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公开(公告)号：CN106935599A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710333308.1
申请日：2017-05-12
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 重庆京东方光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置。其中，制作方法包括：形成贯穿多个膜层的过孔的步骤和形成覆盖所述过孔的导电图形的步骤。形成所述过孔的步骤包括：至少在所述过孔边缘处形成爬坡辅助结构；形成所述导电图形的步骤包括：在所述爬坡辅助结构上形成导电图形，从而使得所述导电图形能够基于所述爬坡辅助结构从所述过孔内连续不间断地延伸至过孔外。本发明的方案在过孔边缘设置爬坡辅助结构，以使导电图形在爬坡辅助结构上进行沉积，从而避免在过孔位置附近发生断裂，影响信号加载，可减少显示画面出现亮点、条纹等不良显示现象的概率。
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公开(公告)号：CN105974706A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610591610.2
申请日：2016-07-25
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 重庆京东方光电科技有限公司
IPC分类号： G02F1/1362
CPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/136227 , G02F1/136286
摘要： 本发明实施例公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置。该阵列基板包括：衬底基板；在所述衬底基板上呈矩阵分布的多个像素电极；每行所述像素电极设置有一条对应的公共电极引线，所述公共电极引线与所在行的各所述像素电极的边缘有重叠区域；多个与各所述像素电极一一对应的开关晶体管；其中，所述开关晶体管的漏极具有用于通过过孔连接所述像素电极的连接部；所述连接部位于所连接的所述像素电极与所述公共电极引线的重叠区域。由于将漏极的连接部设置在公共电极引线与像素电极的重叠区域，这样，就可以减少漏极对像素电极的遮挡，进而提高了像素单元的开口率。
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公开(公告)号：CN105093754A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510516559.4
申请日：2015-08-21
申请人： 重庆京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1343 , H01L27/12
CPC分类号： G02F1/136227 , G02F1/134309 , G02F1/136209 , G02F1/136286 , G02F2001/134318 , G02F2201/40 , H01L27/124 , H01L27/1259
摘要： 本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板，包括阵列公共电极。该阵列公共电极包括相互连接的四个部分，第一部分与第二部分布置在源漏电极线的一侧，第三部分与第四部分布置在源漏电极线的另一侧，第一部分与第四部分成对角线布置，第二部分与第三部分成对角线布置；并且第一部分和第四部分分别与源漏电极线部分重叠，并且第二部分与第三部分与源漏电极线分离。本发明还提供了制作上述TFT-LCD阵列基板的方法和包括上述TFT-LCD阵列基板的显示装置。
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公开(公告)号：CN109741700B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201910024340.0
申请日：2019-01-10
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 重庆京东方光电科技有限公司
摘要： 本发明涉及显示技术领域，提出一种移位寄存器单元及驱动方法，该移位寄存器单元包括初始化模块、第一电容、下拉模块、输入模块、下拉控制模块、输出模块、复位模块。初始化模块与与初始信号端、下拉节点连接，用于响应初始信号端的信号将下拉节点的电位置为导通电平；第一电容连接于下拉节点与第二电平信号端之间；复位模块连接上拉节点、复位信号端、下拉节点、第二电平信号端，用于响应复位信号端的信号将第二电平信号端的信号传输到上拉节点，以及响应复位信号端的信号将下拉节点的电位置为导通电平。本公开提供的移位寄存器单元可以提高上拉节点的充电速度，避免PU与PD竞争关系的同时可以降低移位寄存器单元的功耗。
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公开(公告)号：CN105093754B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201510516559.4
申请日：2015-08-21
申请人： 重庆京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1343 , H01L27/12
