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公开(公告)号：CN112207463B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202010645562.7
申请日：2020-07-07
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/53 , B23K26/02 , B23K26/046 , B23K26/70
Abstract: 提供激光加工装置，计算与改质层的高度位置对应的聚光透镜的适当的高度位置。控制单元的计算部使用设定部所设定的改质层的高度值(H1)和以下的(1)式来计算聚光透镜(183)的高度位置(Defocus)。Defocus＝(晶片1的厚度T1‑高度值H1‑b)/a▪▪(1)，即，根据设定部所设定的改质层的高度值(H1)，计算部能够使用(1)式来计算聚光透镜(183)的适当的高度位置。因此，不需要实施首先根据空气与晶片(1)的折射率之比来大致求出聚光透镜的高度位置，之后根据预先实施的实验结果对该高度位置进行微调整这两个阶段的调整。因此，能够更容易地决定聚光透镜的高度位置。并且，不需要实施用于微调整的麻烦的实验。
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公开(公告)号：CN113363147A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110223522.8
申请日：2021-03-01
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/304 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供分割方法和分割装置，能够形成期望宽度的分割槽。分割方法是沿着分割预定线形成有改质层并且粘贴在扩展片上的被加工物的分割方法，该分割方法包含如下的步骤：分割步骤，对扩展片进行扩展并沿着改质层对被加工物进行分割，形成沿着分割预定线的分割槽；扩展解除步骤，在实施了分割步骤之后，解除扩展片的扩展；以及槽宽度调整步骤，在实施了扩展解除步骤之后，对扩展片进行扩展而将分割槽形成为期望的宽度。
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公开(公告)号：CN110164810A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910109804.8
申请日：2019-02-11
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/683 , H01L21/78
Abstract: 提供分割装置和分割方法，能够以不使扩展后的芯片间隔变窄的方式使晶片的外周与环状框架的内周之间的带松弛并且热收缩，维持芯片间隔。在分割装置(1)中，工作台(10)具有：第1吸引部(11)，其对带(T)的中央进行吸引保持，具有第1吸引面(11a)；非吸引部(13)，其围绕第1吸引部的外侧面，具有环状的非吸引面；以及第2吸引部(12)，其围绕非吸引部的外侧面，具有环状的第2吸引面(12a)，因此能够利用工作台分别对带的中央和分割后的晶片(W)的外周与环状框架(F)的内周之间的环状的带(T1)进行吸引保持。由此，能够利用第2吸引面单独对环状的带进行吸引保持，以使得在芯片为小芯片的情况下也不会使扩展后的芯片间隔变窄，能够使环状的带可靠地热收缩而维持相邻的芯片间隔。
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公开(公告)号：CN110034045A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811579664.2
申请日：2018-12-24
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/67
Abstract: 提供分割装置，即使在扩展片的松弛方向和伸长方向中的任意一者不同的情况下，也能够适当地对扩展片松弛的部分进行加热。分割装置(10)具有框架固定部(40)、片扩展单元(50)以及加热单元(60)。加热单元(60)对扩展后的扩展片的环状区域进行加热而使扩展片的松弛部分收缩，加热单元(60)具有多个加热部(63)、转动部以及加热位置调整部。多个加热部(63)沿着环状区域设置在周向上。转动部使加热部(63)沿着扩展片的环状区域在周向上移动。加热位置调整部在被加工物的径向或与扩展片接近或远离的方向上对加热部(63)的位置进行调整。
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公开(公告)号：CN110010522A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811550001.8
申请日：2018-12-18
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供分割装置，能够抑制在加热时从扩展片产生的产生气体的成分附着于被加工物的正面。分割装置具有：框架固定部(40)，其固定被加工物单元(9)的环状框架(8)；片材扩展单元，其在与被加工物(1)垂直的方向上按压扩展片(7)的环状区域(101)而使扩展片(7)扩展，从而使被加工物(1)断裂；加热单元(60)，其对扩展后的扩展片(7)的环状区域(101)进行加热而使该环状区域收缩；气体提供单元(70)，其在扩展片(7)的加热期间利用向被加工物(1)的正面提供的提供气体(150)来覆盖被加工物(1)的正面，将被加工物(1)与从扩展片(7)产生的产生气体(160)隔离；以及吸引排气单元(80)，其在被加工物(1)的外周对产生气体(160)和提供气体(150)进行吸引而排出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109003897A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810531146.7
