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公开(公告)号：CN109786468A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811344315.2
申请日：2018-11-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/1054 , H01L29/78648
Abstract: 提供具备具有稳定的特性的可靠性高的氧化物半导体TFT的半导体装置。半导体装置具备氧化物半导体TFT，氧化物半导体TFT具有：氧化物半导体层，其具有包含沟道氧化物半导体层和保护氧化物半导体层的层叠结构，沟道氧化物半导体层配置在比保护氧化物半导体层靠基板侧；上部栅极电极，其隔着上部绝缘层配置在氧化物半导体层的一部分上；层间绝缘层，其覆盖氧化物半导体层和上部栅极电极；以及第1和第2电极，其电连接到氧化物半导体层，还具有至少贯通层间绝缘层和保护氧化物半导体层并且使沟道氧化物半导体层的一部分露出的第1开口部，第1电极配置在层间绝缘层上和第1开口部内，在第1开口部内与沟道氧化物半导体层的一部分直接接触。
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公开(公告)号：CN109659311A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811177093.X
申请日：2018-10-10
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 能够利用简单的步骤制造出能够应对显示图像的高分辨率的阵列基板。将阵列基板(1)设为具备叠层结构的构成，所述叠层结构包含：由旋涂玻璃材料构成的旋涂玻璃层(12)，配设于旋涂玻璃层(12)的下侧(液晶层的相反侧)的第一栅极布线(第一布线)(11)，以及以俯视阵列基板(1)时与第一栅极重叠的方式配设于旋涂玻璃层(12)的上侧(液晶层侧)的第二栅极布线(第二布线)。阵列基板(1)中，第一栅极布线(11)具有由铜构成的含铜层(M12)、及由钛构成的金属上层(M13)，金属上层(M13)叠层于含铜层(M12)的上侧且配置于含铜层(M12)与旋涂玻璃层(12)之间。
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公开(公告)号：CN109599435A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811148550.2
申请日：2018-09-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/786
Abstract: 提供一种薄膜晶体管，进一步增大漏极电流。TFT(10)具备：沟道部(15)，其包括半导体材料；源极电极(13)，其连接到沟道部(15)的一端侧；漏极电极(14)，其连接到沟道部(15)的另一端侧；上层侧栅极电极(11)，其在沟道部(15)的上层侧以与沟道部(15)重叠的方式配置；下层侧栅极电极(12)，其在沟道部(15)的下层侧以与沟道部(15)重叠的方式配置；上层侧栅极绝缘膜(16)，其配置为介于上层侧栅极电极(11)与沟道部(15)之间；以及下层侧栅极绝缘膜(17)，其配置为介于下层侧栅极电极(12)与沟道部(15)之间，其膜厚(T1)与上层侧栅极绝缘膜(16)相比相对较大。
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公开(公告)号：CN108713225A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201780014805.3
申请日：2017-02-27
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09G3/36 , G02F1/1368 , G09F9/30 , G09G3/20 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/1368 , G09F9/30 , G09G3/20 , G09G3/36 , H01L29/786
Abstract: 有源矩阵基板具备包含多级移位寄存器(240)的栅极驱动器，移位寄存器分别具有：多个氧化物半导体TFT；第1输入端子，其接收置位信号；第2输入端子，其接收时钟信号CK；第3输入端子，其接收清除信号CLR；以及输出端子，其向多个栅极总线中的1个栅极总线输出栅极输出信号，时钟信号和清除信号的高电平侧的电位相同，并且，时钟信号和清除信号的低电平侧的电位也相同，多个氧化物半导体TFT包含具有背栅结构的第1TFT(101)，第1TFT(101)的主栅极电极连接于第3输入端子或负侧电源电压VSS，背栅极电极的电位被设定为正侧电源电压VDD或接地电位。
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公开(公告)号：CN113540122B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202110397004.8
申请日：2021-04-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/12 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 有源矩阵基板具备多条源极总线以及多条栅极总线；多个氧化物半导体TFT，分别包括多个像素TFT以及多个电路TFT，各氧化物半导体TFT有氧化物半导体层和栅极，多个氧化物半导体TFT包括多个第一TFT和多个第二TFT和/或多个第三TFT，各第一TFT具有第一遮光结构，其以从基板的法线方向观察时与沟道区域的整体重叠的方式在氧化物半导体层和基板之间配置有第一遮光层，各第二TFT具有在氧化物半导体层和基板之间未配置遮光层的第二遮光结构，各第三TFT具有第三遮光结构，其以从基板的法线方向观察时仅与沟道区域的一部分重叠的方式在各氧化物半导体层和基板之间配置有第二遮光层，多个第一TFT包含多个像素TFT，多个第二TFT和/或多个第三TFT包含多个电路TFT的至少一部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113345914B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202110227439.8
