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公开(公告)号：CN117658762A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202410137106.X
申请日：2024-02-01
申请人： 大连科利德光电子材料有限公司
摘要： 本发明涉及电子特气提纯领域，尤其涉及电子级乙炔气体提纯方法，所述方法包括将乙炔原料气通入到装载有吸附组合物的吸附罐中的一级吸附除杂步骤以及与分子筛吸附剂接触的二级吸附除杂步骤，经过二级吸附除杂后的乙炔气通过压缩机压入已经充装吸附溶剂的钢瓶内。本发明通过对乙炔气体的选择性溶解以及解吸，从而实现乙炔气体以及杂质气体之间的选择性分离。并且通过一级吸附除杂以及二级吸附除杂两个步骤的联用，有效实现高效的乙炔气体提纯和充装，从而有效提高生产效率。
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公开(公告)号：CN108246277B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN201810235825.X
申请日：2018-03-21
申请人： 大连科利德光电子材料有限公司
IPC分类号： B01J23/04 , C07C17/363 , C07C19/16
摘要： 本发明公开了一种高效合成三氟碘甲烷方法，将CF3COOH蒸汽和碘蒸气，在催化剂作用下，反应生成三氟碘甲烷；所述催化剂是以活性炭或石墨烯为载体负载1～10wt％KNO3和2～7wt％RbNO3的催化剂；然后依次通过NaOH溶液，硅胶和分子筛来有效去除CF3I中的杂质和水分，由此高效收集高纯度CF3I产品。此方法具有反应速率快、选择性好、产率高、反应物利用率高，节约能源，有望实现工业化生产，满足当前的市场需求。
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公开(公告)号：CN115350690B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211167206.4
申请日：2022-09-23
申请人： 大连科利德光电子材料有限公司
IPC分类号： B01J20/22 , B01J20/20 , B01J20/14 , B01J20/10 , B01J20/08 , B01J20/06 , B01J20/04 , B01J20/30 , B01J20/32 , B01D53/02 , C01B35/06
摘要： 本发明涉及特种电子气体领域，尤其涉及电子级三氯化硼的提纯方法，其包括以下步骤：（S.1）将吸附组合物填充于吸附器中；（S.2）将吸附器抽负处理，除去吸附器中的空气，然后通入高纯三氯化硼气体；（S.3）向吸附器中通入三氯化硼原料气，使得三氯化硼原料气与所述吸附组合物接触，收集从吸附器中流出的气体，得到电子级三氯化硼气体。本发明能够有效将氯化氢杂质与三氯化硼之间形成的配位作用消除，从而提高了对于三氯化硼的吸附提纯效果，同时通过本发明中的吸附组合物能够对杂质气体起到优良的吸附效果，经过简单的吸附处理后的三氯化硼中杂质气体的浓度能够降低至ppb级别。
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公开(公告)号：CN115584482A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211324335.X
申请日：2022-10-27
申请人： 大连科利德光电子材料有限公司
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/455 , B01J20/30 , B01J20/32
摘要： 本发明涉及电子前驱体纯化领域，尤其涉及钽源前驱体的纯化方法，包括以下步骤：（S.1）将吸附剂分散于不具有挥发性的惰性液体介质中，得到吸附浆料；（S.2）将粗品钽源前驱体溶于吸附浆料中，使得粗品钽源前驱体与吸附剂相接触，从而使得粗品钽源前驱体中的杂质被吸附剂所吸附；（S.3）提升吸附浆料的温度至钽源前驱体的蒸发温度，使得钽源前驱体蒸发，从而形成钽源前驱体蒸汽；（S.4）收集钽源前驱体蒸汽并将其冷凝，得到高纯钽源前驱体。本发明在钽源前驱体的纯化过程中通过改变对于钽源前驱体的纯化方式，简化了提纯步骤，有效提高了纯化效率以及纯化效，并且在提纯过程中还有效降低了钽源前驱体纯化过程中的能源消耗。
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公开(公告)号：CN114870804B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202210652696.0
申请日：2022-06-10
申请人： 大连科利德光电子材料有限公司
IPC分类号： B01J20/20 , B01J20/10 , B01J20/04 , B01J20/02 , B01J20/30 , B01J20/32 , B01D53/02 , C01B6/10
摘要： 本发明涉及电子特种气体提纯领域，尤其涉及一种杂质气体吸附剂及其制备方法和应用，所述杂质气体吸附剂，包括多孔二氧化硅骨架；所述多孔二氧化硅骨架表面负载有碱土金属的氧化物或氢氧化物以及过渡金属的化合物；还包括包覆在多孔二氧化硅骨架外部的碳层；所述碳层外部还物理负载有铵盐。本发明在多孔二氧化硅骨架上负载有碱土金属的氧化物或氢氧化物以及过渡金属化合物，能够对乙硼烷中的杂质气体通过物理以及化学的方式进行吸附，有效提升了乙硼烷的纯度，同时本发明中的杂质气体吸附剂的使用方法简单，同时经过简单的吸附处理后的乙硼烷中氧气的浓度能够达到ppb级别。
