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公开(公告)号：CN102649363B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201210046942.4
申请日：2012-02-27
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: B41J2/16 , B41J2/1628 , B41J2/1646
Abstract: 本发明公开了流道结构、制造该流道结构的方法、以及液体喷射头。该流道结构包括：第一基板，其中设置有第一流道部分；第一粘合层，其设置在所述第一基板上；第一贵金属层，其包含金，并且设置在第一基板上的第一粘合层上方；第二基板，其中设置有第二流道部分；第二粘合层，其设置在所述第二基板上；第二贵金属层，其包含金，并且设置在第二基板上的第二粘合层上方；和Au管状结构，其布置在第一和第二贵金属层之间，所述第一和第二贵金属层跨所述Au管状结构彼此面对，所述Au管状结构具有中空部，所述中空部用作连通第一和第二流道部分的连通流道部分，所述Au管状结构的金含量不低于90at％。
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公开(公告)号：CN102113144B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN200980129916.4
申请日：2009-07-27
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/316 , B41J2/045 , B41J2/055 , B41J2/16 , C04B35/49
CPC classification number: B41J2/161 , B41J2/1646 , C04B35/49 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/1875 , H01L41/316 , Y10T29/42
Abstract: 提供一种具有含Pb的压电膜的压电器件，该压电膜的耐久性得到改善并且没有降低压电性质。压电器件(1)在基板(11)上以下列顺序具有下部电极(12)；压电膜(13)，其包含由下面的通式(P)表示的含Pb的钙钛矿氧化物；以及上部电极(14)，其中烧绿石氧化物层(13p)的平均层厚度Th不大于20nm。通式(P)：AaBbO3，其中，A：至少一种类型的包含Pb作为主要组分的A位元素，B：至少一种类型的B位元素，所述B位元素选自由Ti、Zr、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Sc、Co、Cu、In、Sn、Ga、Zn、Cd、Fe和Ni组成的组，以及O：氧元素。
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公开(公告)号：CN102648862A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210048313.5
申请日：2012-02-28
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: A61B17/00
CPC classification number: A61B17/320036 , A61B17/2202 , A61B2017/00526 , H01L41/081 , H01L41/25 , H01L41/316 , Y10T29/42
Abstract: 提供了一种可以达到高振动速度的共振换能器、制造共振换能器的方法和包括所述共振换能器的超声处置工具。具体地，提供了一种共振换能器，其包括：振动板；以及压电元件，该压电元件包括层压在振动板上的压电膜和上电极，其中，压电膜被施加有压缩应力，并且提供了一种制造共振换能器的方法和包括共振换能器的超声处置工具。优选地，施加至压电膜的内应力为等于大于100MPa的压缩应力。
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公开(公告)号：CN101376965B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200810214955.1
申请日：2008-08-29
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C23C14/34 , H01L21/203
CPC classification number: H01J37/34 , B41J2/161 , B41J2/1646 , C23C14/088 , H01J37/3444 , H01L41/316
Abstract: 本发明提供一种溅射方法及溅射装置，其以简单的构成、简单的控制可实现防止了反溅射的膜的高品质化、组成不一致的控制及成膜再现性的提高，从而能够成膜无膜质的变化的高品质的压电膜、绝缘膜或电介质膜等薄膜。具有在真空容器内保持靶材的溅射电极、及和溅射电极对向且离开地配置且保持基板的基板支架，还包括用于调节基板支架的阻抗的可调节的阻抗电路，通过调节阻抗电路的阻抗，来调节基板支架的阻抗，从而调节所基板的电位，由此来解决上述课题。
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公开(公告)号：CN102299253A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110175725.0
申请日：2011-06-24
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H01L41/1876 , B41J2/14233 , B41J2202/03 , C04B35/493 , C04B2235/3255 , C04B2235/3298 , C04B2235/768 , C04B2235/79 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/316
Abstract: 本发明公开了压电膜、压电装置和液体喷出设备。该压电膜具有由多个圆柱晶体构成的圆柱晶体结构，并且包含由下列表达式(P)所表示的钙钛矿氧化物作为主要成分：PbaAb[(ZrcTi1-c)1-dBd]Oe (P)其中，Pb和A是A位置元素，并且A是从由以下元素所构成的组中选择的至少一种元素：Bi、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Ca、Sr和Ba；Zr、Ti和B是B位置元素，并且B是从由以下元素所构成的组中选择的至少一种元素：Nb、Ta和Sb；a是铅的量，b是元素A的量，c是Zr/Ti比，d是元素B的量，e是氧的量；a、b和d的值满足a＜1、a+b≥1、以及0＜d＜b；并且e的值在获得钙钛矿结构的范围之内并且e＝3是标准的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101665907B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200810213389.2
申请日：2008-09-02