摘要： 本发明提供了一种TFT‑LCD阵列基板，包括阵列公共电极。该阵列公共电极包括相互连接的四个部分，第一部分与第二部分布置在源漏电极线的一侧，第三部分与第四部分布置在源漏电极线的另一侧，第一部分与第四部分成对角线布置，第二部分与第三部分成对角线布置；并且第一部分和第四部分分别与源漏电极线部分重叠，并且第二部分与第三部分与源漏电极线分离。本发明还提供了制作上述TFT‑LCD阵列基板的方法和包括上述TFT‑LCD阵列基板的显示装置。
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公开(公告)号：CN108365125A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810156768.6
申请日：2018-02-24
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 重庆京东方光电科技有限公司
摘要： 本发明涉及显示领域，特别涉及一种显示面板、其制备方法及显示装置。所述显示面板，包括显示基板和用于封装所述显示基板的封装层，所述封装层包括无机复合膜层，所述无机复合膜层包括无机基体和无机填料，所述无机基体包括多个晶粒，所述晶粒间存在空隙，所述无机填料包裹无机基体内的晶粒并且填充于所述空隙。本发明中，无机填料充分渗入到基体内，包裹基体内的晶粒形成壳-芯结构，无机填料存在于晶界处，降低本征内聚应力，进而对晶界处存在的空隙起到填充作用，提升了无机复合膜层的致密度，进而降低了无机复合膜层的水氧透过率。
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公开(公告)号：CN105304647A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510690237.1
申请日：2015-10-22
申请人： 重庆京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种阵列基板、其制作方法、及显示装置。该阵列基板包括具有至少一个凹陷区域的透明导电层和位于所述透明导电层上的取向层，所述阵列基板还包括填充于所述透明导电层的至少一个凹陷区域处的填充层。本发明实施例中，由于在透明导电层上的至少一个凹陷区域处有填充层，即凹陷区域处已被填充层所填充，这样在凹陷区域中，填充层所填充的地方就无积蓄的取向层(如PI液)，积蓄的取向层就减少了，从而提高了阵列基板上的取向层的均匀性。
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公开(公告)号：CN105140297A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510593922.2
申请日：2015-09-17
申请人： 重庆京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/417
CPC分类号： H01L29/786 , H01L29/41733 , H01L29/41758
摘要： 本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。一种薄膜晶体管，包括栅电极、源电极、漏电极以及漏电极引线，所述源电极由N个第一弯曲结构连接形成，所述漏电极由N-1个第二弯曲结构连接形成，所述源电极与所述漏电极对合设置，所述漏电极引线连接在所述漏电极上，所述漏电极引线的数量为(1～N-1)条。该薄膜晶体管采用N个弯曲结构连接成一整体作为漏电极，因此可以只采用(1～N-1)条漏电极引线与漏电极相连，减少了漏电极引线和引线凹槽的数量、减小了引线凹槽总宽度，既保证了较大的充电电流，又达到了减少TFT的光漏电的效果。
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公开(公告)号：CN106935599B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201710333308.1
申请日：2017-05-12
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 重庆京东方光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置。其中，制作方法包括：形成贯穿多个膜层的过孔的步骤和形成覆盖所述过孔的导电图形的步骤。形成所述过孔的步骤包括：至少在所述过孔边缘处形成爬坡辅助结构；形成所述导电图形的步骤包括：在所述爬坡辅助结构上形成导电图形，从而使得所述导电图形能够基于所述爬坡辅助结构从所述过孔内连续不间断地延伸至过孔外。本发明的方案在过孔边缘设置爬坡辅助结构，以使导电图形在爬坡辅助结构上进行沉积，从而避免在过孔位置附近发生断裂，影响信号加载，可减少显示画面出现亮点、条纹等不良显示现象的概率。
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公开(公告)号：CN108365125B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201810156768.6
申请日：2018-02-24
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 重庆京东方光电科技有限公司
摘要： 本发明涉及显示领域，特别涉及一种显示面板、其制备方法及显示装置。所述显示面板，包括显示基板和用于封装所述显示基板的封装层，所述封装层包括无机复合膜层，所述无机复合膜层包括无机基体和无机填料，所述无机基体包括多个晶粒，所述晶粒间存在空隙，所述无机填料包裹无机基体内的晶粒并且填充于所述空隙。本发明中，无机填料充分渗入到基体内，包裹基体内的晶粒形成壳‑芯结构，无机填料存在于晶界处，降低本征内聚应力，进而对晶界处存在的空隙起到填充作用，提升了无机复合膜层的致密度，进而降低了无机复合膜层的水氧透过率。
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