公开(公告)号：CN107208311A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680009053.7

申请日：2016-02-18

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 谷小桃 ,  矢野孝幸 ,  藤本辰雄 ,  柘植弘志 ,  龟井一人 ,  楠一彦 ,  关和明

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明针对在籽晶与生长SiC单晶的界面附近发生的穿透螺型位错的增大，提供一种通过提高伴随SiC单晶的生长而发生的位错密度的减少率，从而制造从生长的初期阶段开始穿透螺型位错密度就较小的SiC单晶块的方法。本发明涉及一种碳化硅单晶块的制造方法，其是在由碳化硅单晶形成的籽晶的生长面上使用升华再结晶法使碳化硅单晶生长而制造碳化硅单晶块的方法，其中，预先在籽晶的生长面上形成台阶的高度为10μm～1mm、平台的宽度为200μm～1mm的台阶聚束，然后使用升华再结晶法使碳化硅单晶在所述籽晶的生长面上生长。

公开(公告)号：CN102197168B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN200980143257.X

申请日：2009-08-28

Applicant: 新日铁住金株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 楠一彦 ,  龟井一人 ,  矢代将齐 ,  服部亮

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/02

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B19/02 ,  C30B19/04 ,  C30B19/10 ,  Y10T117/1024

Abstract: 一种SiC单晶膜的制造方法，该方法通过使用了以熔体为溶剂的SiC溶液的LPE法来使低掺杂浓度的SiC外延膜在直径2英寸以上的基板上稳定生长，该方法包括在将熔体材料引入到晶体生长炉之前一边加热炉内一边真空排气，直至晶体生长温度下的真空度达到5×10-3Pa以下的工序。此后，将填充有熔体材料的坩埚引入到炉内，形成SiC溶液，使SiC外延膜在浸渍于该溶液中的基板上生长。

公开(公告)号：CN106167916B

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201610325787.8

申请日：2016-05-17

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 大黑宽典 ,  楠一彦 ,  龟井一人 ,  关和明 ,  岸田丰

IPC: C30B15/10 ,  C30B15/14 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明涉及SiC的制造方法。提供与以往相比可抑制杂晶产生的基于溶液法的SiC单晶的制造方法。使晶种基板与具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触以使SiC单晶生长的SiC单晶制造方法，其中坩埚具有与Si‑C溶液液面相同高度的水平方向的厚度Lu和与坩埚底部内壁相同高度的水平方向的厚度Ld，Ld/Lu为2.00～4.21；在厚度Lu与厚度Ld之间坩埚水平方向的厚度从厚度Lu向厚度Ld单调增加；坩埚壁厚为1mm以上；坩埚底部铅直方向的厚度Lb为1mm以上15mm以下；坩埚底部外壁具有面积为100mm2以上的平坦部；使Si‑C溶液距坩埚底部内壁的深度为30mm以上；该方法包括利用配置于坩埚周围的高频线圈加热和电磁搅拌Si‑C溶液。

公开(公告)号：CN107532329B

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201680027101.5

申请日：2016-03-16

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 关和明 ,  楠一彦 ,  龟井一人 ,  旦野克典 ,  大黑宽典 ,  土井雅喜

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/10 ,  H01L21/208

Abstract: 提供能够抑制SiC多晶产生的SiC单晶的制造方法。本实施方式的SiC单晶的制造方法为利用溶液生长法的SiC单晶的制造方法。本实施方式的SiC单晶的制造方法具备输出功率升高工序(S1)、接触工序(S2)和生长工序(S4)。输出功率升高工序(S1)中，将感应加热装置(3)的高频输出功率升高到晶体生长时的高频输出功率。接触工序(S2)中，使SiC晶种(8)与Si‑C溶液(7)接触。接触工序(S2)中的感应加热装置(3)的高频输出功率大于晶体生长时的高频输出功率的80％。接触工序(S2)中的Si‑C溶液(7)的温度低于晶体生长温度。生长工序(S4)中，在晶体生长温度下使SiC单晶生长。

公开(公告)号：CN104487619B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201380035149.7

申请日：2013-07-15

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 矢代将齐 ,  龟井一人 ,  楠一彦 ,  冈田信宏 ,  森口晃治 ,  大黑宽典 ,  坂元秀光 ,  加渡干尚

IPC: C30B19/04 ,  C30B29/36 ,  C30B19/06 ,  C30B15/10

CPC classification number: C30B15/10 ,  C30B15/32 ,  C30B19/04 ,  C30B19/067 ,  C30B29/36 ,  Y10T117/1032

Abstract: 用于溶液生长法的制造装置。该制造装置10）包括籽晶架（28）和坩埚（14）。籽晶架（28）具有下端表面，该下端表面上附着有SiC籽晶（32）。坩埚（14）容纳有SiC溶液（15）。坩埚（14）包括圆柱形部分（34）、底部（36）和内盖（38）。底部（36）位于圆柱形部分（34）的下端。内盖（38）设置在圆柱形部分（34）中。内盖（38）具有通孔（40），当SiC溶液容纳在坩埚（14）中时，所述内盖（38）位于所述SiC溶液（15）的液面下方。

公开(公告)号：CN103282558B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201180062911.1

