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公开(公告)号：CN102844841A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201180018421.1
申请日：2011-04-22
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/225 , C03C8/18 , H01L31/04
CPC classification number: H01L21/2255 , C03C8/18 , H01L21/2225 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种n型扩散层形成组合物，其含有包含施主元素的玻璃粉末和分散介质。上述玻璃粉末含有含施主元素物质和玻璃成分物质。上述玻璃粉末中的上述含施主元素物质的含有比率为1质量％以上80质量％以下。通过涂布该n型扩散层形成组合物并实施热扩散处理，可制造n型扩散层及具有n型扩散层的太阳能电池元件。
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公开(公告)号：CN100567441C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200610058544.9
申请日：1998-12-18
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 在本发明中，为了进行高速研磨又不伤及SiO2绝缘膜等的被研磨面，提供含有把具有由2个以上的晶粒构成的晶界的氧化铈子、或者是体积密度为6.5g/cm3以下的氧化铈粒子、或者是具有气孔的磨粒中的至少一种分散到介质中去的浆液的研磨剂、使用该研磨剂的基片的研磨方法和半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN1321166C
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN02148174.1
申请日：1998-12-18
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 在本发明中，为了进行高速研磨又不伤及SiO2绝缘膜等的被研磨面，提供含有把具有由2个以上的晶粒构成的晶界的氧化铈子、或者是体积密度为6.5g/cm3以下的氧化铈粒子、或者是具有气孔的磨粒中的至少一种分散到介质中去的浆液的研磨剂、使用该研磨剂的基片的研磨方法和半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN1768417A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200480009086.9
申请日：2004-04-02
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
Abstract: 本发明的研磨垫为，由含有有机纤维的纤维和保持该纤维的基体树脂构成，并且至少在修整处理后的被研磨物侧表面露出有机纤维。由此，可以抑制被研磨物产生细小的研磨损伤，能够在低荷重条件下进行平坦的研磨。另外，也可以采用以光学方法检测被研磨物的研磨状态的系统，在没有研磨损伤的条件下管理被研磨物的研磨终点。因此，在例如半导体装置的制造工序中，可以进行对层间绝缘膜的负荷小且平坦性也优异的研磨，容易地实施下一代的双重镶嵌法。
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公开(公告)号：CN1746255A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510108259.9
申请日：2002-02-20
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C09K3/1454 , C01F17/0043 , C01G25/00 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/10 , C01P2006/12 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 本发明涉及半导体制造工序等中适于基片表面平坦化用CMP技术的抛光剂和抛光方法。抛光剂是含有粒子和将上述粒子至少部分分散的介质的抛光剂，上述粒子是下列之一：(1)从氧化铈、卤化铈和硫化铈中选择的，密度为3～6克/立方厘米而且次级粒子平均粒径为1～300纳米的铈化合物，(2)四价金属氧化物。使用这种抛光剂抛光的抛光方法，活用抛光剂中粒子的化学作用并且尽量减小机械作用，藉此能够兼容粒子引起的抛光损伤减少和抛光速度提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1745460A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200480003202.6
申请日：2004-01-30
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供了一种CMP研磨剂以及研磨方法，其中CMP研磨剂含有氧化铈粒子、分散剂、水溶性高分子以及水，所述水溶性高分子为具有下述族群中的任一种化合物的N－单取代化合物骨架和N，N－二取代化合物骨架中的任一种的化合物：丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺以及它们的α－取代化合物所构成的族群。其中相对研磨剂100重量份，水溶性高分子优选为0.01～10重量份。从而，在平坦化层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽分离用绝缘膜等的CMP技术中，能够有效、高速地研磨，且操作管理也能容易地进行。
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公开(公告)号：CN1526786A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN03119819.8
申请日：1997-09-30
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , C01F17/0043 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C09G1/02 , C09K3/1409 , H01L21/02024 , H01L21/02065 , H01L21/31053
Abstract: 本发明涉及氧化铈研磨剂及基板的研磨方法，提供了一种能够在不划伤SiO2绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料，其中该氧化铈颗粒的一次颗粒粒径为10～600纳米，一次颗粒粒径中央值为30～250纳米，颗粒粒径中央值为150～600纳米，颗粒最大粒径在3000纳米以下。
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公开(公告)号：CN104835724B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201510193767.5
申请日：2011-01-25
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01L31/18 , H01L31/068 , H01L21/22
Abstract: 本发明提供一种用于形成p型扩散层的组合物和方法，以及一种用于制备光伏电池的方法。所述组合物在使用硅基板制备光伏电池的工艺过程中能够形成p型扩散层，而不引起硅基板中的内应力和基板的翘曲。根据本发明的用于形成p型扩散层的组合物含有含受体元素的玻璃粉末和分散介质。p型扩散层和具有p型扩散层的光伏电池通过下列方法制备：涂敷用于形成p型扩散层的组合物，随后进行热扩散处理。
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公开(公告)号：CN104835723B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201510193563.1
申请日：2011-01-25
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L31/0224 , H01L31/18 , C03C12/00 , H01B1/22
Abstract: 本发明提供一种用于形成p型扩散层的组合物和方法，以及一种用于制备光伏电池的方法。所述组合物在使用硅基板制备光伏电池的工艺过程中能够形成p型扩散层，而不引起硅基板中的内应力和基板的翘曲。根据本发明的用于形成p型扩散层的组合物含有含受体元素的玻璃粉末和分散介质。p型扩散层和具有p型扩散层的光伏电池通过下列方法制备：涂敷用于形成p型扩散层的组合物，随后进行热扩散处理。
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公开(公告)号：CN102859659B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201180020188.0
申请日：2011-04-22
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/225 , H01L31/18 , C03C8/16 , C03C8/18
CPC classification number: H01L31/1864 , C03C8/16 , C03C8/18 , H01L21/2225 , H01L21/2255 , H01L31/022425 , H01L31/032 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的p型扩散层形成组合物含有：含受体元素并且寿命扼杀剂元素的总量为1000ppm以下的玻璃粉末；和分散介质。通过涂布该p型扩散层形成组合物，实施热扩散处理，从而制造p型扩散层和具有p型扩散层的太阳能电池元件。
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