公开(公告)号：CN101037585B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200710095820.3

申请日：2003-04-28

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 仓田靖 ,  增田克之 ,  小野裕 ,  上方康雄 ,  榎本和宏

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  B24B57/02 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/0056 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明涉及研磨液及使用该研磨液的研磨方法。所述研磨液含有氧化剂、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂、及水，pH为2～5，其中，氧化金属溶解剂包括除乳酸、苯二甲酸、富马酸、马来酸及氨基乙酸五种以外的可以第一个解离的酸基的解离常数(pka)为小于3.7的酸(A组)、该A组的铵盐和A组的酯中的一种或以上，以及上述五种酸、pka为大于等于3.7的酸(B组)、该B组的铵盐和B组的酯中的一种或以上；或者金属防蚀剂包括具有三唑骨架的芳族化合物的组(C组)的一种或以上，以及具有三唑骨架的脂肪族化合物、具有嘧啶骨架的化合物、具有咪唑骨架的化合物、具有胍骨架的化合物、具有噻唑骨架的化合物及具有吡唑骨架的化合物的组(D组)的一种或以上。由于金属的研磨速度大，蚀刻速度小，并且研磨磨擦小，因此，可以生产率高地得到金属配线的碟状凹陷及侵蚀小的半导体元件。

公开(公告)号：CN101560373A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200910203503.8

申请日：2006-11-09

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 西山雅也 ,  深泽正人 ,  阿久津利明 ,  榎本和宏 ,  芦泽寅之助 ,  大槻裕人

IPC: C09K3/14

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明涉及一种氧化硅用研磨剂、添加液以及研磨方法。本发明的研磨剂为用以研磨多晶硅上的氧化硅膜的研磨剂，含有研磨粒、多晶硅研磨抑制剂及水，作为所述研磨抑制剂，优选使用：炔系二醇的氧化乙烯加成物、具有炔键的水溶性有机化合物、烷氧基化直链脂肪醇中的任一种，或者聚乙烯吡咯烷酮或含有乙烯吡咯烷酮的共聚物。本发明的研磨剂于半导体制造方法中可高速研磨多晶硅膜上的氧化硅膜，并且在多晶硅膜露出时可抑制对多晶硅膜的研磨。

公开(公告)号：CN100491486C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN03804816.7

申请日：2003-02-26

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 樱井治彰 ,  阿部浩一 ,  榎本和宏 ,  野部茂

IPC: C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  C09D5/25

CPC classification number: H01L23/5329 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  Y10T428/31663 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种二氧化硅涂膜形成用组合物，含有作为(a)组分的烷氧基硅烷等硅氧烷树脂，作为(b)组分的可以溶解该硅氧烷树脂的醇等溶剂，作为(c)组分的铵盐等以及作为(d)组分的受热分解挥发性化合物，具有如下固化性能，在150℃/3分的加热处理下得到的涂膜的应力为10MPa，而且通过最终固化得到的二氧化硅涂膜的相对电容率小于3.0。本发明的二氧化硅涂膜形成用组合物，在形成具有低电容率、粘结性的同时可以形成具有很好机械强度的二氧化硅涂膜。

公开(公告)号：CN101037585A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710095820.3

申请日：2003-04-28

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 仓田靖 ,  增田克之 ,  小野裕 ,  上方康雄 ,  榎本和宏

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  B24B57/02 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/0056 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明涉及研磨液及使用该研磨液的研磨方法。所述研磨液含有氧化剂、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂、及水，pH为2～5，其中，氧化金属溶解剂包括除乳酸、苯二甲酸、富马酸、马来酸及氨基乙酸五种以外的可以第一个解离的酸基的解离常数(pka)为小于3.7的酸(A组)、该A组的铵盐和A组的酯中的一种或以上，以及上述五种酸、pka为大于等于3.7的酸(B组)、该B组的铵盐和B组的酯中的一种或以上；或者金属防蚀剂包括具有三唑骨架的芳族化合物的组(C组)的一种或以上，以及具有三唑骨架的脂肪族化合物、具有嘧啶骨架的化合物、具有咪唑骨架的化合物、具有胍骨架的化合物、具有噻唑骨架的化合物及具有吡唑骨架的化合物的组(D组)的一种或以上。由于金属的研磨速度大，蚀刻速度小，并且研磨磨擦小，因此，可以生产率高地得到金属配线的碟状凹陷及侵蚀小的半导体元件。

公开(公告)号：CN1745460A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN200480003202.6

申请日：2004-01-30

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 深泽正人 ,  吉田诚人 ,  小山直之 ,  大槻裕人 ,  山岸智明 ,  榎本和宏 ,  芳贺浩二 ,  仓田靖

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明提供了一种CMP研磨剂以及研磨方法，其中CMP研磨剂含有氧化铈粒子、分散剂、水溶性高分子以及水，所述水溶性高分子为具有下述族群中的任一种化合物的N－单取代化合物骨架和N，N－二取代化合物骨架中的任一种的化合物：丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺以及它们的α－取代化合物所构成的族群。其中相对研磨剂100重量份，水溶性高分子优选为0.01～10重量份。从而，在平坦化层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽分离用绝缘膜等的CMP技术中，能够有效、高速地研磨，且操作管理也能容易地进行。

公开(公告)号：CN1650403A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN03809590.4

申请日：2003-04-28

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 仓田靖 ,  增田克之 ,  小野裕 ,  上方康雄 ,  榎本和宏

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  B24B57/02

CPC classification number: B24B37/0056 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明涉及研磨液及使用该研磨液的研磨方法。所述研磨液含有氧化剂、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂、及水，pH为2～5，其中，氧化金属溶解剂包括除乳酸、苯二甲酸、富马酸、马来酸及氨基乙酸五种以外的可以第一个解离的酸基的解离常数(pka)为小于3.7的酸(A组)、该A组的铵盐和A组的酯中的一种或以上，以及上述五种酸、pka为大于等于3.7的酸(B组)、该B组的铵盐和B组的酯中的一种或以上；或者金属防蚀剂包括具有三唑骨架的芳族化合物的组(C组)的一种或以上，以及具有三唑骨架的脂肪族化合物、具有嘧啶骨架的化合物、具有咪唑骨架的化合物、具有胍骨架的化合物、具有噻唑骨架的化合物及具有吡唑骨架的化合物的组(D组)的一种或以上。由于金属的研磨速度大，蚀刻速度小，并且研磨摩擦小，因此，可以生产率高地得到金属配线的碟状凹陷及侵蚀小的半导体元件。