公开(公告)号：CN104299992A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201410571052.4

申请日：2014-10-23

申请人： 东南大学

发明人： 孙伟锋 ,  喻慧 ,  张龙 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/41 ,  H01L21/28 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/7393 ,  H01L29/41 ,  H01L29/66325

摘要： 一种横向沟槽绝缘栅双极型晶体管及其制备方法。该结构包括：P型衬底，埋氧层，漂移区，在漂移区一侧设有深沟槽栅，深P型体区，深P型体区内设有相连的向漂移区内延伸止于BOX层的深P型发射极区、深N型发射极区，在相连的深P型发射极区、深N型发射极区上方设有发射极金属，另一侧设有N型缓冲层和P型集电极区，在P型集电区上方设有集电极金属，该半导体制备方法包括：衬底，埋氧层，N型外延层的制备，用深槽工艺结合多次外延多次高浓度离子注入工艺形成N型发射极、P型体区和P型发射极，用高浓度离子注入工艺形成N型缓冲层和P型集电极区，用槽栅工艺制造成多晶硅栅，打孔、淀积铝形成电极。

公开(公告)号：CN104078498A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410334730.5

申请日：2014-07-14

申请人： 东南大学

发明人： 孙伟锋 ,  杜益成 ,  喻慧 ,  张龙 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L29/7393 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66325

摘要： 本发明提供了一种能够提高普通绝缘栅双极型晶体管耐压能力、高温特性，且无电流回跳现象的半导体器件。该半导体具备：P型衬底上设有埋氧层，其上设有漂移区，漂移区一侧设有P型体区，另一侧设有N型缓冲层，且P行体区内设有相连的P型发射极区和N型发射极区，其上有用于连接两者的金属以及发射极金属场板，在N型缓冲层内设有P型集电极区，其上设有由于连接的金属以及集电极金属场板，在埋氧层和N型发射区之间的P型体区上方设有多晶硅栅，在N型体区外侧设有两个沟槽隔离层，其间有供载流子流动的间隙，在沟槽隔离层的外侧设有两个N型集电极区，其通过金属与P型集电极相连。

公开(公告)号：CN102646711B

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201210101013.9

申请日：2012-04-06

申请人： 东南大学

发明人： 钱钦松 ,  祝靖 ,  张龙 ,  杨卓 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06

摘要： 一种具有P型埋层的超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底、N型掺杂硅外延层、超结结构，所述的N型掺杂硅外延层设在N型掺杂硅衬底上，超结结构设在N型硅掺杂半导体区上，所述的超结结构由相互间隔的P型柱和N型柱组成，在P型柱上有第一P型掺杂半导体区，且第一P型掺杂半导体区位于N型掺杂外延层内，在第一P型掺杂半导体区中设有第二P型重掺杂半导体接触区和N型重掺杂半导体源区，其特征在于，在N型柱表面有轻掺杂的P型埋层，且P型埋层在N型柱内。

公开(公告)号：CN103006272A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201310007683.9

申请日：2013-01-09

申请人： 东南大学

发明人： 周宾 ,  姚琛 ,  许传龙 ,  张龙

IPC分类号： A61B8/06

摘要： 本发明公开了一种基于超声交织编程的速度分布测量方法，包括如下步骤1）向待测流体中添加示踪剂；2）控制器控制高频超声换能器按照交织编程方式向外发射高频超声波信号，并采集流体中示踪剂的背向散射射频信号；3）在步骤2）的基础之上，对交织编程方法采集的交织射频图像解耦，即可获得图像对；4）在步骤3）的基础之上，将上述交织编程方法采集到的两帧射频信号图像1和图像2划分成多个分析窗口即询问窗口，接着对询问窗口进行傅里叶空间内的二维互相关运算以得到该处示踪剂的局部位移，再根据两帧图像的时间间隔Δt，则可以计算得到速度向量即位移除以时间Δt。该方法可以测定较高流速状态下流体速度场。

公开(公告)号：CN102760756A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201210227688.8

申请日：2012-06-30

申请人： 东南大学

发明人： 祝靖 ,  张龙 ,  吴逸凡 ,  钱钦松 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/06

摘要： 一种带浮空场板的超结金属氧化物场效应管终端结构，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底、过渡区I及终端区II，在N型重掺杂硅衬底的上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层内设有过渡区I及终端区II，在过渡区I及终端区II内超结结构，在过渡区I内设有P型掺杂半导体区，在P型掺杂半导体区的上方设有过渡区多晶硅层，过渡区多晶硅层电连接有第一金属场板，在终端区II的各个N型掺杂硅柱状区域的上方分别设有终端区多晶硅层，各个终端区多晶硅层分别向过渡区I延伸并分别止于相邻的P型掺杂柱状半导体区的上方，在各个终端区多晶硅层上电连接有第二金属场板，第二金属场板向终端区II的外边界延伸并止于下一块终端区多晶硅层的上方。

公开(公告)号：CN102646709A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210101011.X

