公开(公告)号：CN106062933B

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201580011133.1

申请日：2015-01-21

申请人： 应用材料公司

发明人： K·徐 ,  I·卡尔松 ,  B·A·斯伟德克 ,  D·E·本内特 ,  S-H·沈 ,  H·G·伊拉瓦尼 ,  W-C·图 ,  T-Y·刘

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/66

CPC分类号： B24B49/105 ,  B24B37/013 ,  B24B49/02 ,  B24B49/04 ,  B24B49/14

摘要： 本发明描述了一种在抛光工艺期间控制抛光的方法等。所述方法包括以下步骤：在时刻t处从原位监测系统接收经历抛光的基板的导电层的厚度的测量thick(t)；在时刻t处接收与导电层相关联的所测量的温度T(t)；计算在所测量的温度T(t)下的导电层的电阻率ρT；使用计算出电阻率ρT调整厚度的测量以生成经调整的所测量的厚度；以及基于经调整的所测量的厚度来检测抛光终点或对抛光参数的调整。

公开(公告)号：CN109093498A

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201811001316.7

申请日：2018-08-30

申请人： 国家电网公司 ,  国网湖北省电力公司黄龙滩水力发电厂

发明人： 李春辉 ,  宋伟庆 ,  胡晓连 ,  朱天兵 ,  徐勇 ,  曹云 ,  姜有娟 ,  梁超

IPC分类号： B24B27/00 ,  B24B37/005 ,  B24B37/013 ,  B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  B24B37/34 ,  B24B47/12 ,  B24B49/12 ,  B24B55/06 ,  B24B57/00 ,  B24B57/02 ,  F21V33/00

CPC分类号： B24B37/013 ,  B24B27/0076 ,  B24B37/005 ,  B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  B24B37/34 ,  B24B47/12 ,  B24B49/12 ,  B24B55/06 ,  B24B57/00 ,  B24B57/02 ,  F21V33/00

摘要： 本发明公开一种智能化全自动水轮发电机推力轴承镜板研磨机，包括支撑架，所述支撑架中间设有电机外护罩，所述电机外护罩内设有减速电机，所述支撑架上设有底盘，所述支撑架上固定设有大齿轮，所述减速电机上设有电机转动轴，所述减速电机上设有转动支架，所述转动支架至少设有3个转动支臂，每个转动支臂上设有磨盘，所述磨盘上设有小齿轮，所述小齿轮与大齿轮互相啮合。本发明采用电脑控制，可全自动运行工作，相比人工研磨更加省时省力，同时也更加智能化。

公开(公告)号：CN103962936B

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201410032045.7

申请日：2014-01-23

申请人： 株式会社荏原制作所

发明人： 鸟越恒男

IPC分类号： B24B37/04 ,  B24B53/017 ,  H01L21/02

CPC分类号： B24B37/042 ,  B24B27/0023 ,  B24B37/005 ,  B24B37/013 ,  B24B37/345 ,  B24B49/18 ,  B24B53/007 ,  B24B53/017

摘要： 种研磨方法及装置,具有:研磨工序,其根据预先设定的研磨工法,利用顶环(301A)将研磨对象的基板按压到研磨台(300A)的研磨垫(305A)上而对基板的被研磨面进行研磨;垫清洗工序,其将清洗液喷到研磨垫从而去除研磨垫上的杂质;以及基板交接工序,其在基板交接位置使研磨后的基板脱离顶环(301A)并将下研磨对象的基板安装在顶环上,直至将安装有下研磨对象的基板的顶环(301A)返送回研磨台(300A)上,在检测出研磨工法结束后开始垫清洗工序,对处于基板交接工序中的下研磨对象的基板位置进行检测并结束所述垫清洗工序。采用本发明,能最大限度地利用研磨工序期间进行的基板交接工序的空余时间并可对研磨台上的研磨垫进行清洁。

