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公开(公告)号：CN102598144A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080049283.9
申请日：2010-07-15
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G09G3/3685 , G09G2310/0275 , G09G2310/0286 , G11C19/287
Abstract: 本发明的目的在于在单片化之后的栅极驱动器内的移位寄存器中，不引起异常动作并且抑制电路面积的增大、消耗电流的增大和成本的增加，并缩短时钟下降沿-上升沿期间。移位寄存器(410)中，基于包括被施加到第奇数级的2相时钟信号(GCK1、GCK3)和被施加到第偶数级的2相时钟信号(GCK2、GCK4)的、相位各错开90度的4相时钟信号进行动作，各级中，第一节点的电位成为高电平时，第一时钟(CKA)的电位表现为扫描信号(GOUT)的电位。这样的结构中，各级中包括的第一节点的电位根据从前一级输出的扫描信号的脉冲而成为高电平，根据从其后的第三级输出的扫描信号的脉冲而成为低电平。
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公开(公告)号：CN101484839B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200780024821.7
申请日：2007-06-08
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1333 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/133345 , G02F1/133371 , G02F1/136227
Abstract: 本发明涉及液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。本发明的目的是以低成本提供一种高画质的半透过型液晶显示装置和反射型液晶显示装置。本发明的液晶显示装置是具备使入射光向显示面反射的反射部的液晶显示装置，反射部包括绝缘层、在绝缘层上形成的半导体层和在半导体层上形成的反射层，在反射层的表面形成有第一凹部和位于第一凹部内侧的第二凹部，反射部包括绝缘层的厚度与半导体层的厚度的合计厚度互不相同的第一区域和第二区域，所述第一凹部和所述第二凹部根据所述绝缘层和所述半导体层中至少一方的截面形状而形成。
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公开(公告)号：CN102308253A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200980156284.0
申请日：2009-11-05
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1345 , G09F9/30
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/133345 , G02F1/1339 , G02F1/134336 , G02F1/1345 , G02F1/13452 , G02F1/13454 , H01L27/1222 , H01L27/124
Abstract: 一种TFT阵列基板(20)，其是TFT元件和像素电极设置成矩阵状而成的，栅极总线由第1金属材料(M1)形成，源极总线由第2金属材料(M2)形成，像素电极由第3金属材料(M3)形成，在周边区域(24)，由第1金属材料(M1)形成的时钟配线(72)和由第2金属材料(M2)形成的分支配线(74)通过由第3金属材料(M3)形成的连接导体(102)在连接部分(80)连接，在连接部分(80)设有经由连接导体(102)露出分支配线(74)的分支配线通路(112)，分支配线通路(112)的至少一部分在俯视时与时钟配线(72)重合。
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公开(公告)号：CN101529317B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200780038782.6
申请日：2007-10-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/133553 , G02F1/136227 , G02F2201/34
Abstract: 本发明涉及液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。本发明提供一种反射效率高的高画质的半透过型和反射型液晶显示装置。本发明的液晶显示装置是具备反射区域的液晶显示装置，反射区域包括在具有多个凹部的金属层上形成的绝缘层、半导体层和反射层，在所述金属层的多个凹部之间，形成有多个分别具有底面、上表面和斜面的所述金属层的凸部，在设所述多个凸部各自的底面的宽度为a，底面与上表面之间的厚度为x，斜面相对于底面的倾斜角为θ，所述绝缘层、所述半导体层和所述反射层合计的厚度为y时，所述金属层的所述多个凸部的至少1个的底面的宽度a满足a≤2(x+y)/tanθ。
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公开(公告)号：CN101688993A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880021979.3
申请日：2008-05-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/133553 , G02F1/13439 , G02F1/136286 , G02F2203/03
Abstract: 本发明以低成本提供反射光的利用效率优异、高画质的反射型或者半透过型的液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。本发明的液晶显示装置具有多个像素，在上述多个像素的各个中具有使入射光向显示面反射的反射部，上述反射部包括：具有多个开口部的金属层；和夹着绝缘层、形成在上述金属层上的反射层，上述反射层的表面具有根据上述金属层的截面形状形成的多个凹部和凸部，上述金属层的上述多个开口部中相邻的两个开口部之间的距离中，最短的距离为0.3μm以上3.0μm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101529317A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780038782.6
