公开(公告)号：CN110382253B

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN201880013619.2

申请日：2018-03-06

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 赵恩星 ,  金容赞 ,  孙政佑 ,  曺弼盛 ,  许南瑟雅 ,  宋真淑 ,  韩尚澈 ,  章盛晧 ,  金起焕

IPC: B32B33/00

Abstract: 本申请涉及一种装饰元件和一种装饰元件的制备方法。本申请提供了一种装饰元件以及制备该装饰元件的方法，该装饰元件具有根据观看方向表现出不同颜色的二色性，并且具有改善的二色可见性。

公开(公告)号：CN111868296A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201980019524.6

申请日：2019-09-02

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 曹弼盛 ,  金容赞 ,  章盛晧 ,  金起焕 ,  许南瑟雅 ,  孙政佑

IPC: C23C14/58 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  C23F4/00

Abstract: 本发明涉及一种装饰元件的制造方法以及由此制造的装饰元件，该方法包括以下步骤：在光吸收层的一个表面上沉积具有彼此间隔开的两个以上的岛部的结构的光反射层；以及使用岛部作为掩模对光吸收层进行干法蚀刻，其中，与对光吸收层进行干法蚀刻之前相比，在对光吸收层进行干法蚀刻的步骤之后装饰元件的电阻值增大了两倍以上。

公开(公告)号：CN110709235A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201880037220.8

申请日：2018-06-27

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金容赞 ,  金起焕 ,  孙政佑 ,  章盛晧 ,  曹弼盛 ,  许南瑟雅

IPC: B32B7/023 ,  B32B3/30

Abstract: 本公开涉及一种装饰构件，所述装饰构件包括：光反射层；以及光吸收层，所述光吸收层设置在所述光反射层上，其中，所述光反射层具有20欧姆/平方以下的表面电阻。

公开(公告)号：CN110691696A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201880035196.4

申请日：2018-06-27

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金容赞 ,  孙政佑 ,  曹弼盛 ,  金起焕 ,  章盛晧

IPC: B32B7/02 ,  B44C5/04 ,  B44F1/02

Abstract: 本公开涉及一种装饰元件，包括：光反射层；以及设置在光反射层上的光吸收层，其中，光反射层是不连续膜。

公开(公告)号：CN107428127B

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201680018878.5

申请日：2016-03-28

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 李一翻 ,  李承宪 ,  章盛晧 ,  吴东炫 ,  黄智泳 ,  金起焕 ,  徐汉珉 ,  朴赞亨 ,  朴宣赢

IPC: B32B9/04 ,  B32B15/04 ,  G02F1/13 ,  H01B1/02 ,  H01B1/08 ,  H01L51/00

Abstract: 本说明书涉及一种导电结构体、其制造方法以及包括所述导电结构体的电极和电子装置。

公开(公告)号：CN110382253A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201880013619.2

申请日：2018-03-06

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 赵恩星 ,  金容赞 ,  孙政佑 ,  曺弼盛 ,  许南瑟雅 ,  宋真淑 ,  韩尚澈 ,  章盛晧 ,  金起焕

IPC: B44F1/10 ,  B32B33/00 ,  B32B3/30 ,  B32B27/20 ,  B32B27/16 ,  B32B7/02 ,  B32B3/26

Abstract: 本申请涉及一种装饰元件和一种装饰元件的制备方法。本申请提供了一种装饰元件以及制备该装饰元件的方法，该装饰元件具有根据观看方向表现出不同颜色的二色性，并且具有改善的二色可见性。

公开(公告)号：CN107112075A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201680004293.8

申请日：2016-02-26

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 尹晶焕 ,  宋斗勋 ,  章盛晧 ,  朴镇宇 ,  金起焕

IPC: H01B5/14 ,  G06F3/041

CPC classification number: G06F3/041 ,  B32B9/041 ,  B32B2307/202 ,  B32B2311/00 ,  B32B2457/208 ,  G02F1/00 ,  G06F2203/04103 ,  G06F2203/04112 ,  H01B5/14 ,  H05K2201/2054

Abstract: 本申请涉及一种导电结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN106573449A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580042694.8

申请日：2015-08-11

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 李东炫 ,  林枪润 ,  李承宪 ,  章盛晧 ,  成知玹

IPC: B32B15/20 ,  B32B15/08

Abstract: 本申请涉及一种疏水性基板以及该疏水性基板的制造方法。根据本申请的示例性实施方案的疏水性基板包括：基板；第一层，布置在所述基板的至少一个表面上并包括铝氧化物；以及第二层，布置在所述第一层上并包括疏水性材料。

公开(公告)号：CN111868892B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN201980019945.9

申请日：2019-06-18

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 姜铢熙 ,  章盛晧 ,  曹根植 ,  金忠完

IPC: H01L21/3065 ,  G02B5/18 ,  H01J37/32 ,  G03F1/80 ,  H05H1/46

Abstract: 本申请涉及使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法，其包括以下步骤：在具有设置在其上表面的网部的法拉第笼中设置用于蚀刻的基板材料；用遮板遮挡网部的至少一部分，然后对用于蚀刻的基板材料进行等离子体蚀刻；以及通过在使遮板沿着从法拉第箱的外部部分到其中心部分的方向移动的同时进行等离子体蚀刻来在用于蚀刻的基板材料上形成图案部分，其中图案部分的深度沿着从用于蚀刻的基板材料的一侧到其另一侧的方向逐渐变化。

公开(公告)号：CN111867822B

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN201980020138.9

申请日：2019-06-17

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 宋真淑 ,  金正斗 ,  韩尚澈 ,  章盛晧 ,  金起焕 ,  曹弼盛

IPC: B32B3/30 ,  B32B27/20 ,  A45D33/18 ,  B65D1/02 ,  B29C45/00 ,  A45D34/00

Abstract: 本说明书涉及一种装饰构件，其包括：基板以及设置在基板上的装饰层，该装饰构件具有由式1表示的对比度参数(Cn)为0.1以上的视角(θ和)的至少一种组合。