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公开(公告)号：CN110809724A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201880043054.2
申请日：2018-05-24
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供兼具高可见光透射率和高隔热性的红外线反射基板。本发明的红外线反射基板具备透明基材和红外线反射层，其中，红外线反射基板的可见光吸收率为0.3以下，红外线反射基板在700nm下与在600nm下的反射率的斜率为0.12以上。
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公开(公告)号：CN105683738B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201480057429.2
申请日：2014-09-01
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G01N21/553 , G01N21/251 , G01N21/552 , G01N21/7703 , G01N2021/258 , G01N2201/08
Abstract: 提供了一种传感器元件，其在重复测量时展示出优异的测量精度。根据本发明的光波导(100)装配有包层(11)和芯层(12)，所述芯层(12)埋设在所述包层(11)中以致所述芯层(12)的至少一个表面露出。所述包层的表面与所述芯层的露出的所述面的水接触角是80°以上。根据本发明的SPR传感器元件和比色传感器元件包括所述光波导(100)。
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公开(公告)号：CN104685345A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201380049550.6
申请日：2013-08-30
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G01N21/553 , G01N21/03 , G01N2021/5903 , G01N2201/088 , G02B1/04 , G02B6/10 , G02B6/1226 , G02B6/138 , G02B2006/12095 , C08L27/12
Abstract: 本发明提供一种具有极其优异的检测灵敏度的SPR传感器元件和SPR传感器。该SPR传感器元件设置有：下包层；芯层，该芯层的至少一部分邻接下包层；以及金属层，该金属层覆盖芯层。芯层由均一层和配置在均一层与下包层之间的梯度层构成。均一层的折射率NCO满足1.34≤NCO
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公开(公告)号：CN104321638A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201380025926.X
申请日：2013-05-16
Applicant: 日东电工株式会社
Inventor： 绀谷友广
IPC: G01N21/27
CPC classification number: G01N21/553 , G01N21/17 , G02B6/10
Abstract: 本发明提供一种具有非常优异的检测灵敏度的SPR传感器元件和SPR传感器。该SPR传感器元件包括：下包层；芯层，其以所述芯层的至少一部分与所述下包层邻接的方式形成并且具有光入射口和光出射口；以及金属层，其覆盖所述芯层的一部分。所述芯层在所述光入射口处的截面积S1和所述芯层在被所述金属层覆盖的部分处的截面积S2满足S1>S2的关系。
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公开(公告)号：CN104145183A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201380011524.4
申请日：2013-02-26
Applicant: 日东电工株式会社
Inventor： 绀谷友广
CPC classification number: G01N21/554 , G01N21/01 , G01N21/553
Abstract: 本发明提供具有非常优异检测灵敏度的SPR传感器元件和SPR传感器。本发明的SPR传感器元件设置有检测单元和与检测单元邻接的试样载置部，其中：检测单元包括下包层、形成为使得至少一部分与下包层邻接的芯层、覆盖芯层的金属层和设置在在芯层与金属层之间的保护层；和保护层由金属氧化物形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1927977B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200610127674.3
申请日：2006-09-05
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02 , B29C55/00 , B32B27/00 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/6835 , B24B37/30 , C09J2203/326 , C09J2205/31 , C09J2433/003 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
