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公开(公告)号：CN116911234A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310991252.4
申请日：2023-08-08
Applicant: 东南大学 , 南京集成电路设计自动化技术创新中心
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种快速获取场效应管寄生电阻的方法。通过TCAD仿真获得场效应管载流子浓度、迁移率、电流密度等参数，依据电流密度分布合理划分区域，分别计算各区域的电阻值，利用各区域电阻与总电阻的数量关系求解出场效应管各部分寄生电阻。该方法与传统的寄生电阻提取方法相比，能够在不牺牲精度的情况下成倍的节省扫描场效应管尺寸参数所需的仿真算力，直接获得场效应管各部分寄生电阻阻值以及与栅极电压、漏极电压等参数的关系，为场效应管寄生电阻的分析与求解提供更为快速、直接的方法。
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公开(公告)号：CN116384330A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310332561.0
申请日：2023-03-31
Applicant: 东南大学 , 南京集成电路设计自动化技术创新中心
IPC: G06F30/398
Abstract: 本发明公开了一种获取鳍式场效应管寄生电容波动模型的方法。通过TCAD仿真所获得的鳍式场效应管电场分布，获取寄生电容解析模型，之后利用统计阻抗场法获取寄生电容受工艺波动影响的数据，仿真数据校准拟合后，生成考虑工艺波动的寄生电容波动模型。该方法能够减少仿真工艺波动所需的大量计算，并且能够以统计分布的形式较为准确地表现工艺波动对寄生电容的影响。通过鳍式场效应管寄生电容波动模型，可以在不需要大量计算的情况下预估寄生电容的波动情况，解决考虑工艺波动条件下的电路设计的阈值、故障率、成品率等问题。
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公开(公告)号：CN111261722B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202010072965.7
申请日：2020-01-21
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/868 , H01L29/06
Abstract: 一种集成电容的低反向恢复电荷的横向二极管，包括P型衬底，氧化层埋层，N型漂移区，氧化层，N型漂移区上设有P型体区、第一场氧、第二场氧、第三场氧、N型缓冲区、P型轻掺杂区和N型轻掺杂区，在P型体区内设有作为阳极的P型重掺杂区，在N型缓冲区内设有作为阴极的第二N型重掺杂区，在N型轻掺杂区内设有第一N型重掺杂区，在氧化层内设有第一多晶硅和电容，第一多晶硅位于型轻掺杂区的上方且第一多晶硅与P型轻掺杂区之间被氧化层隔离，所述电容由作为一个极板的第一金属铝和作为另一个极板的第二金属铝组成，第一金属铝与第一N型重掺杂区连接，第一多晶硅，第二金属铝和P型重掺杂区连接。
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公开(公告)号：CN111610649B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202010417638.0
申请日：2020-05-19
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种窄带超表面器件，包括由上至下依次设置的凹槽天线超表面层、缓冲介质层、可调介质层组和基底层，可调介质层组包括可调介质层和设于其上下表面的透明电极层；凹槽天线超表面层包括凹槽天线超表面结构，该结构包括呈周期分布的超表面天线单元，超表面天线单元中设有凹槽，使超表面天线单元的开口率大于0.7；缓冲介质层和基底层的折射率均低于可调介质层的折射率。本发明器件的反射率曲线具有极窄的带宽，反射峰半高宽在2nm以内，同时该结构中可调介质层的变化可以改变反射率曲线的共振波长，使其在可见光范围或更大范围内变化，并保持超高的效率与极窄的带宽，可应用于光谱探测与光谱检查等领域。
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公开(公告)号：CN112532038B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202011167780.0
申请日：2020-10-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明是一种降低三相Swiss电路边界处电流畸变的控制系统及其控制方法，该控制系统包括信号采样及处理电路、数字处理及控制电路及驱动单元。所述信号采样及处理电路包括电压采样及处理电路、电流采样及处理电路；所述数字处理及控制电路包括以数字计算单元为核心的数字比较器1、数字比较器2、锁存单元、控制单元；所述驱动单元接收来自控制单元的控制信号，并驱动Qa、Qb、Qc三个低频双向功率管。本发明可以有效得出电流超前电压的相位值，根据计算值检测出进入边界区的时刻，并通过优化双向谐波注入开关管的导通状态，有效减小了边界区的电流畸变，进而提高了功率因数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112532038A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011167780.0
