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公开(公告)号：CN115996039B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310289669.6
申请日：2023-03-23
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
IPC分类号： H03H9/70
摘要： 本发明提供了一种多工器。该多工器包括：衬底，衬底具有第一表面；多频串联谐振器，多频串联谐振器设置于第一表面上，多频串联谐振器具有第一层叠结构，第一层叠结构包括至少两个第一工作区域，每个第一工作区域包括沿着第一方向顺序层叠设置的第一下电极、第一压电层和第一上电极，第一方向为远离衬底的方向，相邻第一工作区域的工作频率不同；多频并联谐振器，多频并联谐振器设置于第一表面上，且与多频串联谐振器相邻，多频并联谐振器具有第二层叠结构，第二层叠结构包括至少两个第二工作区域，每个第二工作区域包括沿着第一方向顺序层叠设置的第二下电极、第二压电层、第二上电极和质量负载层，相邻第二工作区域的工作频率不同。
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公开(公告)号：CN113810016B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111116758.8
申请日：2021-09-23
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本申请提供一种体声波谐振器和体声波滤波器，涉及滤波器技术领域，包括：基底以及设置于基底上的压电堆叠结构，压电堆叠结构包括依次层叠设置的底电极、压电材料层和顶电极，顶电极在基底上的正投影的轮廓包括至少一条阶数大于或等于2的贝塞尔曲线。如此，能够增加横向声波横向传播路径的长度，以此使得横向声波在传播过程中的损耗增大，从而减小横向声波对体声波谐振器带来的横向寄生模态的影响，即提高体声波谐振器对横向寄生模态的抑制效果，进而提高体声波滤波器的性能。
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公开(公告)号：CN115996031B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310297640.2
申请日：2023-03-24
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本申请提供了一种谐振器的制作方法以及谐振器，该方法包括：首先，提供层叠的第一衬底以及预备压电层；然后，对预备压电层进行应力检测，得到预备压电层的第一应力值，根据预备压电层的第一应力值的分布情况，对预备压电层进行多次分割，形成多个压电层；之后，在压电层的远离第一衬底的表面上形成多个间隔设置的第一金属层，在各第一金属层的远离压电层的表面上形成层叠的牺牲层以及第一键合层；之后，提供层叠的第二衬底以及第二键合层，并且将第一键合层与第二键合层进行键合；最后，去除第一衬底，在压电层的远离第一金属层的表面上形成多个间隔设置的第二金属层，形成刻蚀孔，并通过刻蚀孔去除牺牲层，以得到空腔。保证了谐振器的性能较好。
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公开(公告)号：CN116248062A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310032185.3
申请日：2023-01-10
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本申请公开了一种体声波谐振器及其制备方法，涉及微电子技术领域，本申请的体声波谐振器的制备方法，包括：提供衬底，并在衬底上沉积压电薄膜层；通过第一离子注入在衬底内形成预设深度的损伤层；在压电薄膜层的一侧形成顶电极；释放损伤层形成空腔；通过第二离子注入在压电薄膜层的另一侧形成底电极。本申请提供的体声波谐振器及其制备方法，能够提高体声波谐振器中压电薄膜的晶体质量，进而提高体声波谐振器的性能。
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公开(公告)号：CN115996039A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202310289669.6
申请日：2023-03-23
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
IPC分类号： H03H9/70
摘要： 本发明提供了一种多工器。该多工器包括：衬底，衬底具有第一表面；多频串联谐振器，多频串联谐振器设置于第一表面上，多频串联谐振器具有第一层叠结构，第一层叠结构包括至少两个第一工作区域，每个第一工作区域包括沿着第一方向顺序层叠设置的第一下电极、第一压电层和第一上电极，第一方向为远离衬底的方向，相邻第一工作区域的工作频率不同；多频并联谐振器，多频并联谐振器设置于第一表面上，且与多频串联谐振器相邻，多频并联谐振器具有第二层叠结构，第二层叠结构包括至少两个第二工作区域，每个第二工作区域包括沿着第一方向顺序层叠设置的第二下电极、第二压电层、第二上电极和质量负载层，相邻第二工作区域的工作频率不同。
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公开(公告)号：CN115395911A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211048802.0
