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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118862988B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202410866594.8
申请日：2024-07-01
Applicant: 常州大学
IPC: G06N3/065
Abstract: 本发明涉及神经元电路技术领域，尤其涉及产生单向动作电位的忆阻忆容驱动型细胞神经元电路，包括正弦交流电源、荷控忆容电路、局部有源忆阻电路、电阻Ra、Rb、RW、R14、运算放大器U7、精密运算放大器CT3和负绝对值电路，负绝对值电路的输出端与Ra连接后接入U7的反向输入端，U7的反向输入端分别与R14及Rb的一端连接，R14的另一端与U7的输出端及CT3的正极连接，CT3的负极与RW连接后与U7的同向输入端连接，CM与GM并联两端与Iext两端连接，CM与GM并联两端还分别与CT3的Z端及U7的同向输入端连接。本发明为忆阻忆容驱动型细胞神经网络的研究及其电路实现提供价值。
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公开(公告)号：CN117808060B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202311699699.0
申请日：2023-12-12
Applicant: 常州大学
IPC: G06N3/063 , G06N3/0464 , G06N3/048
Abstract: 本发明涉及神经元电路技术领域，尤其涉及一种产生双向动作电位的忆阻细胞神经元电路，包括将细胞神经元模型中的线性电阻替换为忆阻，构建忆阻细胞神经元模型；通过调整忆阻细胞神经元模型中的双曲正切函数梯度值，产生不同状态的双向尖峰放电相轨特性。本发明解决现有神经元网络模型不具备双向动作电位能力，从而编码能力弱，无法执行复杂的计算和信息处理任务的问题。
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公开(公告)号：CN117689030A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311599053.5
申请日：2023-11-28
Applicant: 常州大学
Abstract: 本发明涉及图像处理技术领域，尤其涉及一种面向图像加密应用的忆阻混沌发生方法及系统，包括在三维自适应突触神经元模型中引入余弦离散忆阻，得到余弦离散忆阻系统：#imgabs0#通过模拟仿真，得到不同参数下余弦离散忆阻系统的混沌动力学行为、吸引子共存行为。本发明解决现有技术中通过高维神经元模型才能产生较为复杂的动力学行为、且具备初值敏感性问题。
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公开(公告)号：CN118862988A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410866594.8
申请日：2024-07-01
Applicant: 常州大学
IPC: G06N3/065
Abstract: 本发明涉及神经元电路技术领域，尤其涉及产生单向动作电位的忆阻忆容驱动型细胞神经元电路，包括正弦交流电源、荷控忆容电路、局部有源忆阻电路、电阻Ra、Rb、RW、R14、运算放大器U7、精密运算放大器CT3和负绝对值电路，负绝对值电路的输出端与Ra连接后接入U7的反向输入端，U7的反向输入端分别与R14及Rb的一端连接，R14的另一端与U7的输出端及CT3的正极连接，CT3的负极与RW连接后与U7的同向输入端连接，CM与GM并联两端与Iext两端连接，CM与GM并联两端还分别与CT3的Z端及U7的同向输入端连接。本发明为忆阻忆容驱动型细胞神经网络的研究及其电路实现提供价值。
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公开(公告)号：CN117808060A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311699699.0
申请日：2023-12-12
Applicant: 常州大学
IPC: G06N3/063 , G06N3/0464 , G06N3/048
Abstract: 本发明涉及神经元电路技术领域，尤其涉及一种产生双向动作电位的忆阻细胞神经元电路，包括将细胞神经元模型中的线性电阻替换为忆阻，构建忆阻细胞神经元模型；通过调整忆阻细胞神经元模型中的双曲正切函数梯度值，产生不同状态的双向尖峰放电相轨特性。本发明解决现有神经元网络模型不具备双向动作电位能力，从而编码能力弱，无法执行复杂的计算和信息处理任务的问题。
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