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公开(公告)号：CN108023303A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711270651.2
申请日：2017-12-05
Applicant: 国网河南省电力公司检修公司 , 国家电网公司
Inventor： 李大鹏 , 陶留海 , 郝曙光 , 刘红伟 , 彭勇 , 沈辉 , 李应文 , 尹飞 , 李忠民 , 张建辉 , 张建壮 , 孙超 , 李雪奎 , 高昆鹏 , 杨东辉 , 陈雷 , 王来军 , 杨朝锋 , 张广钧 , 高嵩 , 崔磊 , 张利 , 李景昊 , 孙惠涛 , 郭栋 , 李瑞鹏 , 兰帅锋 , 赵龙 , 樊建军 , 刘阔 , 郭文博 , 马志 , 韩旭 , 靳航 , 秦岭 , 吴小磊 , 刘维
Abstract: 本发明提供一种大吨位液压紧线器，所述液压紧线器的泵体和活塞杆采用钛合金制件，所述钛合金按重量百分比由：Fe：2～4%、Sn：1.6～2.4%、Mo：0.3～0.4%、Al：3.5～4.5%、Zr：2～3%、Er：0.2～0.25%、C：0.02～0.08%和余量的Ti制成。本发明的大吨位液压紧线器采用专门研制的钛合金制成，具有强度高、质量轻的特点，可以适用于特高压交直流输电线路中更换绝缘子，且使得液压紧线器与传统的紧线器相比，重量降低将近一半，大大减轻了更换绝缘子时工作人员的负担，加快了工作的效率。
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公开(公告)号：CN107799416A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201711012160.8
申请日：2017-10-26
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 江苏中科君芯科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网浙江省电力公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及一种RC-IGBT器件的背面加工方法，其包括如下步骤：步骤1、提供制备有正面元胞结构的RC-IGBT晶圆，并将RC-IGBT晶圆的背面减薄至所需的厚度；步骤2、对RC-IGBT晶圆背面进行P型杂质离子注入；步骤3、将注入基片键合在上述RC-IGBT晶圆的背面；步骤4、将N型杂质离子注入到RC-IGBT晶圆的背面；步骤5、将注入基片与RC-IGBT晶圆的背面分离，并激活RC-IGBT晶圆背面的P型杂质离子与N型杂质离子；步骤6、对上述RC-IGBT晶圆的背面金属化。本发明工艺步骤简单，能够省去RC-IGBT晶圆背面N型杂质图形化注入所需的光刻工序，有效缩短RC-IGBT晶圆的加工周期，降低加工成本，与现有工艺兼容，安全可靠。
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公开(公告)号：CN107768437A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201711017439.5
申请日：2017-10-26
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 江苏中科君芯科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网山西省电力公司晋城供电公司
IPC: H01L29/739 , H01L23/488
Abstract: 本发明涉及一种用于压接式IGBT器件正面电极加工的基片，其包括能键合于压接式IGBT晶圆上方连接金属电极层的基片体，所述基片体的形状与压接式IGBT晶圆相一致，基片体上设有金属淀积图形，基片体键合于连接金属电极层上后，利用基片体的金属淀积图形能在连接金属电极层上方进行金属电极，并在基片体与连接金属电极层分离后，在连接金属电极层上得到与所述连接金属电极层电连接的压接金属电极层。本发明结构紧凑，能有效实现压接式IGBT器件正面上第二层金属电极的制备，可以省掉压接式IGBT器件正面第二层金属电极的光刻加工工序，有效缩短压接式IGBT器件的加工周期，降低加工成本，安全可靠。
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公开(公告)号：CN107634095A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201710828440.X
申请日：2017-09-14
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 江苏中科君芯科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明涉及一种沟槽型半导体功率器件及其制备方法，其半导体基板包括第一导电类型基区，所述元胞区采用沟槽结构，元胞沟槽设置于第一导电类型基区内，元胞沟槽内设置沟槽栅结构；在每个元胞沟槽的槽底外均设置第二导电类型浮空层，所述第二导电类型浮空层包覆元胞沟槽的槽底；在每个元胞沟槽下部的外侧均设置第一导电类型浮空层，第一导电类型浮空层位于第一导电类型基区内，所述第一导电类型浮空层包裹第二导电类型浮空层以及元胞沟槽的下部，第二导电类型浮空层与第一导电类型浮空层以及元胞沟槽的槽底外壁邻接。本发明在较小的元胞尺寸下，仍同时具备较好的击穿特性和正向导通的特性，具有较宽的短路安全工作区，与现有半导体工艺兼容。
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公开(公告)号：CN107403834A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710827889.4
申请日：2017-09-14
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 江苏中科君芯科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网浙江省电力公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/10
CPC classification number: H01L29/7395 , H01L29/1095