申请日：2012-04-06

申请人： 东南大学

发明人： 孙伟锋 ,  祝靖 ,  张龙 ,  吴逸凡 ,  钱钦松 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/10

摘要： 一种快速超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底、N型掺杂硅外延层、超结结构，所述的N型掺杂硅外延层设在N型掺杂硅衬底上，超结结构设在N型硅掺杂半导体区上，所述的超结结构由间隔排列的P型柱和N型柱组成，在P型柱上有第一P型掺杂半导体区，且第一P型掺杂半导体区位于N型掺杂外延层内，在第一P型掺杂半导体区中设有第二P型重掺杂半导体接触区和N型重掺杂半导体源区，其特征在于，在N型柱表面有源极埋层，源极埋层包括薄氧化层和薄氧化层上的多晶硅，多晶硅栅和源极金属相连。

公开(公告)号：CN118016663A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202410191179.7

申请日：2024-02-21

申请人： 东南大学

发明人： 张龙 ,  顾勇 ,  马杰 ,  温宏扬 ,  刘斯扬 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/762 ,  H01L29/06 ,  H01L21/82

摘要： 一种基于N外延的碳化硅器件隔离结构、高低压集成器件及制备方法，隔离结构包括N型衬底，N型漂移区，内部淀积氧化物的第一隔离沟槽和第二隔离沟槽以形成高压区域、低压区域和电平移位区域，在低压区域和电平移位区域底部设有第二P型掺杂区，在低压区域第二P型掺杂区上设有第二N型掺杂区，所述N型漂移区、低压区域的第二P型掺杂区及第二N型掺杂区构成背靠背的PN结；集成器件的高压区域设有DMOS器件用作功率器件，低压区域设有低压器件用作半桥驱动、保护电路，电平移位区域设有LDMOS器件用以控制驱动电路衬底电位；还包括一种集成器件的制备方法。本发明消除碳化硅高低压器件间的电位影响，提高了碳化硅半桥驱动电路的性能与可靠性。

公开(公告)号：CN117460396A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311520494.1

申请日：2023-11-15

申请人： 东南大学

发明人： 张龙 ,  郑贵强 ,  李沂宸 ,  李雪琪 ,  刘斯扬 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC分类号： H10N52/00 ,  H10N52/80 ,  H10N52/01

摘要： 一种水平型霍尔器件及制备方法。一种水平型霍尔器件，包括：衬底层及上面的BOX层，BOX层上设有外延层，外延层上设有阱层，阱层上设有STI层，在STI层设有感应电极对和偏置电极对，在外延层上设有接地电极，在相邻的感应电极与偏置电极之间设有电流阻挡层。一种水平型霍尔器件的制备方法，包括：制备有BOX层和外延层的衬底；对外延层进行深槽刻蚀，深槽底部与BOX层直接接触，填充深槽形成电流阻挡层，光刻并在外延层的上部掺杂形成阱层，对阱层区域进行浅槽刻蚀，形成位于所述型阱层上的浅槽，通过沉积二氧化硅形成STI层，对感应电极对区域和偏置电极对区域进行掺杂形成重掺杂接触层，对外延层掺杂以形成重掺杂接触层。

公开(公告)号：CN111430454B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202010323101.8

申请日：2020-04-22

申请人： 东南大学

发明人： 张龙 ,  龚金丽 ,  祝靖 ,  杨兰兰 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

摘要： 一种低饱和电流的绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管，该半导体具备：在P型衬底上设有有埋氧层，在埋氧层上方设有N型漂移区，其上有P型体区、场氧层和集电极区，在P型体区内设有相连的P阱，在P阱内设有P型发射极区，在P型发射极区上设有N型发射极区，在P型体区、P阱、P型发射极区、场氧层和集电极区上方设有氧化层，在场氧层与氧化层之间设有多晶硅栅且延伸至P阱的上方，在P阱、P型体区与多晶硅栅之间设有栅氧化层，所述集电极区包括设在N型漂移区内且被N型漂移区隔离的重掺杂的N型集电极区和轻掺杂的N型集电极区，在重掺杂的N型集电极区内设有轻掺杂的P型集电极区，在轻掺杂的N型集电极区内设有重掺杂的P型集电极区。

公开(公告)号：CN116311930A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310250567.3

申请日：2023-03-15

申请人： 河北省交通规划设计研究院有限公司 ,  东南大学

发明人： 焦彦利 ,  徐铖铖 ,  李志斌 ,  韩明敏 ,  张龙 ,  卢毅恒 ,  王亚州 ,  张凯丽

IPC分类号： G08G1/01

摘要： 本申请公开了一种交通流状态数据时间汇集方法及系统。其中方法包括，获取目标路段内每个车道的交通流数据；对所述交通流数据进行数据诊断，排除明显的错误数据；对所述交通流数据中出现的异常情况进行修补；对修补后的所述交通流数据分车道在时间上进行汇集。利用本申请的方案能够实现自动化采集和处理交通运行状态中的交通流参数，并实现车道级交通流状态数据时间汇集，提高数据的精确性。