申请日：2018-05-29
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 植木笃
IPC: H01L21/304 , H01L21/67
Abstract: 提供晶片的分割方法和分割装置，适当地维持芯片彼此的间隔。沿着分割预定线在分割起点对晶片进行分割而在相邻的芯片之间形成规定的间隙。接着，在利用工作台对带的粘贴有晶片的区域进行吸引保持之后，使工作台与环状框架保持部在进一步远离的方向上移动而对晶片的外周与环状框架的内周之间的环状的带进行拉伸。然后，使工作台与环状框架保持部接近移动而使环状的带松弛，并且利用加热器对环状的带进行加热而使带热收缩，从而维持相邻的芯片之间的规定的间隙。
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公开(公告)号：CN105789124A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201511004991.1
申请日：2015-12-29
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 植木笃
IPC: H01L21/78 , H01L21/268
Abstract: 提供晶片的加工方法，抑制透过光使晶片正面的器件受损。其具有如下步骤：波长设定步骤，将对于晶片具有透过性的脉冲激光束的波长设定为1300nm～1400nm范围；改质层形成步骤，在实施波长设定步骤后，将脉冲激光束的聚光点定位在晶片的内部，从晶片的背面对与分割预定线对应的区域照射脉冲激光束并对保持机构与激光束照射机构进行加工进给而在晶片内部形成改质层；分割步骤，在实施改质层形成步骤后，对晶片施加外力而以改质层为分割起点沿着分割预定线分割晶片。在改质层形成步骤中，照射每1脉冲能量较小的第一脉冲激光束而形成第一改质层，追随第一改质层照射每1脉冲能量较大的第二脉冲激光束而与第一改质层重叠地形成第二改质层。
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公开(公告)号：CN105489553A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510627414.1
申请日：2015-09-28
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 植木笃
IPC: H01L21/78 , H01L21/268
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/268
Abstract: 本发明提供晶片的加工方法，通过激光加工装置对由硅构成的晶片进行加工，晶片在正面通过多条分割预定线划分而形成有多个器件，特征在于具有：波长设定步骤，将对于晶片具有透过性的脉冲激光束的波长设定为1300nm～1400nm的范围；光束修正步骤，实施波长设定步骤后，使每个脉冲的脉冲激光束的功率分布形成为礼帽形状；改性层形成步骤，实施光束修正步骤后，将脉冲激光束的聚光点定位在晶片的内部，从晶片的背面对与分割预定线对应的区域照射脉冲激光束，并且使保持构件与激光束照射构件相对地进行加工进给，从而在晶片内部形成改性层；以及分割步骤，实施改性层形成步骤后，对晶片施加外力，以改性层为分割起点沿着分割预定线分割晶片。
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公开(公告)号：CN105280553A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510363748.2
申请日：2015-06-26
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供芯片间隔维持装置，其能够抑制使芯片间隔维持在扩大状态时的芯片的污染。芯片间隔维持装置(2)使多个芯片(27)的间隔维持在扩张的状态，多个芯片(27)是将贴附在扩展片材(23)上的被加工物(11)分割而形成的多个芯片，芯片间隔维持装置(2)构成为具备：远红外线照射构件(42)，其朝向被加工物的外周缘与环状框架(25)的内周之间的被扩张的扩展片材照射远红外线(A)，使扩展片材收缩；以及空气层形成构件(44)，其与远红外线照射构件相邻地配设，具有喷射口(44a)，在被加工物的上方形成空气层，其中在远红外线照射构件向扩展片材照射远红外线时，该喷射口(44a)向被加工物喷射气体(B)。
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公开(公告)号：CN104979261A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510170826.7
申请日：2015-04-10
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 植木笃
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6835
Abstract: 提供一种芯片间隔维持方法，在短时间内可靠地去除扩张后的粘接带的松弛。芯片间隔维持方法是以拉伸粘接带而使其扩张的状态维持借助粘接带(T)被支承于环状框架(F)的被加工物(W)的多个芯片(C)的间隔的方法，构成为：使保持于保持台(11)的被加工物与保持于框架保持单元(12)的环状框架沿铅直方向相对移动，来拉伸粘接带，在被加工物的多个芯片间形成间隔，在保持台上吸引保持粘接带以维持多个芯片的间隔，并使保持台与框架保持单元阶段性地返回到初始状态而解除粘接带的张力，并且利用加热单元(41)对解除各阶段的张力时产生的粘接带的松弛进行热收缩。
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