公开(公告)号：CN104117903B

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201410172021.1

申请日：2014-04-25

申请人： 株式会社荏原制作所

发明人： 金马利文

IPC分类号： B24B37/10 ,  B24B37/34 ,  B24B1/00 ,  B24B49/12

CPC分类号： B24B37/013 ,  B24B49/12 ,  H01L21/30625

摘要： 一种研磨方法以及研磨装置，该研磨方法在基板的研磨中接受从该基板反射的光，根据该反射光生成光谱波形，对光谱波形进行傅里叶变换处理，确定基板的膜的厚度以及所对应的频率成分的强度，在频率成分的强度高于规定的阈值的情况下，将确定的膜的厚度认定为可靠性高的测量值，在确定的频率成分的强度为规定的阈值以下的情况下，将确定的膜的厚度认定为可靠性低的测量值，根据可靠性高的测量值达到规定的目标值的时刻而确定基板的研磨终点，使所述规定阈值根据不良数据率而变化。采用本发明，能在基板的研磨中取得形成在基板上的膜的正确厚度，并根据得到的膜的厚度而能准确地确定基板的研磨终点。

公开(公告)号：CN104942702B

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201510144091.0

申请日：2015-03-30

申请人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 ,  陶氏环球技术有限公司

发明人： 钱百年 ,  M·W·德格鲁特 ,  J·穆奈恩 ,  A·雷珀 ,  M·詹森 ,  J·J·亨道恩 ,  J·G·诺兰 ,  D·B·詹姆斯 ,  叶逢蓟

IPC分类号： B24B37/24 ,  B24B37/22 ,  B24B37/013

CPC分类号： B24B37/205 ,  B24B37/013 ,  B24B49/12 ,  G02B1/12 ,  H01F41/00 ,  H01L21/30625

摘要： 本发明提供了一种化学机械抛光垫，其包括：抛光层；以及结合至所述化学机械抛光垫中的终点检测窗口，其中所述终点检测窗口是塞入性窗口；其中所述终点检测窗口包含以下成分的反应产物，所述成分包含窗口预聚物以及窗口固化剂体系，所述窗口固化剂体系包含至少5重量％的窗口双官能的固化剂、至少5重量％的窗口胺引发的多元醇固化剂以及25‑90重量％窗口高分子量多元醇固化剂。

公开(公告)号：CN107520740A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710839581.1

申请日：2017-09-18

申请人： 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)

发明人： 王东辉 ,  井海石 ,  柳滨 ,  张为强 ,  王嘉琪

IPC分类号： B24B37/013 ,  H01L21/306 ,  H01L21/66

CPC分类号： B24B37/013 ,  H01L21/30625 ,  H01L22/12

摘要： 本发明提供了一种化学机械抛光中光谱终点的检测方法、装置及系统，包括：根据晶圆表面被抛薄膜的光谱检测数据，确定被抛薄膜的平滑的光谱检测数据；根据平滑的光谱检测数据中关联的反射率数据与检测波长数据，确定平滑的光谱检测数据中的极值点及每个极值点对应的波长值；根据至少两个相邻极值点的波长值以及被抛薄膜的光学折射率，确定被抛薄膜的剩余厚度；在检测到被抛薄膜的厚度达到设定厚度阈值时，确定该被抛薄膜的厚度为抛光终点，以使化学机械抛光设备在抛光终点停止抛光；其通过计算晶圆表面被抛薄膜的剩余厚度，确定该被抛薄膜的厚度为抛光终点，提高了光谱终点的检测精确度，且提高了化学机械抛光设备的工作效率。

公开(公告)号：CN107186612A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710142830.1

申请日：2017-03-10

申请人： 株式会社荏原制作所

发明人： 小畠严贵 ,  渡边和英 ,  安田穗积 ,  八木裕治 ,  高桥信行 ,  武田晃一

IPC分类号： B24B37/04 ,  B24B37/34 ,  B24B49/12 ,  B24B37/10 ,  B24B37/20 ,  B24B37/30 ,  B24B57/02

CPC分类号： B24B37/013 ,  B24B37/042 ,  B24B37/20 ,  B24B37/105 ,  B24B37/30 ,  B24B37/34 ,  B24B49/12 ,  B24B57/02

摘要： 本发明的技术问题在于提供一种能够提高处理对象物的研磨处理面上的处理精度的研磨装置和研磨方法。提供一种对处理对象物进行研磨处理的方法。该方法具有：一边使尺寸比处理对象物的尺寸小的第一研磨垫与处理对象物接触、一边使处理对象物和第一研磨垫相对运动来进行第一研磨处理的步骤；在第一研磨处理之后、一边使尺寸比处理对象物的尺寸大的第二研磨垫与处理对象物接触、一边使处理对象物和第二研磨垫相对运动来进行第二研磨处理的步骤；以及在进行第一研磨处理之前对处理对象物的研磨处理面的状态进行检测的步骤。