申请日：2011-12-26

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 龟井一人 ,  楠一彦 ,  矢代将齐 ,  冈田信宏 ,  加渡干尚 ,  坂元秀光 ,  大黑宽典

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/06

CPC classification number: C30B15/32 ,  C30B19/06 ,  C30B29/36 ,  Y10T117/1032 ,  Y10T117/1072

Abstract: 本发明提供一种能够抑制多晶体的生成的SiC单晶体的制造装置。在腔室（1）内容纳有夹具（41）和坩埚（6）。在坩埚（6）内容纳有SiC溶液（8）。夹具（41）包括晶种轴（411）和盖构件（412）。晶种轴（411）能够升降，在晶种轴（411）的下表面安装SiC晶种（9）。盖构件（412）配置在晶种轴（411）的下端部。盖构件（412）是下端敞开的壳体，且在内部配置晶种轴（411）的下端部。在制造SiC单晶体时，SiC晶种（9）浸渍在SiC溶液（8）中。进而，盖构件（412）的下端浸渍在SiC溶液（8）中。因此，盖构件（412）覆盖SiC溶液（8）中的、SiC单晶体周边的部分并进行保温。

公开(公告)号：CN104487619A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201380035149.7

申请日：2013-07-15

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 矢代将齐 ,  龟井一人 ,  楠一彦 ,  冈田信宏 ,  森口晃治 ,  大黑宽典 ,  坂元秀光 ,  加渡干尚

IPC: C30B19/04 ,  C30B29/36 ,  C30B19/06 ,  C30B15/10

CPC classification number: C30B15/10 ,  C30B15/32 ,  C30B19/04 ,  C30B19/067 ,  C30B29/36 ,  Y10T117/1032

Abstract: 用于溶液生长法的制造装置。该制造装置（10）包括籽晶架（28）和坩埚（14）。籽晶架（28）具有下端表面，该下端表面上附着有SiC籽晶（32）。坩埚（14）容纳有SiC溶液（15）。坩埚（14）包括圆柱形部分（34）、底部（36）和内盖（38）。底部（36）位于圆柱形部分（34）的下端。内盖（38）设置在圆柱形部分（34）中。内盖（38）具有通孔（40），当SiC溶液容纳在坩埚（14）中时，所述内盖（38）位于所述SiC溶液（15）的液面下方。

公开(公告)号：CN106029959B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201580008068.7

申请日：2015-02-12

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 楠一彦 ,  龟井一人 ,  大黑宽典 ,  坂元秀光

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/04

CPC classification number: C30B19/04 ,  C30B9/06 ,  C30B9/12 ,  C30B19/062 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明提供在籽晶与Si‑C溶液之间气泡难以进入的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法为：利用将籽晶(10)的主表面(10a)朝向下方并使其与Si‑C溶液(11)接触而在主表面(10a)上使SiC单晶生长的溶液生长法得到SiC单晶的制造方法。主表面(10a)平坦。该制造方法包括：接触工序A、接触工序B和生长工序。接触工序A中，使主表面(10a)的一部分区域与贮存的Si‑C溶液(11)接触。接触工序B中，以在接触工序A中接触的一部分区域即初始接触区域作为起始点，通过润湿现象来扩大主表面(10a)与贮存的Si‑C溶液(11)的接触区域。生长工序中，使SiC单晶在与贮存的Si‑C溶液(11)接触的主表面(10a)上生长。

公开(公告)号：CN107532329A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680027101.5

申请日：2016-03-16

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 关和明 ,  楠一彦 ,  龟井一人 ,  旦野克典 ,  大黑宽典 ,  土井雅喜

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/10 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B19/10 ,  C30B9/06 ,  C30B19/04 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02628

Abstract: 提供能够抑制SiC多晶产生的SiC单晶的制造方法。本实施方式的SiC单晶的制造方法为利用溶液生长法的SiC单晶的制造方法。本实施方式的SiC单晶的制造方法具备输出功率升高工序(S1)、接触工序(S2)和生长工序(S4)。输出功率升高工序(S1)中，将感应加热装置(3)的高频输出功率升高到晶体生长时的高频输出功率。接触工序(S2)中，使SiC晶种(8)与Si‑C溶液(7)接触。接触工序(S2)中的感应加热装置(3)的高频输出功率大于晶体生长时的高频输出功率的80％。接触工序(S2)中的Si‑C溶液(7)的温度低于晶体生长温度。生长工序(S4)中，在晶体生长温度下使SiC单晶生长。

公开(公告)号：CN107532328B

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201680027058.2

申请日：2016-03-17

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 关和明 ,  龟井一人 ,  楠一彦 ,  旦野克典 ,  大黑宽典 ,  土井雅喜

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/10

Abstract: 本发明的实施方式的利用溶液生长法的SiC单晶的制造方法具备生成工序和生长工序。生成工序中，将容纳于坩埚(5)的Si‑C溶液(7)的原料熔融、生成Si‑C溶液(7)。生长工序中，使安装于籽晶轴(6)的SiC晶种(8)与Si‑C溶液(7)接触、在SiC晶种(8)的晶体生长面(8S)生长SiC单晶。生长工序中，将Si‑C溶液(7)升温的同时使SiC单晶生长。本发明的实施方式的SiC单晶的制造方法容易使所希望的多晶型的SiC单晶生长。