Abstract: 本发明提供一种粘合片及粘合片中使用的层压片，该粘合片在加工半导体晶圆等制品时使用，其在加工中不会污染或破坏半导体晶圆等，就可减小由粘合片的残留应力引起的制品翘曲、且与粘合剂层的固着性优异。本发明的粘合片依次具有基材、中间层和粘合剂层，上述中间层在23℃下的拉伸弹性模量为1MPa以上100MPa以下，该中间层由丙烯酸类聚合物组成，该丙烯酸类聚合物通过聚合包含1重量％以上20重量％以下含氮丙烯酸单体的(甲基)丙烯酸类单体混合物而形成，该丙烯酸类聚合物中分子量在10万以下的聚合物成分的含量为20重量％以下，并且上述基材包含至少一层在23℃的拉伸弹性模量为0.6GPa以上的薄膜。
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公开(公告)号：CN1935922A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610152221.6
申请日：2006-09-20
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02
CPC classification number: H01L21/6836 , B32B27/40 , C08G18/4854 , C08G18/6229 , C08G18/7642 , C08G18/8116 , C08G2170/40 , C08L33/08 , C08L2666/04 , C09J7/29 , C09J175/04 , C09J2201/162 , C09J2203/326 , C09J2433/006 , C09J2475/006 , H01L2221/68327 , Y10T428/28 , Y10T428/2848
Abstract: 本发明提供了一种在加工半导体晶圆等制品时使用的粘合片，其在加工中不会污染或破坏半导体晶圆等，本发明的粘合片是依次具有基材、中间层和粘合剂层的粘合片，上述中间层由含有聚氨酯聚合物和乙烯基类聚合物作为有效成分的复合薄膜形成，所述聚氨酯聚合物，其在微分分子量曲线中重均分子量为1万以下的成分的含量不足10％。
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公开(公告)号：CN1927978A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610128634.0
申请日：2006-09-04
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C09J7/29 , C09J2201/162 , C09J2203/326 , C09J2433/006
Abstract: 本发明提供一种粘合片以及粘合片中使用的层压片，该粘合片在加工半导体晶圆等制品时使用，其在加工中不会污染或破坏半导体晶圆等，就可以减小由粘合片的残留应力引起的制品翘曲，为此，本发明的粘合片是依次具有基材、中间层和粘合剂层的粘合片，上述中间层在23℃下的拉伸弹性模量为10MPa以上100MPa以下，该中间层使用丙烯酸类聚合物而形成，所述丙烯酸类聚合物是混合70重量份～99重量份的(甲基)丙烯酸酯单体和1重量份～30重量份的不饱和羧酸使其总计成为100重量份的混合物聚合而得到的，并且，基材包含至少一层在23℃下的拉伸弹性模量为0.6GPa以上的薄膜。
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公开(公告)号：CN305936943S
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202030020128.0
申请日：2020-01-13
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 1.本外观设计产品的名称：保护贴。
2.本外观设计产品的用途：本产品粘贴在基板的通孔位置，用于防止灰尘、水等进入，以保护通孔内的半导体元件。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1后视图。
5.本产品“设计1仰视图”与“设计1俯视图”对称；“设计3仰视图”与“设计3俯视图”对称，省略“设计1仰视图”,“设计3仰视图”。
6.指定设计1为基本设计。
7.如“设计1示意各部名称的A‑A剖面放大参考图”、“设计1示意使用方法的使用状态参考图”、“设计1示意使用方法的使用状态剖面参考图”、“设计2示意各部名称的A‑A剖面放大参考图”、“设计2示意使用方法的使用状态参考图”、“设计2示意使用方法的使用状态剖面参考图”、“设计3示意各部名称的A‑A剖面放大参考图”、“设计3示意使用方法的使用状态参考图”、“设计3示意使用方法的使用状态剖面参考图”所示，B部为多孔质膜，C部为粘着层，D部为基材，E部为本产品，F部为基板，G部为半导体元件，H部为掀起部。-
公开(公告)号：CN305939600S
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202030012115.9
申请日：2020-01-08
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 1.本外观设计产品的名称：保护贴。
2.本外观设计产品的用途：本产品粘贴在基板的通孔位置，用于防止灰尘、水等进入，以保护通孔内的半导体元件。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1后视图。
5.本产品“设计1仰视图”与“设计1俯视图”对称，“设计2仰视图”与“设计2俯视图”对称，省略“设计1仰视图”、“设计2仰视图”。
6.指定设计1为基本设计。
7.如“设计1示意各部名称的A‑A剖面放大参考图”、“设计1示意使用方法的使用状态参考图”、“设计1示意使用方法的使用状态剖面参考图”、“设计2示意各部名称的A‑A剖面放大参考图”、“设计2示意使用方法的使用状态参考图”、“设计2示意使用方法的使用状态剖面参考图”所示，B部为多孔质膜，C部为粘着层，D部为基材，E部为本产品，F部为基板，G部为半导体元件，H部为掀起部。
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