申请日：2021-03-01
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/12 , H10K59/12 , H10K59/123
Abstract: 有源矩阵基板具有多个像素区域，其包括基板、与各像素区域对应设置的像素TFT以及与像素TFT电连接的像素电极。像素TFT为具有氧化物半导体层、设置在氧化物半导体层之上的栅极绝缘层和以隔着栅极绝缘层与氧化物半导体层相对的方式配置的栅极的顶栅结构TFT。栅极绝缘层由氧化硅形成。栅极绝缘层包括与氧化物半导体层接触的下层和位于下层之上的上层。下层所含的氢相对于氮的原子数比即下层H/N比为1.5以上且5.0以下。上层所含的氢相对于氮的原子数比即上层H/N比为0.9以上且2.0以下。下层H/N比大于上层H/N比。
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公开(公告)号：CN109599362B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN201811125993.X
申请日：2018-09-26
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种薄膜晶体管基板的制造方法和薄膜晶体管基板，提高开口率并且缓和台阶。阵列基板的制造方法具备：第1金属膜形成工序；栅极绝缘膜形成工序；半导体膜形成工序；第2金属膜形成工序；光致抗蚀剂膜形成工序，使用半色调掩模将形成在第2金属膜的上层侧的光致抗蚀剂膜图案化；第1蚀刻工序，将第2金属膜中的与光致抗蚀剂膜不重叠的部分选择性地除去；低电阻化工序，将半导体膜中的与光致抗蚀剂膜不重叠的像素电极构成部选择性地进行低电阻化处理而形成像素电极；第2膜厚部除去工序，将光致抗蚀剂膜的第2膜厚部选择性地除去；以及第2蚀刻工序，将与光致抗蚀剂膜的第1膜厚部不重叠的第2金属膜的电极间部选择性地除去。
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公开(公告)号：CN113540122A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110397004.8
申请日：2021-04-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/12 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 有源矩阵基板具备多条源极总线以及多条栅极总线；多个氧化物半导体TFT，分别包括多个像素TFT以及多个电路TFT，各氧化物半导体TFT有氧化物半导体层和栅极，多个氧化物半导体TFT包括多个第一TFT和多个第二TFT和/或多个第三TFT，各第一TFT具有第一遮光结构，其以从基板的法线方向观察时与沟道区域的整体重叠的方式在氧化物半导体层和基板之间配置有第一遮光层，各第二TFT具有在氧化物半导体层和基板之间未配置遮光层的第二遮光结构，各第三TFT具有第三遮光结构，其以从基板的法线方向观察时仅与沟道区域的一部分重叠的方式在各氧化物半导体层和基板之间配置有第二遮光层，多个第一TFT包含多个像素TFT，多个第二TFT和/或多个第三TFT包含多个电路TFT的至少一部分。
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公开(公告)号：CN111580315A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010092392.4
申请日：2020-02-14
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1362 , H01L27/12
Abstract: 一种有源矩阵基板和具备其的液晶显示装置，有源矩阵基板(10)具备：开关元件(120)，其连接到设置在基板上的栅极线和数据线；像素电极(130)，其与开关元件(120)连接；相对电极(140)，其在俯视时与像素电极(130)重叠；平坦化膜(154)；以及配线(142)。平坦化膜(154)覆盖开关元件(120)，在俯视时与配线(142)重叠的位置形成有贯通平坦化膜(154)的第1接触孔(CH1)。像素电极(130)和相对电极(140)以覆盖平坦化膜(154)的一部分的方式配置。在第1接触孔(CH1)中，相对电极控制配线(142)与相对电极(140)连接。
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公开(公告)号：CN106663470B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201580035417.4
申请日：2015-06-26
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明实现一种扫描信号线驱动用的移位寄存器，其能够在确保对长期动作的可靠性的同时实现显示装置的窄边框化和低耗电化。各级构成电路内的输出控制节点稳定部(420)包括：薄膜晶体管(M5)该薄膜晶体管(M5)的栅极端子被提供在从前一级输出的扫描信号应该从截止电平变化为导通电平的时刻从截止电平变化为导通电平的第四时钟(CKD)，漏极端子与输出控制节点(NA)连接，源极端子被提供从前一级输出的扫描信号；和薄膜晶体管(M6)，该薄膜晶体管(M6)的栅极端子被提供在从后一级输出的扫描信号应该从截止电平变化为导通电平的时刻从截止电平变化为导通电平的第三时钟(CKC)，漏极端子与输出控制节点(NA)连接，源极端子被提供从后一级输出的扫描信号。
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