申请日：2020-10-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明是一种降低三相Swiss电路边界处电流畸变的控制系统及其控制方法，该控制系统包括信号采样及处理电路、数字处理及控制电路及驱动单元。所述信号采样及处理电路包括电压采样及处理电路、电流采样及处理电路；所述数字处理及控制电路包括以数字计算单元为核心的数字比较器1、数字比较器2、锁存单元、控制单元；所述驱动单元接收来自控制单元的控制信号，并驱动Qa、Qb、Qc三个低频双向功率管。本发明可以有效得出电流超前电压的相位值，根据计算值检测出进入边界区的时刻，并通过优化双向谐波注入开关管的导通状态，有效减小了边界区的电流畸变，进而提高了功率因数。
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公开(公告)号：CN112271926A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011030988.8
申请日：2020-09-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种GaN基有源钳位反激变换器的预测电流模控制方法，属于发电、变电或配电的技术领域。本发明通过理论计算的方法推导出某一工况下变换器损耗与谷值电流的关系式，求出使得损耗最小的谷值电流和对应的死区时间，以五元数组形式储存在LUT单元中；控制方法能够通过采样信号通过LUT单元确定下一周期的谷值电流和死区时间，从而控制副开关的导通时间和副开关关断至主开关开启这一段死区的时间，避免了续流损耗和对主开关寄生电容反向充电产生的损耗，经过一个周期的调整即可进入高效的工作状态，降低了损耗，提高了效率；基于GaN基的功率管使得变换器的动态性能更好，适用更高的工作频率，较低的寄生参数进一步降低损耗，提高效率。
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公开(公告)号：CN111404359A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010324535.X
申请日：2020-04-23
Applicant: 东南大学
IPC: H02M1/00
Abstract: 本发明公开了一种有源箝位反激类变换器的低损耗原边电流采样系统，包括原边电流采样电路及控制方法，原边电流采样电路包括输入级，采样控制电路和采样保持电路三部分：输入级利用辅助变压器建立采样控制电路的输入信号，采样控制电路负责根据输入级建立的信号来控制采样保持电路的工作状态，采样保持电路负责进行采样操作。本发明适用于绝大部分的有源箝位反激类变换器，利用数字逻辑电路、数个分立器件及辅助变压器实现对主功率变压器原边电流信号的采样，并使采样所得信号能够保持一段时间。同时，本发明在保证较高采样精度的前提条件下，简化了原边电流采样的电路结构及控制策略，不造成过多额外功耗，节省面积，降低了电路成本。
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公开(公告)号：CN108254945A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810014651.4
申请日：2018-01-08
Applicant: 东南大学
IPC: G02F1/03
CPC classification number: G02F1/0305 , G02F1/0311 , G02F1/0327
Abstract: 本发明公开了一种反射式超表面显示器件及彩色图像显示方法，该器件由上至下依次设置白光背光源(101)、偏振分光片(102)、金属超表面层(103)、缓冲层(104)、ITO薄膜(105)、调制层(106)、金属反射层(107)、基底层(108)，该器件还包括直流电压源(109)；其中，所述金属超表面层(103)、缓冲层(104)、ITO薄膜(105)、调制层(106)、金属反射层(107)和基底层(108)共同构成滤色结构；改变外界电压源电压可以调制反射光的颜色和亮度，通过时分复用法，实现彩色图像显示。本发明具有颜色动态调节范围大、像素尺寸小等优点；对超高分辨率显示和全息成像领域具有启示意义和广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN106873062A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710153089.9
申请日：2017-03-15
Applicant: 东南大学
CPC classification number: G02B5/1857 , G02B5/1861 , G02B5/32
Abstract: 本发明公开了一种高衍射效率的体全息光栅结构及其制备方法，该体全息光栅以光学玻璃为基底，在玻璃基底表面上旋涂光致聚合物层，在光致聚合物层表面上旋涂银纳米颗粒层。本发明在不改变光栅中心波长的前提下，提高光栅的衍射效率，可以广泛应用于头戴和近眼显示领域。
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