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公开(公告)号：CN115350690A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211167206.4
申请日：2022-09-23
申请人： 大连科利德光电子材料有限公司
IPC分类号： B01J20/22 , B01J20/20 , B01J20/14 , B01J20/10 , B01J20/08 , B01J20/06 , B01J20/04 , B01J20/30 , B01J20/32 , B01D53/02 , C01B35/06
摘要： 本发明涉及特种电子气体领域，尤其涉及电子级三氯化硼的提纯方法，其包括以下步骤：（S.1）将吸附组合物填充于吸附器中；（S.2）将吸附器抽负处理，除去吸附器中的空气，然后通入高纯三氯化硼气体；（S.3）向吸附器中通入三氯化硼原料气，使得三氯化硼原料气与所述吸附组合物接触，收集从吸附器中流出的气体，得到电子级三氯化硼气体。本发明能够有效将氯化氢杂质与三氯化硼之间形成的配位作用消除，从而提高了对于三氯化硼的吸附提纯效果，同时通过本发明中的吸附组合物能够对杂质气体起到优良的吸附效果，经过简单的吸附处理后的三氯化硼中杂质气体的浓度能够降低至ppb级别。
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公开(公告)号：CN111333037B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202010297230.4
申请日：2020-04-15
申请人： 大连科利德光电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种制备99.99％纯度硫化氢气体的系统及方法，通过对吸附剂的处理和恒温变压吸附技术，将99.5％纯度硫化氢脱除精馏难以除去的丙烯、水等杂质，可得到99.99％纯度的高纯液体硫化氢。高纯硫化氢是一种重要的化工原料，是在工业硫化氢的基础上经过进一步提纯而得到的纯度在99.99％以上的硫化氢，其主要应用在国防化工、电子半导体等行业。
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公开(公告)号：CN114870804A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210652696.0
申请日：2022-06-10
申请人： 大连科利德光电子材料有限公司
IPC分类号： B01J20/20 , B01J20/10 , B01J20/04 , B01J20/02 , B01J20/30 , B01J20/32 , B01D53/02 , C01B6/10
摘要： 本发明涉及电子特种气体提纯领域，尤其涉及一种杂质气体吸附剂及其制备方法和应用，所述杂质气体吸附剂，包括多孔二氧化硅骨架；所述多孔二氧化硅骨架表面负载有碱土金属的氧化物或氢氧化物以及过渡金属的化合物；还包括包覆在多孔二氧化硅骨架外部的碳层；所述碳层外部还物理负载有铵盐。本发明在多孔二氧化硅骨架上负载有碱土金属的氧化物或氢氧化物以及过渡金属化合物，能够对乙硼烷中的杂质气体通过物理以及化学的方式进行吸附，有效提升了乙硼烷的纯度，同时本发明中的杂质气体吸附剂的使用方法简单，同时经过简单的吸附处理后的乙硼烷中氧气的浓度能够达到ppb级别。
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公开(公告)号：CN114162830B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202111681448.0
申请日：2021-12-31
申请人： 大连科利德光电子材料有限公司
IPC分类号： C01B35/06
摘要： 本发明涉及化工分离技术领域，具体涉及一种电子级三氯化硼的制备方法及其所获得的三氯化硼，在生成目标产物三氯化硼之前，先使金属杂质与氯气生成金属氯化物，由于金属与氯气反应温度通常在350℃至450℃，低于碳化硼与氯气生成三氯化硼的温度。因此在控制温度条件，可以将两种产物分开生成。生成的金属氯化物在400℃至450℃温度下已经气化，随着未反应的氯气排出。去除金属杂质后，再进行碳化硼与氯气的反应，生成目标产物三氯化硼。本发明可以深度去除三氯化硼中的金属氯化物杂质，去除率达到95%以上。结合吸附和精馏，对其它杂质进行有效去除，得到的三氯化硼纯度达到99.999%，满足5N标准。
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公开(公告)号：CN111333037A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010297230.4
申请日：2020-04-15
申请人： 大连科利德光电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种制备99.99％纯度硫化氢气体的系统及方法，通过对吸附剂的处理和恒温变压吸附技术，将99.5％纯度硫化氢脱除精馏难以除去的丙烯、水等杂质，可得到99.99％纯度的高纯液体硫化氢。高纯硫化氢是一种重要的化工原料，是在工业硫化氢的基础上经过进一步提纯而得到的纯度在99.99％以上的硫化氢，其主要应用在国防化工、电子半导体等行业。
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