公开(公告)号：CN109643848B

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN201780049511.4

申请日：2017-08-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大竹忠 ,  大类贵俊 ,  中村涉 ,  箕浦洁 ,  水崎真伸

IPC: H01Q3/34 ,  G02F1/13 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22 ,  H01Q21/06

Abstract: 一种液晶面板，其具备排列有多个天线单元的发送接收区域、和非发送接收区域，并具有：TFT基板，其具有第一电介质基板、由第一电介质基板支承的TFT、栅极总线、源极总线、以及贴片电极；缝隙基板，其具有第二电介质基板、和形成在第二电介质基板的第一主面上、与贴片电极对应配置且具有缝隙的缝隙电极；液晶层，其包含设置在TFT基板与缝隙基板之间的多个液晶区域；多个密封部，它们包围多个液晶区域的每一个，并将TFT基板与缝隙基板相互粘合，多个天线单元的每一个包含多个液晶区域中的任一个。

公开(公告)号：CN109690870B

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN201780048005.3

申请日：2017-07-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大竹忠 ,  大类贵俊 ,  中村涉 ,  箕浦洁 ,  水崎真伸

IPC: H01Q3/34 ,  G02F1/13 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22 ,  H01Q21/06

Abstract: 一种具有扫描天线的液晶面板(100A)，其具有：TFT基板(101A)，其具有第一电介质基板(1)、由第一电介质基板(1)支承的TFT、栅极总线、源极总线、以及贴片电极(15)；缝隙基板(201A)，其具有第二电介质基板(51)、和形成在第二电介质基板(51)的第一主面上并与贴片电极(15)对应配置的具有缝隙(57)的缝隙电极(55)；液晶层(LC)，其设置在TFT基板(101A)与缝隙基板(201A)之间。TFT基板以及缝隙基板的一个基板，在被密封部所包围的区域内，在相较于贴片电极(15)或者缝隙电极(55)更靠近液晶层(LC)一侧具有由树脂形成的突出层(44a)，突出层(44a)被配置为与缝隙电极(55)以及缝隙(57)均不重叠。

公开(公告)号：CN110192306A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201880006489.X

申请日：2018-01-11

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大类贵俊 ,  大竹忠 ,  中村涉 ,  箕浦洁 ,  纪藤贤一

IPC: H01Q3/34 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  H01L29/786 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22 ,  H01Q21/06 ,  G02F1/1368

Abstract: 扫描天线(1000)具有：TFT基板(101)，其具有支撑于第1电介质基板(1)的多个TFT、以及多个贴片电极(15)；缝隙基板(201C)，其具有支撑于第2电介质基板(51)的缝隙电极(55)；液晶层，其设置在TFT基板与缝隙基板之间；以及反射导电板(65)，其以隔着电介质层与上述第2电介质基板相对的方式配置。缝隙电极(55)具有与多个贴片电极(15)对应地配置的多个缝隙(57)，贴片电极(15)连接到对应的TFT的漏极，缝隙电极(55)具有Cu层(55MC、55MD)、以及下侧金属层(55LC、55LD)和/或上侧金属层(55UD)，下侧金属层和/或上侧金属层使Cu层具有的拉伸应力减小约一半以上。

公开(公告)号：CN109643848A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780049511.4

申请日：2017-08-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大竹忠 ,  大类贵俊 ,  中村涉 ,  箕浦洁 ,  水崎真伸

IPC: H01Q3/34 ,  G02F1/13 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22 ,  H01Q21/06

Abstract: 一种液晶面板(100P1)，其具备排列有多个天线单元(U)的发送接收区域、和非发送接收区域，并具有：TFT基板(101P1)，其具有第一电介质基板(1)、由第一电介质基板(1)支承的TFT、栅极总线、源极总线、以及贴片电极(15)；缝隙基板(201P1)，其具有第二电介质基板(51)、和形成在第二电介质基板(51)的第一主面上、与贴片电极(15)对应配置且具有缝隙(57)的缝隙电极(55)；液晶层(LC)，其包含设置在TFT基板(101P1)与缝隙基板(201P1)之间的多个液晶区域(LCr)；多个密封部(75p1)，它们包围多个液晶区域(LCr)的每一个，并将TFT基板(101P1)与缝隙基板(201P1)相互粘合，多个天线单元(U)的每一个包含多个液晶区域(LCr)中的任一个。

公开(公告)号：CN109196716A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201780031842.5

申请日：2017-05-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大竹忠 ,  箕浦洁 ,  中泽淳 ,  大类贵俊 ,  中村涉

IPC: H01Q3/34 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22 ,  H01Q21/06

