公开(公告)号：CN111433016B

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN201880077943.0

申请日：2018-12-14

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 许南瑟雅 ,  金容赞 ,  章盛晧 ,  金起焕 ,  孙政佑 ,  宋真淑 ,  曹弼盛

IPC: B32B7/023 ,  B32B3/30 ,  B32B27/28 ,  B32B9/04 ,  B32B27/20 ,  B32B15/08 ,  B32B33/00

Abstract: 本申请涉及一种装饰元件。

公开(公告)号：CN107407993B

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN201680018258.1

申请日：2016-03-25

Applicant: 株式会社LG 化学

Inventor： 李一翻 ,  金起焕 ,  章盛晧 ,  朴镇宇 ,  朴赞亨

IPC: G06F3/041 ,  H01B5/00 ,  G02B1/10 ,  H01B5/14

Abstract: 本发明涉及一种传导性结构及其一种制造方法，该传导性结构包括：基板；和形成布置在基板上的屏幕部分、布线部分和垫部分的导线，其中导线包括金属层、布置在金属层上的第一防反射层和布置在第一防反射层上的第二防反射层，并且第一防反射层和第二防反射层包含氮氧化铝。另外，第二防反射层的氮原子的元素含量的特征在于该元素含量小于第一防反射层的氮原子的元素含量。

公开(公告)号：CN111052319A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201880054020.3

申请日：2018-10-19

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 许殷奎 ,  金忠完 ,  章盛晧 ,  辛富建 ,  朴正岵 ,  尹晶焕 ,  秋素英

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01J37/32

Abstract: 本说明书提供了使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法。所述等离子体蚀刻方法包括：将在其上表面上具有网部分的法拉第笼设置在等离子体蚀刻装置中的步骤；将石英基板设置在法拉第笼内部的步骤，所述石英基板在其一个表面上具有金属掩模，所述金属掩模中具有开口；以及其中使用等离子体蚀刻对石英基板进行蚀刻的图案化步骤。其中，法拉第笼的底表面包含具有比金属掩模更低的电离倾向的金属。

公开(公告)号：CN110382254A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201880015954.6

申请日：2018-03-06

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 赵恩星 ,  金容赞 ,  金起焕 ,  孙政佑 ,  宋真淑 ,  章盛晧 ,  曺弼盛 ,  韩尚澈 ,  许南瑟雅

IPC: B44F1/10 ,  B32B33/00 ,  B32B3/30 ,  B32B27/20 ,  B32B27/16 ,  B32B7/02 ,  B32B3/26

Abstract: 本申请涉及一种装饰构件以及一种制备装饰构件的方法。本申请提供了：一种具有根据观察方向来表现不同颜色的二色性并具有改善了的二色性可见性的装饰构件；以及一种制造所述装饰构件的方法。

公开(公告)号：CN107112075B

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201680004293.8

申请日：2016-02-26

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 尹晶焕 ,  宋斗勋 ,  章盛晧 ,  朴镇宇 ,  金起焕

IPC: H01B5/14 ,  G06F3/041

Abstract: 本申请涉及一种导电结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN110650839B

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN201880033449.4

申请日：2018-06-27

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金容赞 ,  孙政佑 ,  曹弼盛 ,  金起焕 ,  章盛晧

IPC: B32B7/025 ,  B32B3/30

Abstract: 本公开涉及一种装饰构件，所述装饰构件包括：光反射层；和光吸收层，所述光吸收层设置在所述光反射层上，其中，所述光反射层具有20欧姆/平方以上的表面电阻。

公开(公告)号：CN110770015B

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN201880038224.8

申请日：2018-06-27

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 孙政佑 ,  章盛晧 ,  金容赞 ,  宋真淑 ,  曹弼盛 ,  金起焕

IPC: B32B7/023 ,  B32B3/30

Abstract: 本发明涉及一种装饰构件，该装饰构件包括光反射层以及设置在光反射层上并且包含Si的光吸收层。

公开(公告)号：CN110691696B

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN201880035196.4

申请日：2018-06-27

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金容赞 ,  孙政佑 ,  曹弼盛 ,  金起焕 ,  章盛晧

IPC: B44C5/04 ,  B44F1/02

Abstract: 本公开涉及一种装饰构件，包括：光反射层；以及设置在光反射层上的光吸收层，其中，光反射层是不连续膜。

公开(公告)号：CN111448066B

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN201880078846.3

申请日：2018-07-04

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 曹弼盛 ,  章盛晧 ,  金容赞 ,  孙政佑 ,  宋真淑 ,  金起焕

IPC: B32B33/00 ,  B32B3/00 ,  B32B7/023 ,  B32B3/30 ,  B32B27/28

Abstract: 本发明涉及一种装饰构件，包括：光反射层；设置在光反射层上的光吸收层；以及显色层，所述显色层包括彩色膜，所述彩色膜设置在光反射层的与面对光吸收层的表面相反的表面上、光反射层与光吸收层之间、或者在光吸收层的与面对光反射层的表面相反的表面上。

公开(公告)号：CN110730716B

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN201880037194.9

申请日：2018-06-27

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金容赞 ,  孙政佑 ,  曹弼盛 ,  金起焕 ,  章盛晧

IPC: B32B7/023 ,  B32B3/30

Abstract: 本发明涉及一种装饰构件，包括：光反射层；以及设置在光反射层上的光吸收层，其中，光吸收层具有20欧姆/平方或更大的表面电阻。