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公开(公告)号：CN117337479A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202280015845.0
申请日：2022-05-31
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明关于计算研磨率相对于在将使用于半导体元件的制造的晶片、基板、面板等的工件按压于研磨垫的压力变化的响应性的技术。在本方法中，通过模拟来计算表示研磨头(7)响应压力室内的单位压力的变化而变化的从工件施加于研磨垫(2)的按压压力的分布的按压压力响应性形貌图，在压力室内维持规定压力的状态下，将工件按压于研磨垫而研磨工件，制作表示研磨后的工件的研磨率的分布的研磨率形貌图，并基于按压压力响应性形貌图、规定压力及研磨率形貌图来制作研磨率响应性形貌图。
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公开(公告)号：CN110625518B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201910525822.4
申请日：2019-06-18
Applicant: 株式会社荏原制作所
Inventor： 中村显
IPC: B24B37/10 , B24B37/34 , B24B37/005 , H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种能够使研磨轮廓更均匀化的研磨装置、研磨方法以及非暂时性计算机可读介质。研磨装置包括：具有研磨面的研磨台；顶环，该顶环用于将研磨对象面向研磨面按压，该顶环具有能够对于晶片的多个区域独立地施加按压力的多个按压部；控制部，该控制部对于多个按压部中的第一按压部，将第一按压部影响比例存储于存储部，基于第一按压部影响比例与研磨对象面的研磨轮廓来控制第一按压部的按压力，所述第一按压部影响比例是与该第一按压部的按压力的变化对应的所述研磨对象面的研磨量的变化。第一按压部影响比例是对于比第一按压部按压晶片的第一按压区域更宽的区域而确定的。
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公开(公告)号：CN105428229B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201510593490.5
申请日：2015-09-17
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304 , H01L21/67 , B24B37/013
Abstract: 提供一种提高膜厚的检测精度的膜厚信号处理装置、研磨装置、膜厚信号处理方法、及研磨方法，该膜厚信号处理装置(230)包括：接收部(232)，其接收由沿着研磨面对研磨对象物(102)的膜厚进行检测的涡流传感器(210)输出的膜厚数据；确定部(236)，其基于由接收部(232)接收的膜厚数据，对膜厚数据的有效范围进行确定；补正部(238)，其对由确定部(236)确定的有效范围内的膜厚数据进行补正。
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公开(公告)号：CN110712120B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN201910627948.2
申请日：2019-07-12
Applicant: 株式会社荏原制作所
Inventor： 中村显
Abstract: 提供一种能够比以往减少事先所需的膜厚测定次数的研磨装置以及校准方法。涡电流传感器(210)的输出包含阻抗分量。膜厚测定装置(231)根据阻抗分量而求出膜厚信息。使用膜厚信息与膜厚之间的非线性函数根据膜厚信息而求出膜厚。膜厚信息是阻抗角的正切的倒数，该阻抗角，是在使阻抗分量的电阻分量和电抗分量分别与具有两个正交坐标轴的坐标系的各轴对应时连接与阻抗分量对应的坐标系上的点和规定的基准点的直线与规定的直线所成的角度。
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公开(公告)号：CN115147690A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210383534.1
申请日：2022-03-29
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: G06V10/80 , G06V10/774 , G06V10/764 , G06V10/74 , G06N20/00 , B24B37/005 , B24B49/12 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种膜厚推定模型的创建方法、膜厚推定方法及存储介质，该模型能够降低来自晶片等工件的反射光的谱图的偏差的影响，并决定准确的膜厚。本方法包括下述的工序：决定分别表示来自具有膜的样本的反射光的多个样本谱图的特征的多个样本特征量，通过计算出所述多个样本谱图中的每一个与代表谱图之间的相似度而取得多个相似度，使用训练数据执行机器学习来创建膜厚推定模型，该训练数据包含所述多个样本特征量、所述多个相似度以及与所述多个样本谱图分别对应的多个膜厚。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106863104A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201610866058.3
申请日：2016-09-29
Applicant: 株式会社荏原制作所
Inventor： 中村显
IPC: B24B37/00 , B24B37/34 , B24B37/013
