公开(公告)号：CN118607600B

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202410760137.0

申请日：2024-06-13

Applicant: 常州大学

Inventor： 徐权 ,  丁新成 ,  方玉健 ,  王艺腾 ,  刘奥

IPC: G06N3/063

Abstract: 本发明涉及神经形态电路技术领域，尤其涉及一种忆阻离子通道型神经形态电路，包括：压控型二阶局部有源忆阻W、直流偏置电压E、电容CM和正弦激励信号Iext，压控型二阶局部有源忆阻W串联直流偏置电压E作为离子通道，电容CM作为神经元脂质双层膜，调节正弦激励信号Iext的电流幅值，产生周期六簇发放电、混沌尖峰放电和周期四尖峰放电行为。本发明设计一种忆阻离子通道型神经形态电路，涉及生物神经元中离子通道的忆阻表达问题，进而通过硬件电路加以实现。

公开(公告)号：CN118862988A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410866594.8

申请日：2024-07-01

Applicant: 常州大学

Inventor： 武花干 ,  谷锦翔 ,  丁新成 ,  徐权 ,  陈墨

IPC: G06N3/065

Abstract: 本发明涉及神经元电路技术领域，尤其涉及产生单向动作电位的忆阻忆容驱动型细胞神经元电路，包括正弦交流电源、荷控忆容电路、局部有源忆阻电路、电阻Ra、Rb、RW、R14、运算放大器U7、精密运算放大器CT3和负绝对值电路，负绝对值电路的输出端与Ra连接后接入U7的反向输入端，U7的反向输入端分别与R14及Rb的一端连接，R14的另一端与U7的输出端及CT3的正极连接，CT3的负极与RW连接后与U7的同向输入端连接，CM与GM并联两端与Iext两端连接，CM与GM并联两端还分别与CT3的Z端及U7的同向输入端连接。本发明为忆阻忆容驱动型细胞神经网络的研究及其电路实现提供价值。

公开(公告)号：CN117808060A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202311699699.0

申请日：2023-12-12

Applicant: 常州大学

Inventor： 武花干 ,  谷锦翔 ,  张建林 ,  徐权 ,  陈墨

IPC: G06N3/063 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/048

Abstract: 本发明涉及神经元电路技术领域，尤其涉及一种产生双向动作电位的忆阻细胞神经元电路，包括将细胞神经元模型中的线性电阻替换为忆阻，构建忆阻细胞神经元模型；通过调整忆阻细胞神经元模型中的双曲正切函数梯度值，产生不同状态的双向尖峰放电相轨特性。本发明解决现有神经元网络模型不具备双向动作电位能力，从而编码能力弱，无法执行复杂的计算和信息处理任务的问题。

公开(公告)号：CN114710118B

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202210371944.4

申请日：2022-04-11

Applicant: 常州大学

Inventor： 陈墨 ,  王超 ,  王安凯 ,  徐权 ,  武花干

IPC: H03B5/12 ,  G06F30/367

Abstract: 本发明涉及电子信息技术领域，尤其涉及一种带直流偏置电压的隐藏吸引子产生电路，包括直流偏置电压和忆阻蔡氏电路，直流偏置电压与忆阻蔡氏电路电性连接，得到产生隐藏动力学的直流电压偏置忆阻蔡氏电路，忆阻蔡氏电路包括：忆阻等效电路、电阻R、电容C1、电容C2和电感L。本发明基于已有混沌振荡电路，合理施加直流偏置电压，获得具有隐藏动力学的物理振荡电路。

公开(公告)号：CN116011536B

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202211555056.4

申请日：2022-12-06

Applicant: 常州大学

Inventor： 徐权 ,  王艺腾 ,  陈雄建 ,  丁首魁 ,  刘通 ,  武花干 ,  陈墨

IPC: G06N3/065

Abstract: 本发明涉及神经形态电路技术领域，尤其涉及一种基于局部有源忆阻的神经形态电路，包括浮地型二阶局部有源忆阻替换钠离子通道电导GNa与钠离子通道偏置电压ENa串联构成一条支路；浮地型一阶局部有源忆阻替换钾离子通道电导GK并与钾离子通道的偏置电压EK串联构成一条支路；泄漏通道电阻RL与泄漏通道的偏置电压EL串联构成一条支路；控制激励电阻Rs与外加激励vs串联构成一条支路，膜电容C与各个支路并联。本发明设计了基于局部有源忆阻的神经形态电路，涉及生物神经元细胞膜中的钠离子通道与钾离子通道的忆阻表达问题，进而通过硬件电路加以实现。