公开(公告)号：CN104608055B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201410605525.8

申请日：2014-10-31

申请人： 株式会社荏原制作所

发明人： 高桥太郎 ,  铃木佑多

IPC分类号： B24B53/017 ,  B24B37/013

CPC分类号： B24B49/105 ,  B24B37/005 ,  B24B37/013 ,  B24B37/042 ,  H01L21/12 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/26

摘要： 本发明提供一种能够进行准确的研磨进度监视的研磨装置及研磨方法。研磨装置具有：支持研磨垫(1)的研磨台(2)；使研磨台(2)旋转的台用电动机(6)；顶环(3)，所述顶环(3)将基板按压在研磨垫(1)上并研磨该基板；修整器(26)，所述修整器(26)在基板的研磨过程中一边在研磨垫(1)上摇动，一边对研磨垫(1)进行修整；过滤装置(35)，所述过滤装置(35)将具有相当于修整器(26)的摇动周期的频率的振动成分从台用电动机(6)的输出电流信号中去除；以及研磨监视装置(40)，所述研磨监视装置(40)基于去除了振动成分的输出电流信号，对基板的研磨的进度进行监视。

公开(公告)号：CN106584263A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201611198428.7

申请日：2016-12-22

申请人： 清华大学

发明人： 冯雪 ,  蔡世生 ,  张长兴 ,  李海成 ,  张迎超 ,  韩志远

IPC分类号： B24B37/04 ,  B24B37/10 ,  B24B57/00 ,  B24B37/30 ,  B24B37/013 ,  B24B7/22 ,  H01L21/304

CPC分类号： B24B37/042 ,  B24B7/228 ,  B24B37/013 ,  B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  B24B57/00 ,  H01L21/304

摘要： 本发明公布了一种基于纳米金刚石颗粒的大规模芯片纯机械无化学式减薄方法，属于柔性可延展光子/电子器件、半导体以及微电子技术领域。本发明方法利用纳米金刚石颗粒作为磨削材料纯机械无化学式减薄各种芯片材料(电子、光子芯片等)；在减薄过程中，通过改变纳米金刚石的粒径来调控粗糙、中度、精细研磨以及抛光；通过调控芯片托盘的芯片槽的大小来实现不同尺寸芯片的大规模减薄。本发明方法适用于各种芯片材料大规模的减薄，同时适用于减薄到任意厚度，最终厚度可达到10μm左右，能够很好地契合柔性可延展光子/电子器件所需的器件厚度。

公开(公告)号：CN106475895A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201611170706.8

申请日：2016-12-16

申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司

发明人： 桂辉辉 ,  周小红 ,  闵源 ,  杨俊铖 ,  万先进

IPC分类号： B24B37/04 ,  B24B37/005 ,  B24B37/013 ,  H01L21/306

CPC分类号： B24B37/046 ,  B24B37/005 ,  B24B37/013 ,  H01L21/30625

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆研磨系统以及晶圆研磨终点的控制方法，将一研磨垫与一晶圆的表面接触，以通过研磨垫的旋转研磨晶圆，将一直流电机的输出轴与研磨垫连接，以驱动研磨垫旋转，将一控制器与直流电机连接，用于向直流电机输出驱动电流以控制直流电机的工作，于输出轴上的扭矩在一预设的置信时间区间内低于一预设值时，控制器停止输出驱动电流；上述技术方案能够缩小同一批次的晶圆的研磨厚度的差异，以及降低技术人员的工作量，以提高晶圆产品的合格率。