Abstract: 本发明涉及一种具有软关断特性的FS型IGBT器件，属于IGBT器件的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述具有软关断特性的FS型IGBT器件，包括第一导电类型衬底以及位于第一导电类型衬底背面的第一导电类型场截止层，在第一导电类型衬底的正面设置IGBT正面元胞；在第一导电类型场截止层上设置第二导电类型集电区；在第一导电类型衬底内设置用于在关断时能增加载流子数量的高电离率区域，高电离率区域的导电类型呈第一导电类型，所述高电离率区域位于第一导电类型衬底内的下部且高电离率区域靠近第二导电类型集电区。本发明结构紧凑，使得FS型IGBT器件具有软关断特性，在高压大功率工作时可有效降低EMI震荡，提高使用的稳定性以及可靠性。
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公开(公告)号：CN106505092A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610685489.X
申请日：2016-08-18
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网浙江省电力公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/861
CPC classification number: H01L29/0619 , H01L29/402 , H01L29/861
Abstract: 本发明提供一种垂直型半导体器件的双面终端结构，所述垂直型半导体器件为双极型晶体管、晶闸管、MOSFET、IGBT、MOSFET派生器件、IGBT派生器件或晶闸管派生器件；所述双面终端结构包括元胞区、终端区、阴极、门极和阳极；所述终端区包括正面终端和背面终端；所述正面终端和背面终端环绕在所述元胞区周围，所述阴极和门极沉积在所述元胞区的正面，所述阳极沉积在所述元胞区的背面。本发明提供的垂直型半导体器件的双面终端结构，在传统的正面终端基础上增加了背面终端结构，形成了双面终端结构，在不增加终端面积的前提下，提高了终端的整体耐压能力，提高了终端结构的效率。
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公开(公告)号：CN103928862A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410083421.5
申请日：2014-03-10
Applicant: 国家电网公司 , 河南省电力公司检修公司
IPC: H02G1/02
Abstract: 本发明公开了一种自提升式大吨位六分裂导线提线器，它含有提线器本体，所述提线器本体上端间隔设置两个卡线槽，所述提线器本体的下端间隔设置两个短吊钩和两个长吊钩，所述提线器本体与下液压丝杠固定连接，所述下液压丝杠通过绝缘绳或绝缘棒与上液压丝杠连接。所述两个卡线槽、两个短吊钩和两个长吊钩沿所述提线器本体的中垂线均分对称设置，它们的卡线点在同一个圆周上。本发明独创的六分裂提线钩与大吨位液压紧线器一体化设计，缩短了带电作业过程中金属工器具短接空气间隙的距离，保证了带电作业安全距离。另外，等电位作业操作简单，节省时间，减少劳动强度，保证了人员和设备的安全。
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公开(公告)号：CN106783984B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201611026227.9
申请日：2016-11-22
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国网上海市电力公司 , 国家电网公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供了一种双面终端结构、逆导型半导体器件及其制备方法，所述双面终端结构包括衬底、设置在衬底上表面的正面终端区和设置在衬底下表面的背面终端区，该背面终端区包括多个间断的第一导电离子掺杂区；所述逆导型半导体器件包括上述双面终端结构。与现有技术相比，本发明提供的一种双面终端结构、逆导型半导体器件及其制备方法，其终端结构可以在终端面积一定的情况下提高终端的整体耐压，提高终端结构的效率，其背面终端工艺与逆导型IGBT具有一定的兼容性。
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公开(公告)号：CN108615677A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201611125727.8
申请日：2016-12-09
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司
IPC: H01L21/28 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供了一种金属电极制备方法及平面栅型压接式IGBT，所述制备方法包括在衬底上预设的多个压力接触区对应的第一金属层上淀积第二金属层，形成金属电极；所述平面栅型压接式IGBT采用上述方法制备。与现有技术相比，本发明提供的一种金属电极制备方法及平面栅型压接式IGBT，在压力接触区上淀积两层金属，可以消除衬底中沟道区承受的压力，进而消除压力对功率器件的影响。
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公开(公告)号：CN108490245A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810320885.1
申请日：2018-04-11
Applicant: 国网河南省电力公司检修公司 , 国家电网公司
Inventor： 李大鹏 , 郝曙光 , 刘红伟 , 彭勇 , 李应文 , 李忠民 , 高嵩 , 张建辉 , 陶留海 , 张利 , 方强华 , 孟异山 , 刘阔 , 李雪奎 , 刘琦 , 孙超 , 陈鹏 , 秦岭 , 石生智 , 孙恵涛 , 郭栋 , 崔磊 , 唐志芳 , 李国栋 , 赵龙 , 樊建军 , 杨东辉 , 李景昊
IPC: G01R19/155
Abstract: 本发明属于高压验电设备和无线电技术领域，尤其是一种基于无人机搭载的输电线路验电装置，包括空中验电系统和地面监控系统，空中验电系统包括无人机和安装在无人机上的绝缘杆，绝缘杆上设置图像采集模块、图像发送模块、验电模块、第一中央处理模块和无线发送模块，地面监控系统包括图像接收模块、图像显示模块、无线接收模块、第二中央处理模块和报警模块。本发明采用双频双源的空中带电检测装置，空中搭载验电装置，无需人员登高作业，降低了人员的危险性，其次，双频双源保证了报警信号触发的可靠性。
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