申请日：2022-08-30
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
IPC分类号： H03H3/02
摘要： 本申请公开了一种薄膜体声波谐振器的制备方法，涉及微电子技术领域。该所述方法包括：在衬底上刻蚀凹槽，在所述凹槽内填充牺牲层；在填充有所述牺牲层的所述衬底上沉积底电极层，在所述底电极层上均布刻蚀多个槽孔以形成底电极；在所述底电极上沉积第一压电层并平坦化；在平坦化的所述第一压电层上沉积第二压电层，其中，所述第一压电层和所述第二压电层所采用的压电材料相同；在所述第二压电层上沉积顶电极层，并对所述顶电极层图案化处理以形成顶电极；释放所述牺牲层，以形成所述衬底与所述底电极之间的空腔结构。该方法能够降低生成压电薄膜的应力，并提升压电薄膜的质量。
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公开(公告)号：CN115276600A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202211062831.2
申请日：2022-09-01
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本申请提供一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，涉及薄膜体声波器件技术领域，包括衬底，所述衬底上依次层叠有底电极、压电层和顶电极，所述衬底与所述底电极之间形成有空腔，所述底电极、所述压电层和所述顶电极分别在所述衬底上的投影相重合的区域形成有效区，在所述底电极和所述压电层之间形成有第一空气桥,在所述有效区外的所述压电层上形成有第一凹槽，所述第一凹槽位于所述压电层背离所述底电极的一侧，所述第一凹槽和所述第一空气桥在投影方向对应设置。通过第一空气桥限制通过底电极的声波能量，同时通过在非有效区的压电层形成第一凹槽以减小压电层的横向声波泄露，充分的减少了声波能量的泄露，提高了谐振器的Q值。
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公开(公告)号：CN114421910A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210067464.9
申请日：2022-01-20
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 一种谐振器及其制备方法、滤波器，涉及谐振器技术领域。该制备方法包括：在第一衬底上形成压电层、第一电极层和第一键合层；对第一键合层进行图案化以形成第一键合环、第二键合环和第三键合环；并刻蚀露出的第一电极层以形成第一窗口；在第二衬底上形成第一支撑层和第二键合层；对第二键合层进行图案化以形成第四键合环和第五键合环；并刻蚀露出的第一支撑层以形成第二窗口和第三窗口，得到位于第三窗口和第二窗口之间的边界环；将第三键合环和第五键合环键合、第二键合环和第四键合环键合得到谐振器的空腔结构；去除第一衬底，并在压电层上形成第二电极层。该制备方法通过封装键合工艺实现边界环的制备，其制备工艺简单。
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公开(公告)号：CN110995194B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN201911398316.X
申请日：2019-12-30
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
IPC分类号： H03H9/02
摘要： 本发明涉及谐振器技术，具体涉及一种二维高性能谐振器，包括压电层，压电层上表面分布有电极层，电极层包括设置于水平方向间距大于四个波长的若干电极和设置于垂直方向间距小于等于四个波长的若干电极。该二维高性能谐振器基于特定排布电极的超高频高性能谐振器结构，谐振频率可以达到6GHz，可以很好的满足5G市场的需求，该谐振器结构可以达到大于40%的超高的机电耦合系数，且品质因数也有很大程度提升。
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公开(公告)号：CN110113026B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201910429665.7
申请日：2019-05-22
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
IPC分类号： H03H9/15
摘要： 本发明属于谐振器技术领域，公开了一种二维兰姆波谐振器，压电层的上下两面布置第一电极阵列、第二电极阵列，第一电极阵列、第二电极阵列分别包括沿第一方向、第二方向排列的多条正电极列、第一负电极列，且正电极列和负电极列交替排布；正电极列包括多个正电极，相邻的两个正电极通过电桥连接，负电极列包括多个负电极，相邻的两个负电极通过电桥连接；第一方向和第二方向互相垂直；第一电极阵列中的任意一个正电极向第二电极阵列的正投影覆盖其中一个负电极，第一电极阵列中的任意一个负电极向第二电极阵列的正投影覆盖其中一个正电极。本发明提供的二维兰姆波谐振器可以提高谐振器机电耦合系数、减少寄生模式。
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