申请日：2007-10-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/133553 , G02F1/136227 , G02F2201/34
Abstract: 本发明涉及液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。本发明提供一种反射效率高的高画质的半透过型和反射型液晶显示装置。本发明的液晶显示装置是具备反射区域的液晶显示装置，反射区域包括在具有多个凹部的金属层上形成的绝缘层、半导体层和反射层，在所述金属层的多个凹部之间，形成有多个分别具有底面、上表面和斜面的所述金属层的凸部，在设所述多个凸部各自的底面的宽度为a，底面与上表面之间的厚度为x，斜面相对于底面的倾斜角为θ，所述绝缘层、所述半导体层和所述反射层合计的厚度为y时，所述金属层的所述多个凸部的至少1个的底面的宽度a满足a≤2(x+y)/tanθ。
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公开(公告)号：CN101484839A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200780024821.7
申请日：2007-06-08
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1333 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/133345 , G02F1/133371 , G02F1/136227
Abstract: 本发明涉及液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。本发明的目的是以低成本提供一种高画质的半透过型液晶显示装置和反射型液晶显示装置。本发明的液晶显示装置是具备使入射光向显示面反射的反射部的液晶显示装置，反射部包括绝缘层、在绝缘层上形成的半导体层和在半导体层上形成的反射层，在反射层的表面形成有第一凹部和位于第一凹部内侧的第二凹部，反射部包括绝缘层的厚度与半导体层的厚度的合计厚度互不相同的第一区域和第二区域，所述第一凹部和所述第二凹部根据所述绝缘层和所述半导体层中至少一方的截面形状而形成。
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公开(公告)号：CN112054031B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202010494210.6
申请日：2020-06-03
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种有源矩阵基板，具备：基板；多个氧化物半导体TFT；多个栅极总线；多个源极总线；至少1个干配线，其设置于非显示区域，传递信号；及多个其它配线，其分别以与干配线至少部分重叠的方式配置。有源矩阵基板在基板上具有第1金属层、配置在第1金属层的上方的第2金属层及配置在第2金属层的上方的第3金属层。第1、第2及第3金属层中的任意一层包含源极总线，其它任意一层包含栅极总线。干配线形成于第1、第2及第3金属层中的2个金属层。其它配线形成于另1个金属层。干配线具有包含形成于2个金属层中的一方的下部配线和形成于2个金属层中的另一方且隔着绝缘层配置在下部配线上的上部配线的多层结构，下部配线与上部配线是电连接的。
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公开(公告)号：CN110246900B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201910168669.4
申请日：2019-03-06
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/24
Abstract: 提供具备能具有高迁移率和高可靠性的氧化物半导体TFT的半导体装置。半导体装置具备薄膜晶体管，薄膜晶体管的半导体层具有包括包含In、Ga、Zn及Sn的下部氧化物半导体层和配置于下部氧化物半导体层上且包含In、Ga及Zn的上部氧化物半导体层的层叠结构，下部氧化物半导体层的厚度是20nm以下，下部氧化物半导体层中的Sn相对于全部金属元素的原子数比是5％以上，上部氧化物半导体层不包含Sn，或者上部氧化物半导体层中的Sn相对于全部金属元素的原子数比小于下部氧化物半导体层中的Sn相对于全部金属元素的原子数比，下部氧化物半导体层的侧面与下表面之间的第1角度小于上部氧化物半导体层的侧面与下表面之间的第2角度。
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公开(公告)号：CN111755507A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010213981.3
申请日：2020-03-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/417 , H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/44 , H01L21/34
Abstract: 提供有源矩阵基板，其具备氧化物半导体TFT，能降低寄生电容。有源矩阵基板具备源极总线、下部绝缘层、包含氧化物半导体层的氧化物半导体TFT、栅极总线及多个配线连接部，氧化物半导体层在形成于下部绝缘层的源极用开口部内电连接到源极电极或源极总线，各配线连接部包含：下部导电部，其使用第1导电膜形成；下部绝缘层，其在下部导电部上延伸设置；氧化物连接层，其与氧化物半导体层使用相同氧化物膜形成，并在形成于下部绝缘层的下部开口部内电连接到下部导电部；绝缘层，其覆盖氧化物连接层；以及上部导电部，其在形成于绝缘层的上部开口部内电连接到氧化物连接层，氧化物连接层包含电阻率比氧化物半导体层的沟道区域的电阻率低的区域。
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