具有超级多稳定性的连续型Rulkov电子神经元电路

    公开(公告)号:CN113344191A

    公开(公告)日:2021-09-03

    申请号:CN202110544138.8

    申请日:2021-05-19

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明涉及电子神经元技术领域,尤其涉及具有超级多稳定性的连续型Rulkov电子神经元电路,包括:忆阻等效电路和Rulkov神经元主电路,忆阻等效电路输出端和Rulkov神经元主电路输入端电性连接,忆阻等效电路包括依次电性连接的运算放大器U1、乘法器M1、M2、电阻R1、R2、R3和电容C1,Rulkov神经元主电路包括电性连接的积分通道一和积分通道二。本发明采用前向差分算法将离散时间Rulkov神经元模型变换为连续时间Rulkov神经元模型,并引入正弦激励和忆阻电磁感应作用,为神经形态计算提供更多的灵活性,设计连续时间Rulkov神经元模型的模拟电路,为离散型神经元模型连续化的研究及其硬件实现提供参考价值。

    一种双极性脉冲电流激励二维Wilson神经元模型的电路

    公开(公告)号:CN113033793A

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN202110228589.0

    申请日:2021-03-02

    Applicant: 常州大学

    Inventor: 徐权

    Abstract: 本发明涉及一种双极性脉冲电流激励二维Wilson神经元模型的电路,包括双极性脉冲电压电路和二维Wilson神经元主电路;二维Wilson神经元电路是基于二维Wilson神经元模型:式中,v为膜电位,r为恢复变量,Cm是膜电容,IBP为双极脉冲电流,m∞(v)为Na+激活函数,r∞(v)为恢复变量的状态方程:IBP表示:IBP=Hsign(sin2πFτ),控制变量H表示振幅,F表示频率。本发明利用模拟元件构建了二维Wilson神经元电路模型,并通过数值仿真和电路实验验证了Wilson神经元电路模型有效性,可作为二维Wilson神经元复杂动力学的理论分析和实验研究样本。

    一种基于有源带通滤波器的蔡氏忆阻混沌电路

    公开(公告)号:CN106911463A

    公开(公告)日:2017-06-30

    申请号:CN201710040923.3

    申请日:2017-01-17

    Applicant: 常州大学

    CPC classification number: H04L9/001

    Abstract: 本发明公开了一种基于有源带通滤波器的蔡氏忆阻混沌电路,包括电容C1、负电阻、有源带通滤波器、一阶广义忆阻GM;该装置基于蔡氏电路的拓扑结构,用广义忆阻模拟器替换电阻,其中电容C1正极端与广义忆阻的输出端相连,电容C2负极端与广义忆阻的输入端相连;该电路是一种新型无感忆阻混沌电路,电路拓扑结构简单,易于物理实现,对于混沌电路在信息工程领域的应用具有较大的意义。

    一种三阶忆阻有源带通滤波器混沌电路

    公开(公告)号:CN106603220A

    公开(公告)日:2017-04-26

    申请号:CN201611200090.4

    申请日:2016-12-22

    Applicant: 常州大学

    CPC classification number: H04L9/001

    Abstract: 本发明公开了一种三阶忆阻有源带通滤波器混沌电路。基于二阶有源带通滤波器的电路结构形式,仅用一个忆阻W替换原有的一个电阻R,实现了一个无电感元件的忆阻混沌电路。该电路由运算放大器U,电容C1、C2,电阻R1、R2、R3和忆阻W构成。其结构简单,避开电感元件,且易于实验观测和集成电路(IC)设计,可作为一种新的混沌电路用于各种基于混沌的信息工程应用中。

    一种耦合一阶广义忆阻器实现的四阶忆阻Colpitts混沌信号发生器

    公开(公告)号:CN105306192A

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201510663159.6

    申请日:2015-10-14

    Applicant: 常州大学

    CPC classification number: H04L9/001

    Abstract: 本发明公开了一种耦合一阶广义忆阻器实现的四阶忆阻Colpitts混沌信号发生器,包括一阶广义忆阻器M、电容C1、电容C2、电感L、电阻R1、双极性晶体三极管Q。本发明的耦合一阶广义忆阻器实现的四阶忆阻Colpitts混沌信号发生器通过调节电路参数即可产生单涡卷混沌吸引子、周期极限环等复杂的非线性现象,使其成为了一类新型的混沌信号发生器。其结构简单,稳定性强,具有显著的混沌特性,对于忆阻混沌电路的应用发展起到较大的推进作用。

