公开(公告)号：CN107538339A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201710509057.8

申请日：2017-06-28

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 中村显

IPC: B24B37/005 ,  B24B37/34 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种提高边缘处的膜厚的检测精度且减少研磨对象物的边缘附近的瑕疵率的膜厚信号处理装置、研磨装置、膜厚信号处理方法及研磨方法。接收部(232)接收从用于检测研磨对象物(102)的膜厚的涡电流传感器(210)输出的传感器数据，并生成膜厚数据。修正部(238)基于由接收部(232)生成的膜厚数据，进行比研磨对象物(102)的边缘靠内侧的位置处的膜厚数据的修正。修正部(238)使用在比研磨对象物(102)的边缘靠外侧的位置由接收部(232)生成的膜厚数据，对在比研磨对象物(102)的边缘靠内侧的位置由接收部(232)生成的膜厚数据进行修正。

公开(公告)号：CN107538338A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201710498753.3

申请日：2017-06-27

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 中村显

IPC: B24B37/005 ,  B24B37/34 ,  H01L21/304 ,  B24B49/04

CPC classification number: B24B37/013 ,  B24B49/02 ,  B24B49/08 ,  B24B49/12 ,  B24B49/16

Abstract: 本发明提供研磨装置、研磨方法、及研磨控制程序，能够修正因处理系统等的延迟时间导致的测定误差，并推定与当前膜厚相当的数据。研磨部(30)进行半导体晶片(18)的研磨。涡电流传感器(50)在多个测定时刻测定能够根据半导体晶片(18)的膜厚的变化而变化的涡电流。传感器处理部(28)根据涡电流传感器(50)所测定出的涡电流，算出测定时刻下的半导体晶片(18)的膜厚。膜厚预测部(32)使用被算出的膜厚，预测从测定时刻经过处理延迟时间之后的膜厚。

公开(公告)号：CN105428229A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510593490.5

申请日：2015-09-17

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥太郎 ,  中尾秀高 ,  中村显

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/67 ,  B24B37/013

CPC classification number: B24B37/005 ,  B24B49/00 ,  H01L22/14 ,  H01L22/20 ,  H01L21/304 ,  B24B37/013 ,  H01L21/67092 ,  H01L22/12

Abstract: 提供一种提高膜厚的检测精度的膜厚信号处理装置、研磨装置、膜厚信号处理方法、及研磨方法，该膜厚信号处理装置(230)包括：接收部(232)，其接收由沿着研磨面对研磨对象物(102)的膜厚进行检测的涡流传感器(210)输出的膜厚数据；确定部(236)，其基于由接收部(232)接收的膜厚数据，对膜厚数据的有效范围进行确定；补正部(238)，其对由确定部(236)确定的有效范围内的膜厚数据进行补正。