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公开(公告)号：CN109449258B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201811138260.X
申请日：2018-09-28
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种超辐射发光二极管及光电器件。所述超辐射发光二极管包括：所述超辐射发光二极管的有源区沿波导方向分为发光区和吸收区，所述吸收区的材料能带带隙小于所述发光区的材料能带带隙。本发明实施例的超辐射发光二极管，由于吸收区的材料能带带隙较小，因而可以采用较短的吸收区长度，有效地降低光谱纹波，提高外延片的芯片产出率，降低芯片成本。
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公开(公告)号：CN109449258A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811138260.X
申请日：2018-09-28
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种超辐射发光二极管及光电器件。所述超辐射发光二极管包括：所述超辐射发光二极管的有源区沿波导方向分为发光区和吸收区，所述吸收区的材料能带带隙小于所述发光区的材料能带带隙。本发明实施例的超辐射发光二极管，由于吸收区的材料能带带隙较小，因而可以采用较短的吸收区长度，有效地降低光谱纹波，提高外延片的芯片产出率，降低芯片成本。
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公开(公告)号：CN105158849A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510703267.1
申请日：2015-10-26
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种铌酸锂光波导器件的制作方法及其器件，本发明方法在x切铌酸锂基片上表面和下表面制作有增透作用的介质膜；在介质膜上沿Y轴方向刻蚀出光波导掩模窗口；在掩模窗口内的铌酸锂基片上表面制作光波导；制作调制电极；对铌酸锂基片的光输入端面和光输出端面进行切割，在光输入端面和光输出端面分别制作有增透作用的介质膜；采用本发明的方法，能显著提高铌酸锂光波导芯片的偏振消光比，改善芯片的光学特性。
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公开(公告)号：CN104158086A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410426431.4
申请日：2014-08-27
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种半导体发光器件，包括顺次设置于半导体衬底（11）上的下波导层（12）、有源层（13）、上波导层（14）、隔离层（15）、盖帽层（16）、欧姆接触层（17），盖帽层（16）和欧姆接触层（17）组成脊型波导，所述脊型波导表面设置有金属电极（18），其特征为：所述金属电极（18）相对半导体发光器件发光端面倾斜或者弯曲的区域两侧设置有金属层或者多层介质膜层，所述金属层或者多层介质膜层设置于隔离层（15）表面，本发明产品制作工艺简单，能有效地减小发光端面反射率，改进输出光谱的质量与稳定性。
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公开(公告)号：CN100516980C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200610124527.0
申请日：2006-09-14
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： G02F1/095
摘要： 本发明是一种多端口闭路光环形器，由输入/输出准直器、法拉第旋转片，偏振光分束/合束装置组成，其特征是所述的偏振分束/合束装置的基本单元由第一纳米光栅片(7)和第二纳米光栅片(8)构成，分别置于法拉第旋转片两侧，两个纳米光栅片的栅条之间的相对夹角为45度。输入/输出准直器置于法拉第旋转片和偏振光分束/合束装置的两侧。输入光经过第一纳米光栅片(7)进行分光，反射光和透射光的光路中放置有全反射镜，置于所述的两个纳米光栅片和所述法拉第旋转片两侧。用纳米金属光栅片来取代传统双折射晶体，实现光束偏振分束/合束功能；通过将两个纳米光栅片的光栅方向呈45度夹角放置，光路中可以省去两个半波片，从而降低器件成本；器件制作工艺简单，可根据需要进行任意端口扩展设计，能真正实现光路闭路循环功能。
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公开(公告)号：CN101446667A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810154429.0
申请日：2008-12-24
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： G02B6/26
摘要： 本发明属于无源光器件技术领域，涉及一种大功率可变光学衰减片的制作方法，它通过在玻璃基片上制作沿着基片长度方向透光面积逐渐变化的金属薄膜透光孔，实现沿基片长度方向光功率衰减量的渐变，金属薄膜透光孔是采用金属剥离的方法制作的。本发明不需要采用湿法或干法刻蚀工艺来制作金属薄膜透光孔，制作工艺简单，重复性好；表面的金属薄膜可以选用任何一层或几层金属材料，不受湿法或干法刻蚀工艺对金属材料的限制；制作出的衰减片金属小孔边缘光滑，器件成品率高。
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公开(公告)号：CN1920621A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610124527.0
申请日：2006-09-14
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： G02F1/095
摘要： 本发明是一种多端口闭路光环形器，由输入/输出装置、法拉第旋转片，偏振光分束/合束装置组成，其特征是所述的偏振分束/合束装置的基本单元由两个纳米光栅片构成，两个纳米光栅片的栅条之间的相对夹角为45度；输入端口光经过于所述纳米光栅片进行分光，反射光和透射光的光路中放置有全反射镜，置于所述的两个纳米光栅片和所述法拉第旋转片两侧。用纳米金属光栅片来取代传统双折射晶体，实现光束偏振分束/合束功能；通过将两个纳米光栅片的光栅方向呈45度夹角放置，光路中可以省去两个半波片，从而降低器件成本；器件制作工艺简单，可根据需要进行任意端口扩展设计，能真正实现光路闭路循环功能。
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公开(公告)号：CN203287647U
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201320360455.5
申请日：2013-06-21
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： G02F1/035
摘要： 本实用新型涉及一种铌酸锂调制器，包括金属的管壳（1）、铌酸锂的光波导芯片（5），管壳（1）底部设置有凸台（14），凸台（14）上设置有凹槽（6），凹槽（6）里粘接有过渡热沉（2），所述过渡热沉（2）为铌酸锂，过渡热沉（2）上粘接有光波导芯片（5），过渡热沉（2）的晶向与光波导芯片（5）的晶向完全一致；采用本实用新型装置，通过在金属管壳与铌酸锂光波导芯片间增加一铌酸锂过渡热沉，可以有效的提高铌酸锂光波导芯片在宽温度范围下的可靠性，其结构简单，成本低，效果好。
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公开(公告)号：CN201007744Y
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200620163687.1
申请日：2006-12-11
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本实用新型是一种大功率可变光学衰减片，通过在表面镀有增透膜的楔角玻璃基片上镀制一层很厚的金属反射膜，并在其上制作沿着基片长度方向透光面积逐渐增大的透光孔，实现延长度方向光衰减量的线性变化。这种光学衰减片的每个透光孔的形状是对称分布的，以减小衰减片的偏振相关损耗；并在小孔的排列位置上引入随机分布，以减小衰减片的波长偏振相关损耗。这种衰减片具有支持大光功率输入，有低的偏振相关损耗以及低的波长相关损耗的特点。
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公开(公告)号：CN201331670Y
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200820144819.5
申请日：2008-12-24
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司 , 华中科技大学
IPC分类号： G03F7/00
摘要： 一种纳米压印用二次压印模板，包括有基板，在基板上形成有多数个相同的成套密集波分复用系统用半导体激光器的分布反馈DFB光栅结构。分布反馈DFB光栅结构的光栅周期为：di＝λi/(2neff)，其中，di为光栅周期，λi为符合ITU－T要求的激光器波长，其值为1525～1565nm或1565～1605nm，波长间隔为0.8nm或0.4nm，neff为激光器材料的有效折射率，典型值为3～3.5。本实用新型，由于一次压印模板只含有少量DFB光栅图形，因此制作上占用电子束曝光机机时少，成本比较低。而且采用同一个一次压印模板可以制作出多个二次压印模板，适合于大批量生产，所以采用二次压印模板的纳米压印方法制作DFB半导体激光器光栅，具有光栅分辨率高、重复性好，以及制作成本低，生产效率高的特点。
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