    一种桥接二极管对实现的简易蔡氏混沌电路

    公开(公告)号:CN104821797A

    公开(公告)日:2015-08-05

    申请号:CN201510179801.3

    申请日:2015-04-15

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明公开了一种桥接二极管对实现的简易蔡氏混沌电路,包括负阻G、电容C1、电容C2、电感L、二极管对;其中负阻G的正、负极端分别与电容C1的正、负极端相连构成有源RC振荡电路;电感L与C2并联构成LC振荡电路;二极管对桥接在LC振荡电路与有源RC振荡电路之间。本发明的桥接二极管对实现的简易蔡氏混沌电路通过调节电路参数即可产生双涡卷及分岔共存的单涡卷混沌吸引子,使其成为了一类简易蔡氏混沌电路,对于混沌系统的发展起到较大的推进作用。

    基于广义忆阻Colpitts振荡器的混沌信号发生器

    公开(公告)号:CN104283671A

    公开(公告)日:2015-01-14

    申请号:CN201410451930.9

    申请日:2014-09-05

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于广义忆阻Colpitts振荡器的混沌信号发生器,包括电容C1、电容C2、电容C3、电感L、电阻R1、电阻R2、双极性晶体管Q、基于忆阻二极管桥的广义忆阻器M。本发明基于广义忆阻Colpitts振荡器的混沌信号发生器通过将基于忆阻二极管桥的广义忆阻器电路引入到四阶Colpitts振荡器电路中,通过调节系统参数即可产生多种混沌现象,使其成为了一类新型的混沌信号发生器。其结构简单,稳定性强,具有显著的混沌特性,对于混沌系统的发展有推进作用。

    脉冲跨周期调制开关变换器低频波动抑制装置及方法

    公开(公告)号:CN103178712A

    公开(公告)日:2013-06-26

    申请号:CN201310095923.5

    申请日:2013-03-25

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明公开了一种脉冲跨周期调制开关变换器低频波动抑制装置,包括控制电路和功率电路;控制电路包括电压检测装置、基准电压、比较器、D触发器、与门和驱动电路,电压检测装置和基准电压连接比较器,比较器连接D触发器,经与门,连接驱动电路;功率电路包括输入、开关装置、滤波装置、输出和RC积分装置,输入连接开关装置,经开关装置连接滤波装置和RC积分装置,经滤波装置和RC积分装置进入输出;驱动电路连接功率电路的开关装置。本发明的方法使开关电源在负载发生突变时,控制器能快速响应,使开关电源迅速恢复稳态;并且它的输出电压的纹波小,能跨周期调制,使变换器低频波动现象得到抑制,使电感电流与输出电压的纹波同步。

    一种产生双向动作电位的忆阻细胞神经元电路

    公开(公告)号:CN117808060B

    公开(公告)日:2025-03-14

    申请号:CN202311699699.0

    申请日:2023-12-12

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明涉及神经元电路技术领域,尤其涉及一种产生双向动作电位的忆阻细胞神经元电路,包括将细胞神经元模型中的线性电阻替换为忆阻,构建忆阻细胞神经元模型;通过调整忆阻细胞神经元模型中的双曲正切函数梯度值,产生不同状态的双向尖峰放电相轨特性。本发明解决现有神经元网络模型不具备双向动作电位能力,从而编码能力弱,无法执行复杂的计算和信息处理任务的问题。

    一种基于矩阵运算的定制多结构混沌吸引子构造方法

    公开(公告)号:CN118368052A

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202410616015.4

    申请日:2024-05-17

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明涉及混沌吸引子构造技术领域,尤其涉及一种基于矩阵运算的定制多结构混沌吸引子构造方法,包括构造第一矩阵变换和第二矩阵变换,并应用于种子混沌系统;利用第一矩阵变换对种子混沌系统进行坐标变换;利用第二矩阵变换对坐标变换后的种子混沌系统进行平移、旋转、镜像及组合形式的系统变换;引入多级脉冲序列实现种子混沌系统在应用不同组合变换时的位置切换。本发明解决现有方法仅适用于特殊系统、缺乏控制灵活性的明显局限性问题。

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