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: C23C14/088 , B41J2/14233 , B41J2/155 , B41J2202/03 , C04B35/493 , C04B2235/3227 , C04B2235/3251 , C04B2235/3258 , C04B2235/3298 , C04B2235/72 , C23C14/3407 , H01L41/0805 , H01L41/1876 , H01L41/316
Abstract: 本发明涉及一种用于形成铁电体膜的方法，铁电体膜，铁电体器件和液体排出装置。为了在A位掺杂至少5摩尔％的给体离子，在使得等离子体电位和浮动电位之差至多为35eV这样的屏蔽体(250)的高度的条件下，以及在至少400℃的基板温度的条件下，通过溅射在面向靶(T)的基板(B)上形成含有式(P)的钙钛矿型氧化物的铁电体膜(40)，所述屏蔽体(250)以非接触的状态环绕在所述基板侧的靶(T)的外周边，并且包括以一定间隔叠置的屏蔽层(250a，250a，...)：(Pb1-x+δMx)(ZryTi1-y)Oz ...(P)，其中M表示选自Bi和镧系元素中的至少一种元素，0.05≤x≤0.4，并且0＜y≤0.7，标准组成是使得δ＝0和z＝3这样的标准组成。
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公开(公告)号：CN102159748A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200980136836.1
申请日：2009-09-16
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C23C14/34 , B41J2/045 , B41J2/055 , B41J2/16 , H01L21/31 , H01L21/316 , H01L41/09 , H01L41/18 , H01L41/187
CPC classification number: B41J2/161 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , B41J2202/03 , C23C14/08 , C23C14/088 , C23C14/34 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01L41/0973 , H01L41/316
Abstract: 本发明提供了一种成膜方法，所述成膜方法实现了在面内方向上的膜性质如组成的高度均化，而与形成的膜的组成和基板尺寸无关。在将基板(B)和靶(T)放置成相互面对的情况下，当使用等离子体通过气相沉积在基板(B)上形成含有靶(T)的构成元素的膜时，在距离靶(T)的朝向基板(B)的表面为2-3cm的地方，将基板(B)的面内方向上的等离子体空间中的等离子体电位Vs(V)的变动控制在±10V内。优选的是，在距离靶(T)的朝向基板(20)的表面为2-3cm的地方，将基板(B)的面内方向上的气体压力的变动控制在±1.5％内的情况下进行成膜。
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公开(公告)号：CN102113144A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980129916.4
申请日：2009-07-27
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: B41J2/161 , B41J2/1646 , C04B35/49 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/1875 , H01L41/316 , Y10T29/42
Abstract: 提供一种具有含Pb的压电膜的压电器件，该压电膜的耐久性得到改善并且没有降低压电性质。压电器件(1)在基板(11)上以下列顺序具有下部电极(12)；压电膜(13)，其包含由下面的通式(P)表示的含Pb的钙钛矿氧化物；以及上部电极(14)，其中烧绿石氧化物层(13p)的平均层厚度Th不大于20nm。通式(P)：AaBbO3，其中，A：至少一种类型的包含Pb作为主要组分的A位元素，B：至少一种类型的B位元素，所述B位元素选自由Ti、Zr、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Sc、Co、Cu、In、Sn、Ga、Zn、Cd、Fe和Ni组成的组，以及O：氧元素。
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公开(公告)号：CN101273478B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680035458.4
申请日：2006-09-15
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L41/09 , H01L41/18 , H01L41/187 , H01L41/22
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2202/03 , H01L41/0973 , H01L41/1876
Abstract: 一种压电器件(1)包括：压电体(13)以及多个电极(12，14)，它们将电场以预定方向施加到所述压电体(13)。所述压电体(13)包含一种无机化合物多晶体，该无机化合物多晶体包含当未施加电场时具有晶体取向特性的第一铁电物质晶体，并且该无机化合物多晶体具有这样的特性，即，通过施加至少为预定电场E1的电场，所述第一铁电物质晶体的至少一部分经历了到其晶系不同于所述第一铁电物质晶体的晶系的第二铁电物质晶体的相变。在所施加的最小电场Emin和所施加的最大电场Emax满足Emin＜E1＜Emax的条件下所述压电器件(1)被驱动。
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公开(公告)号：CN101388432A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810213853.8
申请日：2008-09-11
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L41/08 , H01L41/09 , H01L41/047 , H01L41/22 , B41J2/14
CPC classification number: B41J2/1612 , B41J2/14274 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1642 , B41J2/1643 , B41J2/1645 , B41J2/1646 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/316 , Y10S29/016 , Y10T29/42 , Y10T29/49156
Abstract: 本发明提供一种压电元件，其能够容易地以高精度来制造，并且廉价且电力消耗少。该压电元件具有基板、在基板上所形成的第1电极、在第1电极上所形成的压电体膜、在压电体膜的与第1电极所形成的面相反一侧的面上所形成的第2电极，第1电极由基板侧的第1层和压电元件侧的第2层构成，且第1层是由湿刻的蚀刻速率与所述基板不同的材料形成的。
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