变波长获得不同激发光波长下的可见光波段瞬态荧光光谱和近红外波段稳态荧光光谱。本发明可以实现晶体元件表层缺陷、表层缺陷激发稳态荧光光谱以及表层缺陷激发瞬态荧光光谱的检测。本发明适用于晶体表层缺陷检测。
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公开(公告)号：CN108645867A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810520557.6
申请日：2018-05-25
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： G01N21/88
摘要： 大口径光学晶体表面微缺陷的快速寻位与批量检测方法，属于光学工程领域。本发明为了解决大口径光学晶体表面微缺陷的批量、快速和精确检测的难题而提出的。本方法首先采用“连续运动采集”的光栅扫描方式对整块晶体元件完整扫描；然后，通过开发图像采集程序并建立其与数控运动程序的通讯，实现根据晶体实时扫描位置来采集图像的功能；基于图像处理算法实现对采集图像中缺陷点轮廓位置的椭圆拟合，获得单张图片中缺陷点数量、位置、尺寸等信息；最后，开发缺陷点自动检测程序，建立基于Microsoft Access微缺陷信息的数据库，以实现对采集图像的批量检测和缺陷点信息的保存、更新。本发明还为大口径晶体元件表面微缺陷的修复和控制提供详细的参数依据。
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公开(公告)号：CN106949852A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710229911.5
申请日：2017-04-10
申请人： 哈尔滨工业大学 , 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC分类号： G01B11/24
CPC分类号： G01B11/24
摘要： 环抛加工修正盘表面形状误差的检测装置及检测方法，涉及一种形状误差的检测装置及检测方法。本发明为了解决现有技术中由于环抛加工修正盘具有较大的直径和较高的重量，进而造成激光干涉仪和三坐标测量仪无法直接进行表面形状误差的检测的问题。装置由大理石平尺、U形框、精密定位台、激光位移传感器、支撑平台、和矩形玻璃构成。检测方法：一、吊装环抛加工修正盘并组装装置；二、标出直径；三、调整大理石平尺与环抛加工修正盘工作面平行；四、数据采集。本发明解决了大尺寸修正盘工作面朝下且难以翻转的难题，能够半自动地检测大型环抛机的大尺寸修正盘的表面形状误差，检测过程简单精度高。本发明适用于检测环抛加工修正盘表面形状误差。
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公开(公告)号：CN103713102B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310744567.5
申请日：2013-12-30
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： G01N33/00
摘要： 大口径光学元件表面微缺陷修复用二维大行程联动装置，涉及大口径光学元件表面微缺陷修复用联动装置。该装置在大型高精度隔振平台上可实现二维联动，用以辅助晶体表面微缺陷的快速探测、精确定位、循环扫描等后续修复工作。X轴直线单元固定在精密平台上，X轴导轨连接板固定在X轴直线单元运动部件上；步进电机驱动X轴直线单元运动部件运动，Y轴导轨连接板固定在Y轴直线单元运动部件上；Y轴直线单元固定在Y轴导轨托盘中，Y轴导轨托盘与X轴导轨连接板定位连接，Y轴导轨托盘另一端为气浮端，气浮框架通过柔性铰链与Y轴导轨连接板连接。本发明用以辅助实现大口径光学元件晶体表面微缺陷修复时的微缺陷快速探测、精确定位与循环扫描等功能。
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公开(公告)号：CN102935525B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201210486506.9
申请日：2012-11-26
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种双主轴式超精密飞切铣床，涉及一种铣床。为解决现有的KDP超精密加工机床的主轴系统的刚度低、加工效率低的问题。所述铣床包括龙门式床身、纵向直线导轨系统、卧式电主轴系统左、卧式电主轴系统右及空气隔振支撑系统；纵向直线导轨系统位于龙门式床身的中部并固定在基座上；卧式电主轴系统左设置在左立柱上，卧式电主轴系统右设置在右立柱上，纵向直线导轨系统位于卧式电主轴系统左和卧式电主轴系统右之间，真空吸盘左和卧式电主轴系统左相对设置，真空吸盘右和卧式电主轴系统右相对设置。本发明实现了高精度的直线进给运动和刀盘的回转运动及双工件的同时切削，而且导轨和主轴均采用了液体静压的控制方式，具有高精度、高刚度的优点。
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公开(公告)号：CN102975299A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210486509.2
申请日：2012-11-26
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种双刀盘式超精密飞切铣床，它涉及一种铣床。本发明为解决现有的KDP超精密加工机床的主轴系统的刚度低、加工效率低的问题。所述铣床包括大理石T型床身、横向直线导轨系统、纵向直线导轨系统、双刀盘主轴系统、空气隔振支撑系统；横向直线导轨系统与纵向直线导轨系统垂直布置在大理石T型床身上，横向直线导轨系统位于纵向直线导轨系统的两端，双刀盘主轴系统位于纵上溜板上，两个真空吸盘和双刀盘主轴系统形成相对运动。本发明实现了高精度的直线进给运动和刀盘的回转运动及双工件的同时切削，而且导轨和主轴均采用了液体静压的控制方式，具有高精度、高刚度的优点。
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公开(公告)号：CN102935525A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201210486506.9
申请日：2012-11-26
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种双主轴式超精密飞切铣床，涉及一种铣床。为解决现有的KDP超精密加工机床的主轴系统的刚度低、加工效率低的问题。所述铣床包括龙门式床身、纵向直线导轨系统、卧式电主轴系统左、卧式电主轴系统右及空气隔振支撑系统；纵向直线导轨系统位于龙门式床身的中部并固定在基座上；卧式电主轴系统左设置在左立柱上，卧式电主轴系统右设置在右立柱上，纵向直线导轨系统位于卧式电主轴系统左和卧式电主轴系统右之间，真空吸盘左和卧式电主轴系统左相对设置，真空吸盘右和卧式电主轴系统右相对设置。本发明实现了高精度的直线进给运动和刀盘的回转运动及双工件的同时切削，而且导轨和主轴均采用了液体静压的控制方式，具有高精度、高刚度的优点。
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