Abstract: 扫描天线(1000A)具有：TFT基板(101)，其具有第一电介质基板(1)、由第一电介质基板(1)支撑的TFT、栅极总线、源极总线以及贴片电极(15)；缝隙基板(201A)，其具有第二电介质基板(51)、和形成于第二电介质基板(51)的第一主面上的缝隙电极(55)；液晶层(LC)，其设置在TFT基板(101)与缝隙基板(201A)之间；反射导电板(65)，其以隔着电介质层(54)与第二电介质基板(51)的第一主面相反侧的第二主面相对的方式配置，缝隙电极(55)具有与贴片电极(15)对应配置的缝隙(57)，贴片电极(15)连接到对应的TFT的漏极，在缝隙(57)中形成有低介电损耗物质层(57A)，其由相对于微波的介电损耗小于构成液晶层(LC)的液晶材料的物质构成。

公开(公告)号：CN107409455A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680014312.5

申请日：2016-03-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 田中哲宪 ,  中村涉 ,  冈崎庄治 ,  藤原正树

IPC: H05B33/10 ,  B23K26/064 ,  B23K26/402 ,  B23K26/57 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02

CPC classification number: H01L51/56 ,  B23K26/064 ,  B23K26/57 ,  B23K2101/36 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L51/50 ,  H01L51/5012 ,  H01L2251/56 ,  H05B33/10

Abstract: 具备：元件形成工序，在透明的支承基板8上形成基板层10之后，在该基板层10上形成薄膜元件；和元件剥离工序，通过从支承基板8的与形成有基板层10和薄膜元件的一侧相反的一侧照射激光La和Lb，使基板层10和薄膜元件从支承基板8剥离，在元件剥离工序中，从相互不同的多个方向照射激光La、Lb。

公开(公告)号：CN102884634B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201180023044.0

申请日：2011-04-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈崎庄治 ,  家根田刚士 ,  中村涉 ,  胜井宏充

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/41 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/78696 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13629 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384

Abstract: 半导体装置（18）具备：设于基板（101）上的栅极电极（102）；半导体层（104），其设于栅极电极（102）的上方，包含源极区域、漏极区域以及沟道区域；源极电极（106），其在半导体层（104）的上方连接到源极区域；以及漏极电极（107），其在半导体层（104）的上方连接到漏极区域，半导体层（104）在与漏极电极（107）重叠的部分具有沿着从漏极电极（107）引出的漏极配线延伸的方向向外侧突出的凸部，半导体层（104）在被漏极电极（107）和源极电极（106）夹着的沟道区域的外侧具有半导体层（104）的周缘位于比栅极电极（102）的周缘靠内侧的调整部。

公开(公告)号：CN103348484A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201280007738.X

申请日：2012-01-31

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 胜井宏充 ,  近间义雅 ,  中村涉 ,  田中哲宪 ,  纪藤贤一

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417

Abstract: 漏极电极（17）包括：以覆盖半导体层（14）的上表面的一部分的方式层叠的下层漏极电极（17a）和上层漏极电极（17b），半导体层（14）、下层漏极电极（17a）和上层漏极电极（17b）构成为台阶状，在构成为上述台阶状的部分，下层漏极电极（17a）的周边与上层漏极电极（17b）的周边的距离大于0.4μm且小于1.5μm。

公开(公告)号：CN102884634A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201180023044.0

申请日：2011-04-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈崎庄治 ,  家根田刚士 ,  中村涉 ,  胜井宏充

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/41 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/78696 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13629 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384

Abstract: 半导体装置（18）具备：设于基板（101）上的栅极电极（102）；半导体层（104），其设于栅极电极（102）的上方，包含源极区域、漏极区域以及沟道区域；源极电极（106），其在半导体层（104）的上方连接到源极区域；以及漏极电极（107），其在半导体层（104）的上方连接到漏极区域，半导体层（104）在与漏极电极（107）重叠的部分具有沿着从漏极电极（107）引出的漏极配线延伸的方向向外侧突出的凸部，半导体层（104）在被漏极电极（107）和源极电极（106）夹着的沟道区域的外侧具有半导体层（104）的周缘位于比栅极电极（102）的周缘靠内侧的调整部。

公开(公告)号：CN102473369A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080032650.4

申请日：2010-05-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 胜井宏充 ,  纪藤贤一 ,  中村涉

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1345 ,  G09F9/00 ,  H01L51/50 ,  H05B33/04 ,  H05B33/06 ,  H05B33/10 ,  H05B33/26

CPC classification number: H01L27/3276 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/3258

Abstract: 提供能防止覆盖有机绝缘膜的端面的透明导电膜的缺陷引起的金属电极的腐蚀的配线基板。有源矩阵基板(20)在玻璃基板(21)上设有：扫描配线(22)、栅极绝缘膜(24)、层间绝缘膜(29)、透明电极(33)。在扫描配线(22)中设有在扫描配线(22)上直接层叠有透明电极(33)的端子部(55)。透明电极(33)覆盖层间绝缘膜(29)的端面(29a)和栅极绝缘膜(24)的端面(24a)，延伸配置到端子部(55)。与端子部(55)相对的层间绝缘膜(29)的端面(29a)比与端子部(55)相对的栅极绝缘膜(24)的端面(24a)远离端子部。