公开(公告)号：CN114881220B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202210535198.8

申请日：2022-05-17

Applicant: 常州大学

Inventor： 徐权 ,  陈雄建 ,  丁首魁 ,  刘通 ,  王艺腾 ,  武花干

IPC: G06N3/065

Abstract: 本发明涉及电子神经元技术领域，尤其涉及一种基于FHN神经元的三次非线性函数拟合电路，包括拟合三次非线性函数电路和FHN神经元主电路，以及拟合三次非线性函数电路与FHN神经元主电路电性连接，拟合三次非线性函数电路包括：电阻R1‑R8、Ra‑Rc、运算放大器U1‑U3、三极管Q1、Q2、直流电流源I0和直流电压源Vcc；FHN神经元主电路包括：电阻R9‑R16、运算放大器U4‑U6、电容C1、C2、直流电压源V和交流电压源Vs。本发明解决现有技术中FHN神经元电路实现，因三次非线性项的实现需要使用乘法器，造成成本高、IC集成电路中占用较大硅基面积的技术难题。

公开(公告)号：CN116980108A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202311006742.0

申请日：2023-08-10

Applicant: 常州大学

Inventor： 王宁 ,  徐单 ,  徐权 ,  俞希洪

IPC: H04L9/00

Abstract: 本发明涉及混沌电路技术领域，尤其涉及一种蔡氏隐藏混沌吸引子发生电路，包括第一积分电路、第二积分电路、第三积分电路和蔡氏二极管电路；第一积分电路用于求解蔡氏非线性系统方程的第一维变量；第二积分电路用于求解蔡氏非线性系统方程的第二维变量；第三积分电路用于求解蔡氏非线性系统方程的第三维变量；蔡氏二极管电路利用运算放大器的输出饱和特性，实现蔡氏二极管非线性函数，通过蔡氏非线性系统方程产生蔡氏隐藏混沌吸引子。本发明为隐藏吸引子的实验观察提供了一种有效的途径。

公开(公告)号：CN116384453A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310076052.6

申请日：2023-01-18

Applicant: 常州大学

Inventor： 徐权 ,  陈雄建 ,  俞希洪 ,  王艺腾 ,  黄丽萍 ,  王凯 ,  王宁

IPC: G06N3/063 ,  G06N3/04 ,  G06F15/78

Abstract: 本发明涉及电子神经元技术领域，尤其涉及基于对称局部有源忆阻神经形态电路及FPGA数字电路，电路由对称局部有源忆阻GM与电容C并联，然后与电感L和双极性方波脉冲VBP串联组成，其中局部有源忆阻GM具有关于原点对称的局部有源区，通过双极型脉冲VBP将GM的静态工作点设置在忆阻局部有源区的“混沌边缘”附近，改变VBP的周期T和占空比B，可对该忆阻神经形态电路的不同放电模态进行调控。本发明提出了一种对称局部有源忆阻GM电路设计，并对该忆阻的非易失性和局部有源特性进行分析，进而设计3阶忆阻神经形态电路，通过FPGA数字电路实现数字化电子神经元电路，验证了该忆阻神经形态电路的有效性和可行性。

公开(公告)号：CN107093985A

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201710234529.3

申请日：2017-04-11

Applicant: 常州大学

Inventor： 徐权 ,  王宁 ,  包伯成 ,  蒋涛 ,  吴平业

IPC: H03B28/00

Abstract: 本发明公开了一种基于有源带通滤波器实现的四阶忆阻混沌电路。该电路由运算放大器U、电阻R1、R2、R3、电容C1、C2和二阶有源广义忆阻GM构成，其中，二阶有源广义忆阻GM由1个电流反向器(实现电阻‑RM)、1个二极管整流桥和1个并联LC网络构成。通过调节合适参数，可实现一个简易、可靠的混沌信号源。该电路产生的复杂的混沌信号可作为一种随机信号应用于保密通信等领域。

公开(公告)号：CN106357381A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610916575.7

申请日：2016-10-20

Applicant: 常州大学

Inventor： 徐权 ,  王宁 ,  包伯成 ,  杨艳 ,  张琴玲

IPC: H04L9/00

CPC classification number: H04L9/001

Abstract: 本发明公开了一种三阶忆阻混沌信号发生器。基于二阶有源带通滤波电路，仅用一个二极管桥广义忆阻替换线性电阻，实现了一种基于广义忆阻的混沌电路。该电路由运算放大器U，电容C1、C2，电阻R1、R2、R3和忆阻M构成。其结构简单，易于制作，可作为一种混沌信号产生器。