Abstract: 本发明提供一种研磨装置，具有能够测定狭窄范围的终点检测传感器，且膜厚检测精度提高。研磨装置(10)具备：研磨垫(101)，其具有研磨半导体晶片(WF)的研磨表面(101a)；研磨台(100)，能够安装研磨垫(101)中的与研磨表面(101a)相反侧的背面(101b)；顶环(1)，能够保持半导体晶片(WF)以使其与研磨表面(101a)相对；以及涡电流传感器(50)，配置于研磨台(100)内，用于检测研磨终点。研磨台(100)在安装面(104)上具有突出构件(12)，该突出构件(12)从安装有研磨垫(101)的安装面(104)突出。研磨垫(101)的背面(101b)在与突出构件(12)相对的部分具有凹部，涡电流传感器(50)的一部分配置于突出构件(12)的内部。
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公开(公告)号：CN106475906A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610784503.1
申请日：2016-08-31
Applicant: 株式会社荏原制作所
Inventor： 中村显
IPC: B24B49/10 , B24B37/005 , G01B7/06
CPC classification number: B24B49/105 , B24B37/013 , G01B7/105 , H01L21/67092 , H01L22/14 , H01L22/26
Abstract: 配置于基板的附近的涡电流传感器(1-50)具有芯部(1-60)和线圈部(1-61)。芯部(1-60)具有共通部(1-65)、连接于共通部(1-65)的四根悬臂梁状部(1-66～69)。第一悬臂梁状部(1-66)以及第二悬臂梁状部(1-67)的端部彼此接近地邻接。第三悬臂梁状部(1-69)以及第四悬臂梁状部(1-68)的端部彼此接近地邻接。在共通部(1-65)配置有励磁线圈。配置于第一悬臂梁状部(1-66)的第一检测线圈(1-631)、配置于第二悬臂梁状部(1-67)的第二检测线圈(1-632)检测涡电流。在第三悬臂梁状部(1-69)配置有第一虚拟线圈(1-642)，在第四悬臂梁状部(1-68)配置有第二虚拟线圈(1-641)。
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公开(公告)号：CN104907920A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510109221.7
申请日：2015-03-12
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/005 , B24B37/015 , G01B7/06 , G01D5/16
CPC classification number: H01L22/26 , B24B37/013 , B24B49/105 , G01B7/105 , H01L22/14
Abstract: 一种膜厚测定值的补正方法、膜厚补正器、及涡流传感器，以简易的构成精确补正测定研磨对象物的膜厚的传感器的温度偏差。膜厚测定值的补正方法在进行研磨工序中补正涡流传感器的输出信号。研磨工序包含：涡流传感器与研磨对象物不相对的第一状态；及涡流传感器与研磨对象物相对的第二状态。膜厚测定值的补正方法是取得在第一状态下从涡流传感器输出的第一测定信号(Xout，Yout)(步骤S108)，基于取得的第一测定信号与对第一测定信号预先设定的基准信号(Xsd，Ysd)算出补正值(ΔX、ΔY)(步骤S109)；取得在第二状态下从涡流传感器输出的第二测定信号(X、Y)(步骤S104)，在进行研磨工序中，基于算出的补正值补正所取得的第二测定信号(步骤S105)。
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公开(公告)号：CN112692717B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202011061881.X
申请日：2020-09-30
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明是基板研磨装置、膜厚映射制作方法及基板的研磨方法。使研磨处理中的膜厚测定高效化。基板研磨装置具备：研磨台，该研磨台构成为能够旋转，且设置有输出与膜厚相关的信号的传感器；研磨头，该研磨头与所述研磨台相对并构成为能够旋转，且能够在与所述研磨台相对的面安装基板；以及控制部，在所述传感器通过所述基板的被研磨面上时，所述控制部从所述传感器取得信号，基于所述信号的分布曲线来确定所述传感器相对于所述基板的轨道，基于所述信号来计算所述轨道上的各点处的所述基板的膜厚，基于针对所述传感器的多个轨道而计算出的各点的膜厚来制作膜厚映射。
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公开(公告)号：CN117773766A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311238535.8
申请日：2023-09-25
Applicant: 株式会社荏原制作所
Inventor： 中村显
IPC: B24B37/10 , B24B37/005 , B24B49/12
Abstract: 本发明提供一种检测晶片等工件的膜厚测定的异常的方法、光学式膜厚测定装置及记录程序的记录介质。本方法为，遍及工件的研磨中的规定期间，生成来自工件上的多个测定点的反射光的多个谱图，将多个谱图按照各谱图的特征量分类为至少包含第一组和第二组的多个组，至少基于第一组所包含的谱图的数量来决定监控指标值，基于监控指标值与阈值的比较来检测至少一枚工件的膜厚测定的异常。
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